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11.

发明公开
场效应晶体管及其制造方法失效

公开(公告)号：CN101901834A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010194163.X

申请日：2010-05-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 寺口信明

IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/30 , H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/2003 , H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管是具有低接触电阻且能够避免导通电阻的增大、维持高沟道迁移率的实现常闭动作的场效应晶体管。该场效应晶体管由于使AlGaN势垒层(6)的薄层部(6a)形成在第二GaN层(4)的V缺陷(13)以及与V缺陷(13)相连接的第三GaN层(5)的非生长区域(G1)上，因此无需进行蚀刻也能够使薄层部(6a)的厚度比平坦部(6b)的厚度薄。因此，不会由于蚀刻损伤使沟道迁移率下降，能够避免使导通电阻增大。

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