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    太阳能电池
    12.
    发明授权
    太阳能电池 有权

    公开(公告)号：CN107980180B

    公开(公告)日：2023-03-21

    申请号：CN201580082362.2

    申请日：2015-08-21

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 稗田健 ,  小林正道 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  木本贤治

    IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

    Abstract: 光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。

    光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统
    13.
    发明授权
    光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统 有权

    公开(公告)号：CN105659389B

    公开(公告)日：2018-10-19

    申请号：CN201480058683.4

    申请日：2014-10-24

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  稗田健 ,  中村淳一

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

    Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。

    光电转换元件
    14.
    发明授权
    光电转换元件 有权

    公开(公告)号：CN104685639B

    公开(公告)日：2016-11-30

    申请号：CN201380049644.3

    申请日：2013-09-19

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 原田真臣 ,  木本贤治 ,  小出直城 ,  山元良高 ,  中村京太郎

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

    Abstract: 提供一种光电转换元件，包括第一导电型的半导体基板、设置在该半导体基板的一个表面上的第一导电型的第一半导体膜、在该表面上从该第一半导体膜独立地设置的第二导电型的第二半导体膜、以及设置在该半导体基板和该第一半导体膜之间和/或该半导体基板和该第二半导体膜之间的介质膜，在该第一半导体膜上以及该第二半导体膜上形成有金属间化合物层。

    发光元件及发光器件
    17.
    发明授权
    发光元件及发光器件 有权

    公开(公告)号：CN111902957B

    公开(公告)日：2023-08-29

    申请号：CN201880091627.9

    申请日：2018-03-29

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 榊原裕介 ,  木本贤治 ,  两轮达也

    IPC: H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K59/12 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

    Abstract: 维持发光元件的发光效率。以使该发光元件的结构简单化为目的，本发明提供一种发光元件(2)，该发光元件包括阴极(4)、阳极(12)、在阴极和阳极之间的发光层(8)、在所述发光层和所述阴极之间的电子传输层(6)以及在所述发光层和所述阳极之间的空穴传输层，针对所述发光层的每一个发光波长设置多个子像素(RP，GP，BP)，针对每一个子像素设置所述发光层和所述电子传输层，针对至少多个所述子像素共通设置所述空穴传输层。

    元件以及电子设备
    18.
    发明公开
    元件以及电子设备 无效

    公开(公告)号：CN114342102A

    公开(公告)日：2022-04-12

    申请号：CN201980099941.6

    申请日：2019-09-02

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 木本贤治

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14

    Abstract: 在包括QD荧光体粒子(140)的QD层(14)的元件(1)中，位于第一电极(12)与QD层(14)之间的第一空穴传输层(13A)由第一载流子传输材料的连续膜构成。位于第一空穴传输层(13A)与QD层(14)之间的第二空穴传输层(13B)包含由第二载流子传输材料构成的纳米粒子(130)。

    元件、电子设备以及元件的制造方法
    19.
    发明公开
    元件、电子设备以及元件的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111819707A

    公开(公告)日：2020-10-23

    申请号：CN201880090893.X

    申请日：2018-03-08

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 木本贤治

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14

    Abstract: 元件(1)包括包含纳米粒子(170)的电子传输层(17)、包含QD荧光体粒子(150)的QD层(15)以及以与电子传输层(17)和QD层(15)相邻的方式被夹持的混合层(16)。混合层(16)包括QD荧光体粒子(150m)和纳米粒子(170m)。

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