公开(公告)号：CN110399983B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201910306083.X

申请日：2019-04-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈品谕 ,  吴凌飞 ,  陈家佑 ,  朱雅达

IPC: G06N20/00 ,  G06T7/00

Abstract: 提供了促进图形相似度分析的技术。在一个示例中，系统包括信息部件和相似度部件。信息部件生成指示与机器学习系统相关联的第一图形结构化数据集的第一熵测量的第一信息索引。信息部件还生成指示与机器学习系统相关联的第二图形结构化数据集的第二熵测量的第二信息索引。相似度部件基于与第一信息索引和第二信息索引相关联的图形相似度计算来确定第一图形结构化数据集与第二图形结构化数据集之间的相似度。

公开(公告)号：CN111435461A

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN202010020033.8

申请日：2020-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈家佑 ,  陈品谕 ,  莊逸仁 ,  陈均富 ,  崔正旭 ,  K·高帕拉克里斯南

IPC: G06N3/063

Abstract: 本申请涉及使用降低精度的深度神经网络的对抗性输入识别。处理器接收输入数据，并将输入数据提供给包括第一神经网络模型的第一神经网络。第一神经网络模型具有第一数值精度水平。使用第一神经网络从输入数据生成第一特征向量。将输入数据提供给包括第二神经网络模型的第二神经网络。第二神经网络模型具有与第一数值精度水平不同的第二数值精度水平。使用第二神经网络从输入数据生成第二特征向量。计算第一特征向量和第二特征向量之间的差异度量。差异度量指示输入数据是否包括对抗性数据。

公开(公告)号：CN111357019A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074735.5

申请日：2018-11-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 崔正旭 ,  P·纳拉亚南 ,  陈家佑 ,  K·戈帕拉克里希南 ,  S·古普塔

IPC: G06N3/08

Abstract: 一种系统，具有存储计算机可执行组件的存储器以及执行计算机可执行组件的处理器，该系统通过利用权重矩阵的空间局部性并实现频率变换和压缩来减少与训练神经网络有关的数据大小。接收组件接收以压缩的频域权重矩阵形式的神经网络数据。分割组件将初始权重矩阵分割成原始子分量，其中相应的原始子分量具有空间权重。采样组件将广义权重分布应用于相应的原始子分量以生成相应的归一化子分量。变换组件对相应的归一化子分量应用变换。裁剪组件裁剪经变换的相应的归一化子分量的高频权重以产生低频归一化子分量的集合，以生成原始子分量的压缩表示。

公开(公告)号：CN111435461B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202010020033.8

申请日：2020-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈家佑 ,  陈品谕 ,  莊逸仁 ,  陈均富 ,  崔正旭 ,  K·高帕拉克里斯南

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/0475 ,  G06N3/094

Abstract: 本申请涉及使用降低精度的深度神经网络的对抗性输入识别。处理器接收输入数据，并将输入数据提供给包括第一神经网络模型的第一神经网络。第一神经网络模型具有第一数值精度水平。使用第一神经网络从输入数据生成第一特征向量。将输入数据提供给包括第二神经网络模型的第二神经网络。第二神经网络模型具有与第一数值精度水平不同的第二数值精度水平。使用第二神经网络从输入数据生成第二特征向量。计算第一特征向量和第二特征向量之间的差异度量。差异度量指示输入数据是否包括对抗性数据。

公开(公告)号：CN105810574B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201610004901.7

申请日：2016-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈家佑 ,  刘作光 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及金属绝缘体半导体(MIS)接触及其形成方法以及晶体管。描述了一种用于形成金属绝缘体半导体(MIS)接触的方法、包括MIS的晶体管以及MIS接触。该方法包括：蚀刻用于形成接触的开口，所述开口延伸到半导体区域的上表面。该方法同样包括以选择的深度在半导体区域的上表面内注入金属离子；并且将半导体区域的上表面转换为金属氧化物绝缘层。该方法进一步包括在绝缘层上形成金属层。

公开(公告)号：CN107251204A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680011417.5

申请日：2016-02-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 刘作光 ,  陈家佑 ,  山下典洪 ,  王苗苗

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L27/092 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了一种用于形成半导体器件的技术。在半导体层上的硬掩模层之上形成牺牲芯棒。在牺牲芯棒的侧壁上形成间隔体。移除牺牲芯棒以留下间隔体。掩模工艺留下暴露的间隔体的第一组，第二组被保护。响应于掩模工艺，第一鳍蚀刻工艺经由间隔体的第一组在半导体层中形成鳍的第一组。鳍的第一组具有垂直的侧壁轮廓。另一个掩模工艺留下暴露的间隔体的第二组，间隔体的第一组和鳍的第一组被保护。响应于其他的掩模工艺，第二鳍蚀刻工艺使用间隔体的第二组在半导体层中形成鳍的第二组。鳍的第二组具有梯形的侧壁轮廓。