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公开(公告)号：CN101964001A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200910055196.3
申请日：2009-07-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路半导体制造技术领域，涉及一种化学机械抛光工艺的哑元填充方法。本发明将求解最小化哑元金属数目的哑元填充问题转化成一类特殊的覆盖线性规划CLP问题，然后根据CLP问题的特点，应用组合优化领域中一种完全多项式时间近似算法FPTAS来求解最小哑元填充问题。该方法既可以保证最终结果的ε最优性，又可以实现最终结果精度和计算速度的折中，解决了现有方法中存在的速度和精度不能兼顾的难题；该方法还可以在线性时间复杂度下，获得近似最少的哑元填充数目，可用于解决大规模版图哑元填充问题。
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公开(公告)号：CN1529356A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200310108054.1
申请日：2003-10-20
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种基于小波逼近和多阶压扩相结合的模拟电路行为级自动建模的方法。它根据自适应方法得到的逼近误差来自动构造压扩函数，然后对输入输出曲线压扩，最后再次采用自适应方法逼近压扩后的输入输出函数，这样可以实现对模型误差分布的连续调控，提高模型的精度，并减少建模所需的小波基个数，降低模型的复杂度。本发明可适用于任何电路结构和模块。
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公开(公告)号：CN104834772B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510198979.2
申请日：2015-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于飞机设计技术领域，具体为一种基于人工神经网络的飞机翼型/机翼反设计方法。本发明方法包括：利用翼型/机翼PARSEC参数化方法重构翼型/机翼的表达方式，通过人工神经网络（ANN）算法，实现反设计技术。本发明撇开了传统的翼型/机翼设计繁琐而低效率的枚举‑迭代方法（cut‑and‑try），直接建立翼型/机翼气动性能与翼型/机翼几何外形的关系，实现了基于人工神经网络的翼型/机翼参数化反设计。本发明特点：一是快速，十分适合于飞机的总体设计尤其是初始设计中；二是由于应用人工神经网络算法到位，使得产生的结果非常准确。
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公开(公告)号：CN103544331B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201210246285.8
申请日：2012-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体可制造性设计领域，针对铜互连哑元金属填充的技术，具体涉及一种基于CMP仿真模型的哑元综合优化方法。本发明方法通过全芯片CMP仿真得到CMP抛光后的芯片表面高度形貌，并得到高度变化剧烈的有效热点区域；在有效热点区域迭代地进行步进式哑元填充和局部区域快速CMP仿真逐步消除热点；最终通过全芯片CMP仿真确定无有效热点为止。与基于规则的哑元综合方法相比，本发明可确保哑元填充后的版图其CMP抛光后的高度偏差在给定的偏差门限内，且哑元填充量较少。实验表明，在相同填充量下，本发明所述的两种哑元填充方法SMDF和FMF得到的高度形貌均方差比密度驱动的哑元填充方法平均小约58％，具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN102136449B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010100154.X
申请日：2010-01-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/82 , G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于嵌套式准二阶随机配置法的工艺偏差下互连线寄生电容提取方法。该方法使用一阶嵌套式稀疏网格点来计算寄生电容的二阶Hermite随机多项式展开系数，利用一种误差校正技术来消除部分二次项的计算误差，从而得到工艺偏差下寄生电容的准二阶Hermite随机正交多项式模型。本发明对于包含d维随机变量的问题，使用的配置点个数为(2d+1)，远远小于非嵌套式稀疏网格随机配置法中二阶Hermite随机多项式模型的配置点个数(2d2+2d+1)，但能保持与非嵌套式稀疏网格随机配置法二阶Hermite随机多项式模型相当的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101996266B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200910194421.1
