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公开(公告)号：CN114702771A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210285167.1
申请日：2022-03-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法。首先，借助界面亲和反应利用不同官能团的酰氯类小分子对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。随后，将改性后的KTN粒子加入聚偏氟乙烯(PVDF)中，制备出相应的复合薄膜。由于修饰后KTN粒子与聚合物基体的相容性加强，所得的复合薄膜介电损耗和击穿场强得到明显的改善。本发明所制备的2‑丙烯‑1‑磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑SC/PVDF)、苄磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑ATC/PVDF)、甲基丙烯酰氯改性的复合薄膜(KTN‑MAC)的介电损耗都低于与未改性KTN/PVDF薄膜。三种改性剂改性的复合薄膜在击穿场强方面均显示出明显的提升，其中掺杂体积分数为百分之3的KTN‑SC/PVDF薄膜的击穿场强提升最高，相比相同浓度未改性的KTN/PVDF薄膜提高了2.87倍。
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公开(公告)号：CN113773541A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111170486.X
申请日：2021-10-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，首先，使用3‑(2‑氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷偶联剂对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。之后通过原位聚合法制备PI基复合薄膜前驱体，并在80‑330摄氏度温度下加热，进行热亚胺化，制备出具有质量分数为百分之3‑11的KTN‑NH2/PI复合薄膜。与KTN/PI相比，KTN‑NH2/PI复合薄膜的击穿场强可达242.12千伏/毫米，是KTN/PI的1.49倍。在测试频率为1.0×105赫兹时，含质量分数为百分之3的KTN‑NH2/PI复合薄膜的损耗角正切值均低于0.007。
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公开(公告)号：CN113044874A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110259632.X
申请日：2021-03-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置铜的前驱物，并与溴的前驱物按一定比例混合，均匀搅拌；加入还原剂抗坏血酸，搅拌均匀；加入氯铂酸恒温反应；离心清洗烘干，获得样品。在CuBr纳米颗粒的制备过程中：少量的氯铂酸引入可有效抑制CuBr纳米晶的熟化，从而达到小尺寸CuBr纳米颗粒的获得；反应温度的提升可降低动力学对成核速率的影响，实现产物尺寸的均一性；随着溴化钾浓度的增加，所得CuBr颗粒尺寸逐渐降低。本发明所提供的制备方法操作简单、产量较高，所得的CuBr纳米颗粒尺寸均匀，可控制在70‑100纳米之间。
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公开(公告)号：CN108393501B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810332181.6
申请日：2018-04-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种直径可控Cu纳米线的制备方法，属于金属纳米材料合成方法的技术领域。本发明采用液相化学还原法，制备过程包括：配置前驱物氯化铜溶液；加入表面活性剂长链烷基胺100‑95摄氏度环境均匀搅拌；加入盐酸溶液降低反应环境的PH值；加入还原剂抗坏血酸恒温反应，离心清洗烘干获得样品。在Cu纳米线的生长中：盐酸溶液的加入可有效抑制还原中纳米颗粒的生成，获得高产率的Cu纳米线；长链烷基胺通过对Cu纳米晶表面的吸附，辅助其沿[100]方向生长；无毒害的抗坏血酸作为还原剂，降低环境的污染。本发明所提供的方法操作简单、绿色环保、生产成本低，所得的Cu纳米线直径可控，且不需要进一步提纯，为非贵金属的开发提供发了必要的前提。
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公开(公告)号：CN116873968B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202310664055.1
申请日：2023-06-07
