公开(公告)号：CN101681913A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015449.8

申请日：2008-04-07

Applicant: 夏普株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 玉井幸夫 ,  岛久 ,  秋永广幸 ,  高野史好 ,  细井康成 ,  粟屋信义 ,  大西茂夫 ,  石原数也

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  G11C11/5614 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。

公开(公告)号：CN101432879A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015451.0

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  涉谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691 ,  Y10T29/49082

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在两个电极间施加电压脉冲时，在两个电极间经由可变电阻体而流过电流的电路路径的剖面形状，以比两个电极的任一个的线宽细的线宽形成，并以比制造工艺中的最小加工尺寸更小的线宽形成，所以，与以往的可变电阻元件中的在电气上作出贡献的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN101432878A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015413.5

申请日：2007-02-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  石原数也 ,  瑟谷隆广 ,  大西哲也 ,  中野贵司

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1691

Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。

公开(公告)号：CN101371313A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780003089.5

申请日：2007-01-09

Applicant: 夏普株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 细井康成 ,  粟屋信义 ,  井上公

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79

Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置，能进行针对电阻特性根据电压施加而变化的可变电阻元件的稳定高速的切换动作。用于向可变电阻元件施加电压的负载电路以能与可变电阻元件串联电连接的方式设置，以负载电路的负载电阻特性可在两种不同特性间切换的方式构成，在可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转移到高电阻状态的情况和从高电阻状态转移到低电阻状态的情况下，选择性地切换负载电路的两种负载电阻特性，根据施加到可变电阻元件和负载电路的串联电路上的改写用电压，对可变电阻元件施加从两种电阻特性的一种向另一种转移所需的电压，可变电阻元件的电阻特性从一种转移到另一种后，施加到可变电阻元件上的电压成为不能根据选择的负载电阻特性从另一种电阻特性向一种电阻特性返回的电压。

公开(公告)号：CN1767049A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510103804.5

申请日：2005-06-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细井康成 ,  玉井幸夫 ,  石原数也 ,  小林慎司 ,  粟屋信义

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/15 ,  G11C16/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C29/50 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/50008 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31

Abstract: 可变电阻元件在第一电极(1)和第二电极(3)之间设置钙钛矿型氧化物(2)而形成，通过在第一电极(1)和第二电极(3)之间施加一定极性的电压脉冲使第一电极(1)和第二电极(3)之间的电阻变化，进而，具有相对于电压脉冲施加中的累积脉冲施加时间的增加、电阻值的变化率从正到负变化的电阻滞后特性。以累积脉冲施加时间不超过电阻滞后特性中相对于累积脉冲施加时间的增加、电阻值的变化率从正到负变化的特定累积脉冲施加时间的方式，在可变电阻元件上施加电压脉冲。