公开(公告)号：CN101199023A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021571.7

申请日：2006-05-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之 ,  岛冈笃志 ,  井上刚至

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/77

Abstract: 本发明提供一种矫正由因为在存储器单元阵列内的位置差异所产生的布线长度的差异而引起的施加到可变电阻元件上的有效电压的不均匀，能够抑制存储器单元间的可变电阻元件的电阻变化特性的偏差的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置(1)具有存储器单元阵列(100)，所述存储器单元阵列(100)将同一行的存储器单元与共通的字线连接，将同一列的存储器单元与共通的位线连接，构成具有可变电阻元件的存储器单元，上述半导体存储装置(1)在规定的存储器工作时，基于选择存储器单元的存储器单元阵列(100)内的配置点，调整施加到选择字线和选择位线的至少某一方的端部上的电压脉冲的电压幅值，使得施加到成为写入或消去对象的选择存储器单元的可变电阻元件上的电压脉冲的有效电压幅值与存储器单元阵列(100)内的配置点无关，收束在一定范围内。

公开(公告)号：CN1295789C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN03147814.X

申请日：2003-06-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上刚至 ,  滨口弘治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

Abstract: 本申请公开了一种具有用作存储元件的可变电阻器的存储单元，及公开了一种包括所述存储单元的存储设备。可变电阻器由具有钙钛矿结构的薄膜材料(如PCMO)或者同类材料制成。因而存储单元可以在低电压下操作且可以高度集成。存储单元MC由电流控制装置和可变电阻器结合形成。场效应晶体管、二极管或者双极性晶体管用作电流控制装置。电流控制装置与可变电阻器的电流通路串连，以便控制流过所述可变电阻器的电流。

公开(公告)号：CN1649026A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006820.2

申请日：2005-01-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上刚至 ,  森川佳直 ,  岛冈笃志 ,  玉井幸夫

IPC: G11C7/00 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C7/062 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C7/14 ,  G11C8/08

Abstract: 本发明具备列读出电压供给电路，对每一条列选择线，在读出选择时供给规定的第1电压，在读出非选择时供给与上述第1电压不同的第2电压，具备行读出电压供给电路，对每一条行选择线，在读出选择时供给第2电压，具备读出电路，在读出时，将流经被选择的行选择线的电流与流经非选择的行选择线的电流分离并进行检测，检测被选择的存储单元的电阻状态，具备列电压位移抑制电路，在读出时，对非选择的列选择线的每一条个别地抑制供给的电压电平的位移。

公开(公告)号：CN1551239A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410008008.9

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木利昌 ,  西汤二 ,  藤本正之 ,  粟屋信义 ,  井上刚至 ,  崎山惠三

IPC: G11C13/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: G11C13/0007 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: 本发明的课题是，提供在生产率方面优越的实用性高的EPIR元件。EPIR元件是在各种基板上依次层叠了下部电极层、CMR薄膜层、上部电极层的元件。作为下部电极层的Pt多晶薄膜10包含柱状的Pt晶粒10A、10B、10C、…，但它们之中的90％以上具有(111)取向。在Pt晶粒10A、10B、10C、…的各最表面上分别局部地外延生长柱状的PCMO晶粒群20A、20B、20C、…。于是，在各PCMO晶粒群20A、20B、20C、…中所包含的晶粒在垂直于基板法线方向的晶面为(100)p、(110)p、(111)p中的某1个。

公开(公告)号：CN1482682A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03147814.X

申请日：2003-06-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井上刚至 ,  滨口弘治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

Abstract: 本申请公开了一种具有用作存储元件的可变电阻器的存储单元，及公开了一种包括所述存储单元的存储设备。可变电阻器由具有钙钛矿结构的薄膜材料(如PCMO)或者同类材料制成。因而存储单元可以在低电压下操作且可以高度集成。存储单元MC由电流控制装置和可变电阻器结合形成。场效应晶体管、二极管或者双极性晶体管用作电流控制装置。电流控制装置与可变电阻器的电流通路串连，以便控制流过所述可变电阻器的电流。