公开(公告)号：CN117203768A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280017918.X

申请日：2022-02-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 ,  谢瑞龙 ,  A·雷茨尼采克 ,  张婧芸

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，包括位于半导体衬底上的沟道纳米片之间的内间隔物，位于半导体结构的第一侧上的内间隔物的第一部分和位于与第一侧相对的第二侧上的内间隔物的第二部分，第一侧上的内间隔物的第一部分包括从内间隔物的第一部分的中间顶表面向外延伸的突出区域，以及与内间隔物直接接触的金属栅极堆叠，内间隔物的第一部分包括夹断金属栅极堆叠以增加第一侧上的阈值电压的突出区域。

公开(公告)号：CN115362569A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180021718.7

申请日：2021-02-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 沈添 ,  谢瑞龙 ,  K·布鲁 ,  吴恒 ,  张婧芸

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种相变材料开关，包括设置在金属衬垫上的相变层。栅极介电层设置在所述相变层上。金属栅极衬垫设置在所述栅极介电层上。

公开(公告)号：CN114649399A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111435501.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张婧芸 ,  安藤崇志 ,  李忠贤 ,  A·雷茨尼采克

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构。该半导体结构包括在衬底上的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层以及围绕纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道层的结晶化栅极电介质层、在结晶化栅极电介质的顶部上并且包围纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道材料层的偶极层、以及由围绕纳米片堆叠的第二子组的半导体沟道层的扩散的偶极材料改性的栅极电介质。一种方法，包括在衬底上形成纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层，去除纳米片堆叠的组的牺牲半导体材料层，形成围绕纳米片堆叠的半导体沟道层的栅极电介质，以及结晶化纳米片堆叠的子组的栅极电介质。