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开一种鱼骨形CuBr纳米晶及其制备方法，制备包括：室温下将CuCl2溶液与盐酸溶液按比例混合；按照一定剂量比加入KBr粉末和抗坏血酸溶液；超声反应10‑20分钟；所得白色沉淀经过固液分离，清洗烘干后即为鱼骨形CuBr纳米晶。相比于其他制备方法，本发明的制备不需要加热，合成时间短，仅10‑20分钟可快速获得目标产物，整个制备不需要充入气体保护。相比于同类CuBr，本发明提供的鱼骨形CuBr抗氧化性高，存储与运动壶成本低。此外，鱼骨形结构不易团聚具，比表面积较高，有助于CuBr在光催化领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118255444A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410346512.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C02F1/70 , B01J23/72 , B01J35/51 , C02F101/34 , C02F101/38 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种利用Cu修饰C纳米球增效有机染料催化降解的方法，Cu修饰C纳米球的合成方法主要包括：利用抗坏血酸在酸性及高温条件下的分解特性，成功制备出C纳米球；我们采用NaBH4的乙醇溶液作为强还原剂，将CuCl2原位还原，并将其修饰在C纳米球表面。研究表明：由Cu界面修饰C纳米晶(C@Cu)可用于增效染料以及对硝基苯酚的催化降解。C纳米球与Cu纳米晶的协同作用可优化催化界面的吸脱附平衡，加快反应进。较之于单质C纳米球与Cu纳米晶，本发明提供的C@Cu具有更为优异的催化性能。
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公开(公告)号：CN114539576B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202210288659.6
申请日：2022-03-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用原位‑溶胶掺杂制备聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜的方法。利用正硅酸乙酯在PI前驱体中易于均匀分散的特点，提高了SiO2在PI中分散性。首先，将纳米SiO2与4,4’‑二氨基二苯醚分散于N,N’‑二甲基乙酰胺中，加入均苯四甲酸二酐和正硅酸乙酯后得到成膜液。然后，成膜液通过流延工艺加工成膜并加热处理，得到PI/SiO2复合薄膜。与未添加正硅酸乙酯所得PI/SiO2复合薄膜相比，本方法获得PI/SiO2复合薄膜的拉伸强度为114兆帕，提高了21％，击穿场强可达208千伏/毫米，提高了6％。通过本方法制备的PI/SiO2复合薄膜的耐电晕寿命可达101分钟，是纯PI的20倍。
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公开(公告)号：CN113814408A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111171249.5
申请日：2021-10-08
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种CuPd合金纳米晶的制备及其组分调控方法，合成方法主要包括：配置可溶性铜盐，加入氯化钾粉末，在高温环境下搅拌均匀后得到混合1；将氯化钯粉末溶于盐酸溶液，高温溶解后加入到混合液1中；加入抗坏血酸溶液,高温搅拌反应5‑6小时。组分调控方法为：调节反应液中盐酸与氯化钯粉末的用量控制合金中Cu与Pd的原子百分比。本方法以水为溶剂，无气体保护下进行，操作方案简单，合成中未添加有机表面活性剂。组分调控的方法将为CuPd合金纳米晶的应用提供了更广阔的空间。
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公开(公告)号：CN113500202A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110794485.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯度六边形Cu纳米晶的制备方法，主要步骤包括：配置一定浓度的硫酸铜溶液；向硫酸铜溶液加入络合剂，得到混合液；用分液漏斗以0.5毫升/分钟的速率向混合溶液中滴加还原剂；在40～45摄氏度下搅拌反应6‑8小时。本发明利用Cu纳米晶在特定反应温度下的自发熟化形成稳定的六边形结构，未添加任何表面活性剂，确保了所得六边形Cu纳米晶具有“清洁的表面”。整合制备过程在无氮气保护下即可实现，且不需实施较高的温度，操作简单。所得产物纯度高，不含氧化物等杂质。
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公开(公告)号：CN111804929A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010616026.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供一种水相制备Pt-Cu纳米片状合金的方法，属于金属纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置氯化铜溶液为铜源的前驱体，常温加入表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵搅拌至均匀，加入还原剂抗坏血酸，加入铂源氯铂酸，水热120摄氏度下发生共还原得到合金产物。研究表明，高浓度的铜源是产生纳米片状结构合金的原因。当提升铜离子浓度提升后，还原剂相对前驱物的浓度降低，反应速率减慢，成核速率受到抑制，纳米晶在十六烷基三甲基氯化铵作用下，辅助(111)晶面沿[211]方向生长，最终形成二维片状的合金纳米材料。本发明所提供的方法具绿色环保、生产成本低、制备环境较容易实现等优点。
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