申请日：2009-08-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属集成电路领域，涉及一种建立集成电路芯片内工艺偏差的空间相关性模型的方法。采用多测试芯片最大似然估计方法，提取空间相关函数的未知参数，建立片内偏差的空间相关性模型。该方法将所有测试芯片的似然函数相乘得到一个联合似然函数，通过对联合似然函数最大化求解获得参数值确定的空间相关函数，可直接用于工艺偏差的电路分析设计。在空间相关函数提取过程中，能处理片内偏差纯随机部分和测量误差的影响，显著提高提取结果的精度。并利用LU分解计算联合似然函数中对称正定矩阵的行列式对数，解决了直接计算时会出现的数值不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN102296691A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110192075.0
申请日：2011-07-11
Applicant: 复旦大学
IPC: E03F1/00 , E03F5/00 , E03C1/12 , F16K31/122
Abstract: 本发明属于环保技术领域，具体为一种自力式真空排水系统。该真空排水系统实际上是一个污水收集系统，该系统通过与真空罐连通的管线通向四面八方，通到污水收集点，然后由真空泵组将污水抽入真空罐中；再经排污泵或空压机排入市政总管线。系统包括：污水槽、真空罐、真空泵、真空分界阀、排水泵、空压机、PC机及相应控制软件等。本发明比较传统的重力排污系统，具有施工简单、成本低廉、机动灵活、高效的特点。本发明主要用于工矿企业、机关学校、城乡住宅区等地的污水收集。也可用于真空厕所，作为粪便收集，可大量节约用水，由于是负压，无臭气弥散，特别适用于缺水的城市。本发明也可用于地铁、火车、长途汽车上的厕所。
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公开(公告)号：CN119670648A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311210731.4
申请日：2023-09-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/36 , G06F30/27 , G06N3/0475 , G06N3/094 , G06N3/044
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，涉及针对考虑工艺偏差影响下的模拟/射频电路鲁棒性设计方法，具体涉及基于循环生成对抗网络的模拟/射频电路鲁棒性设计方法。本发明利用循环生成对抗网络生成鲁棒性电路设计点，在保证设计点质量的同时减小设计的时间成本。本发明使用循环生成对抗网络学习不考虑工艺偏差下的标称设计和考虑工艺偏差的鲁棒性设计点之间的数学映射，可用于将给定的标称设计转换为其鲁棒性版本，具有高设计效率。本发明能结合其他对比方法通常难以捕捉的人类设计知识，以低计算成本准确地合成鲁棒的模拟/射频电路设计。
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公开(公告)号：CN106085070B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610537163.2
申请日：2016-07-11
Applicant: 复旦大学
IPC: C09D133/12 , C09D183/06 , C09D175/14 , C09D127/12 , C09D175/06 , C09D5/03 , C09D7/61 , C09D7/63 , C09D7/65 , C09D7/62
Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，具体为一种低表面能微纳米涂层材料及其制备方法。本发明将具有疏水特性的微纳结构复合微球、涂膜接触角大于90度的基体树脂、溶剂，粉体、助剂混合，采用共混法、原位乳液聚合法、原位溶液聚合法、原位缩合聚合法、原位加成聚合法等制备得到微纳米结构涂层材料；采用喷涂、刷涂、辊涂、光刻、蚀刻、3D打印、机械加工等方法，在0‑100℃干燥固化，将微纳米结构涂层材料涂覆在不同基材表面，获得具有沟槽结构的低表面能微纳米涂层。本发明制备工艺简单，涂层硬度高、耐水性好、对不同基材表面附着力强，可用于自清洁、减阻、降噪、防冰等功能材料。
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公开(公告)号：CN103544332A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210246483.4
申请日：2012-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体可制造性设计领域中针对铜互连哑元金属填充的技术，具体涉及一种考虑密度梯度约束的哑元综合优化求解方法。本发明方法在哑元综合过程中同时施加密度上下限约束和密度梯度约束，并且最小化哑元插入数量。本发明方法比较完整地考虑了哑元填充对化学机械抛光、光刻等工艺偏差的抑制作用。本发明方法基于覆盖线性规划、热点聚类分组及线性规划局部求解方法求解考虑梯度约束的哑元综合问题，将问题的时间复杂度降低为O(n2logn)，和已有方法相比较好地实现了计算精度和执行效率的折中，为大规模哑元综合问题的求解提供了可行方法。
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