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公开(公告)号：CN104051537B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410092534.1
申请日：2014-03-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7853 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/045 , H01L29/0673 , H01L29/41791 , H01L29/66439 , H01L29/66772 , H01L29/66795 , H01L29/775 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及有刻面的半导体纳米线。在半导体鳍上进行半导体材料的选择性外延以形成半导体纳米线。半导体纳米线的表面包括非水平且非垂直的刻面。可以在所述半导体纳米线之上形成栅电极，以使得有刻面的表面可以用作沟道表面。有刻面的半导体纳米线的外延沉积部分可以向沟道施加应力。此外，在有刻面的半导体纳米线上形成栅电极之前，可以添加另外的半导体材料以形成所述有刻面的半导体纳米线的外壳。半导体纳米线的有刻面的表面提供了良好限定的载荷子输运特性，该载荷子输运特性可以有利地用于提供具有受到良好控制的器件特性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN103794494B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310524587.1
申请日：2013-10-30
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/336 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及制造机电晶体管的方法。提供了使用Janus微/纳米部件的机电晶体管及其制造方法。在一个方面，一种制造机电晶体管的方法包括以下步骤。提供晶片。在所述晶片的表面上形成彼此相对的源极电极和漏极电极，其中在所述源极电极和所述漏极电极之间存在间隙。在所述晶片的所述表面上在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙的相对侧上形成第一栅极电极和第二栅极电极。将至少一个Janus部件设置在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述间隙中，其中所述Janus部件包括具有导电材料的第一部分和具有电绝缘材料的第二部分。
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公开(公告)号：CN103563057B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201280026268.1
申请日：2012-06-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: B81C1/00666 , B81C1/00952 , H01H1/0094 , H01H2001/0078
Abstract: 公开了一种制造例如MEMS或NEMS开关的机电设备的方法。该方法包括提供布置在绝缘层之上的硅层，绝缘层布置在硅衬底上；从绝缘层释放硅层的一部分，使得其至少部分地悬浮在绝缘层中的空腔之上；在至少硅层的释放部分的至少一个表面上沉积金属（例如，Pt），并且利用热工艺，利用沉积的金属完全硅化至少硅层的释放部分。该方法消除了硅化物引起的对释放Si构件的应力，因为整个Si构件都硅化了。此外，在形成完全硅化的材料之后，不使用常规的湿化学蚀刻，由此减少造成硅化物腐蚀和增加静摩擦的可能性。
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公开(公告)号：CN103348458A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007822.1
申请日：2012-02-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/44
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/66469 , H01L29/775
Abstract: 本发明提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中，提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。将至少一种元素注入到该结构中。将至少一种金属沉积到该结构上。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物，其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。
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