-
公开(公告)号：CN114634152B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210183512.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种具有跨尺寸电极点的神经电极阵列及其设计方法，本发明设计方法利用多通道的连接器设计多个相同的电极阵列，每个电极阵列包含有多个不同尺寸的电极。所述制备方法采用了微纳加工中的光刻，刻蚀工艺；本发明在刻蚀工艺步骤时，将跨尺寸的范围作了划分，分别采用不同工艺参数进行刻蚀。本发明保证了电极点的刻蚀精度，防止过度刻蚀或没有完全刻蚀。
-
公开(公告)号：CN113642282B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202110943206.8
申请日：2021-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/067
Abstract: 本发明属于光遗传学技术领域，具体为一种基于微型LED阵列的光神经接口优化设计方法。本发明利用吸收层来模拟神经组织，分析光神经接口中微型LED阵列的辐照度分布，通过改变吸收层间距、LED尺寸大小和排列间隔，得到有效光刺激体积与作用范围，得到光神经接口的数学模型，为光神经接口中微型LED阵列设计提供依据；具体包括：建立LED阵列的仿真模型、设置并定义光学材料、进行光线追迹、对模拟结果进行平滑化处理，最后归纳总结得出数学模型，从而在提高光神经接口的空间分辨率和避免串扰方面提供设计指导。
-
公开(公告)号：CN113642282A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110943206.8
申请日：2021-08-17
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/067
Abstract: 本发明属于光遗传学技术领域，具体为一种基于微型LED阵列的光神经接口优化设计方法。本发明利用吸收层来模拟神经组织，分析光神经接口中微型LED阵列的辐照度分布，通过改变吸收层间距、LED尺寸大小和排列间隔，得到有效光刺激体积与作用范围，得到光神经接口的数学模型，为光神经接口中微型LED阵列设计提供依据；具体包括：建立LED阵列的仿真模型、设置并定义光学材料、进行光线追迹、对模拟结果进行平滑化处理，最后归纳总结得出数学模型，从而在提高光神经接口的空间分辨率和避免串扰方面提供设计指导。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114634151B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202210183433.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种易释放的超薄柔性神经电极阵列及其制备方法，本发明利用旋涂的聚苯乙烯磺酸钠PSS作为释放牺牲层，利用PSS的强亲水性，在释放器件时，更易于脱离衬底。其所述的释放过程不涉及强酸、强碱等有害试剂。在进行释放操作前与传统的微纳加工工艺兼容，包括兼容光刻、刻蚀、沉积等加工步骤。通过在特定区域添加释放材料，能够大幅加快超薄柔性电极的释放时间，保护柔性电极的完整性。本发明操作简便，易释放出不同尺寸的超薄柔性神经电极阵列。
-
公开(公告)号：CN114587366A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210183520.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法，本发明的硅神经电极具有特定的探针间连接弧度，特定的厚度，宽度以及长度；其通过结合无接触低应力的探针制备方法制备得到。本发明的超高深宽比的硅神经探针能更好的植入体内采集数据，并实现超高深宽比，超高密度、超大范围的跨尺度神经信号采集。
-
公开(公告)号：CN113827781B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202110984314.X
申请日：2021-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像兼容的导电薄膜合金材料及其制备方法。本发明的导电薄膜合金材料是面向植入式医疗器械、神经接口或脑机接口应用，以一种顺磁性物质和一种抗磁性物质为共溅射材料，通过磁控共溅射镀膜的微纳加工技术制备得到的薄膜合金材料。本发明利用磁控共溅射镀膜的方法，分别优化设定了顺磁性物质‑抗磁性物质的溅射电流强度、功率等参数以及特定的成膜气压来制备合金材料。从而确定了可应用于植入器械的导电薄膜合金材料的磁控溅射制备条件，使其具有较好的导电与电化学性质，并且在磁共振成像中不会造成影响观测植入部位的成像伪影，具有良好的磁共振成像兼容性。
-
公开(公告)号：CN114999732A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210183441.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种高性能PEDOT:PSS薄膜及其制备方法，其包括：设定薄膜的制备参数、设计正交实验、刮涂制备PEDOT:PSS薄膜、测量PEDOT:PSS薄膜性能、通过结果指导优化刮涂参数与后处理参数，最后制备获得高性能的PEDOT:PSS薄膜，从而提高柔性光电器件电极的性能。本发明采用正交实验的方法设计实验，基于分析各影响参数各水平的综合平均值K及极差值R，获得了在多参数相互影响的情况下的最优参数组合，其方法简单、便捷、高效，利于重复实施。
-
公开(公告)号：CN114634151A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210183433.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种易释放的超薄柔性神经电极阵列及其制备方法，本发明利用旋涂的聚苯乙烯磺酸钠PSS作为释放牺牲层，利用PSS的强亲水性，在释放器件时，更易于脱离衬底。其所述的释放过程不涉及强酸、强碱等有害试剂。在进行释放操作前与传统的微纳加工工艺兼容，包括兼容光刻、刻蚀、沉积等加工步骤。通过在特定区域添加释放材料，能够大幅加快超薄柔性电极的释放时间，保护柔性电极的完整性。本发明操作简便，易释放出不同尺寸的超薄柔性神经电极阵列。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.019 seconds)
