公开(公告)号：CN105264650B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201480030382.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤井敬久 ,  永久哲三 ,  久保胜

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)的端(17A、17B)至比第2接触部(15a)靠外侧的漏极电极(11)的端(11A、11B)的距离(X)，比从第1接触部(20a)的端(18A、18B)至比第1接触部(20a)靠外侧的源极电极(12)的端(12A、12B)的各个距离(Y)长。

公开(公告)号：CN102192723B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201110009510.1

申请日：2011-01-18

Applicant: 夏普株式会社 ,  原相科技股份有限公司

Inventor： 山口阳史 ,  和田秀夫 ,  久保胜 ,  吕志宏

IPC: G01C3/00

CPC classification number: G01C3/085

Abstract: 本发明提供了一种光学式测距传感器，其包括：发光部，对被测定物体照射光束；光接收部，形成上述被测定物体对上述光束的反射光的光斑；以及处理电路部，对来自上述光接收部的输出信号进行处理，从而检测到上述被测定物体的距离。上述光接收部包括在第一方向和正交于该第一方向的第二方向上以矩阵状配置多个光接收单元的有效光接收部，该第一方向是当上述被测定物体在上述发光部的光轴方向上移动时上述光斑的位置所移动的方向。上述有效光接收部在上述第二方向上的尺寸为，上述光斑的半径以上并且直径以下。

公开(公告)号：CN101839709A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010120521.2

申请日：2010-02-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山口阳史 ,  久保胜

IPC: G01C3/00

CPC classification number: G01S17/48 ,  G01S7/4813

Abstract: 光学式测距传感器具有：用第1透光性树脂部分密封的红外LED；用第2透光性树脂部分密封的光接收元件；接触到所述第1、第2透光性树脂部分的遮光性树脂部分；驱动红外LED的驱动电路单元；控制光接收元件的光接收元件控制单元；以及用于控制所述驱动电路单元和光接收元件控制单元的控制单元。在该控制单元的控制下，使红外LED的驱动时间和光接收元件侧的曝光时间为同一定时，而且在不驱动红外LED的期间使光接收元件曝光与所述曝光时间相同的时间。求基于驱动红外LED时的曝光的输出和基于不驱动红外LED时的曝光的输出之间的输出差，根据该输出差进行测距。

公开(公告)号：CN1508881B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200310124615.7

申请日：2003-12-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 鞠山满 ,  久保胜

IPC: H01L29/747 ,  H03K17/78

CPC classification number: H01L31/1113 ,  H01L27/144

Abstract: 在N型硅衬底41的整个宽度上形成沟道隔离区42，在左侧部分40a和右侧部分40b中形成光控晶闸管，其中在N型硅衬底41的几乎整个宽度上平行于沟道隔离区42形成每个光控晶闸管的阳极扩散区43、P栅扩散区44、阴极扩散区45，反向平行地布线。通过沟道隔离区阻止整流过程中沟道之间残余的空穴移动，由此抑制整流失败，以提高整流性能。而且，尽管半导体芯片被沟道隔离区分开，也可以获得用于控制约0.2A的负载电流的足够大的操作电流。因此，使用这些双向光控晶闸管芯片使之可以实现具有除去主晶闸管的廉价SSR。

公开(公告)号：CN1080938C

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：CN96120192.4

申请日：1996-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福永直树 ,  久保胜

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/103

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50

Abstract: 光接收元件包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于第一导电类型半导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层；至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型半导体区域，其中，形成于第一导电类型半导体衬底的耗尽层的深度Xd与第一导电类型的半导体区域对第一导电类型半导体衬底的扩散深度Xj之间的关系设置成在施加一个反向偏压时满足Xd≥Xj。

公开(公告)号：CN1151614A

公开(公告)日：1997-06-11

申请号：CN96120192.4

申请日：1996-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福永直树 ,  久保胜

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光接收元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于第一导电类型半导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层；以及至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型半导体区域，其中第一导电类型半导体衬底的电阻率设定为在施加反向偏压时形成于第一导电类型半导体衬底的耗尽层深度Xd与第一导电类型的半导体区域的扩散深度Xj之间满足Xd≥Xj的关系。

公开(公告)号：CN107924845A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049648.5

申请日：2016-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 一条尚生 ,  久保胜 ,  福见公孝 ,  藤井敬久

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L27/095 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体器件具备：至少覆盖漏电极(19)的第二绝缘膜(22)、和使负载短路时产生于漏电极(19)与第二绝缘膜(22)之间的热应力最大的位置的热应力减少的热应力减少部。热应力减少部(19bf)是漏电极(19)的上部朝向源电极(18)延伸而成的漏极场板部(19bf)。

公开(公告)号：CN106463411A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580025928.8

申请日：2015-02-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木贵光 ,  矶部雅哉 ,  久保胜

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 场效应晶体管(GaN类HFET)包括：栅极电极一端部与栅极电极焊盘(16)的第一配线(22)；连接栅极电极(13)的另一端部与栅极电极焊盘(16)的第二配线(23)；和与第一配线(22)连接，能够调节第一配线(22)的阻抗的电阻元件(17)。(13)；栅极电极焊盘(16)；连接栅极电极(13)的

公开(公告)号：CN102853811B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201210218576.6

申请日：2012-06-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 和田秀夫 ,  山口阳史 ,  久保胜

IPC: G01C3/10

CPC classification number: G01S17/48 ,  G01C3/08 ,  G01S7/4813 ,  G02B1/041 ,  G02B7/022 ,  G02B19/0014 ,  G02B19/0085

Abstract: 一种光学式测距装置。把保持发光透镜（5）和受光透镜（6）的由金属构成的透镜框架（11）保持在由遮光性树脂构成的二次模制件（9）与三次模制件（10）之间。向形成在二次模制件（9）上表面的固定孔（9a）和形成在透镜框架（11）的通孔（11a）填充用于形成三次模制件（10）的遮光性树脂，以形成锚定（10a）。把透镜框架（11）由金属构成，由于即使周围温度变化和自身发热也几乎不热膨胀，所以几乎没有透镜之间距离变化量的差。由于利用锚定（10a）把透镜框架（11）固定在二次模制件（9）与三次模制件（10）之间，所以能够抑制在透镜框架（11）与二次模制件（9）和三次模制件（10）之间产生的由热膨胀系数差引起的滑移。

公开(公告)号：CN1109364C

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN97119246.4

申请日：1997-09-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷本贵博 ,  福永直树 ,  久保胜

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/144 ,  H01L31/02024

Abstract: 与电路集成的光接收元件，包括：I型导电半导体基底；在该基底上的II型导电的第一半导体层；把该层分成多个II型导电区的I型导电的第一半导体层；由分隔开的半导体区和下方基底区构成的光探测部分，由多个光探测部分构成一个分隔光电二极管；仅在I型导电的第一层附近和形成各个光探测部分的基底区中形成的II型导电的第二半导体层；在II型导电的第一层的表面区，包括分隔区形成的I型导电的第二半导体层，覆盖第二层的上方。