公开(公告)号：CN119269392A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411371324.6

申请日：2024-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李政昊 ,  孟祥达 ,  董一宁 ,  胡程鹏 ,  田浩

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/3581 ,  G01N21/59 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用，属于太赫兹电极技术领域。为解决现有太赫兹透明电极无法兼具在太赫兹波传播方向透过率高和导电性能好的问题，本发明提供了一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极，包括基底和镍碲化合物薄膜。本发明通过设置不同镍碲面积的靶材制备得到具有不同镍碲比例的镍碲化合物薄膜，实现了对太赫兹透明电极的电导率、透过率和厚度的调节，使其太赫兹波段较高的透过率和高电导率实现平衡，所得基于镍碲化合物的太赫兹透明电极在太赫兹波段透过率高于80％，电导率大于1000S/cm，满足透明导电薄膜的合格标准。本发明制备方法要求低，适用于太赫兹透明电极的实用批量化生产。

公开(公告)号：CN104076533A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410355643.8

申请日：2014-07-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田浩 ,  周忠祥 ,  王磊 ,  孟祥达 ,  胡程鹏

IPC: G02F1/03

Abstract: 一种提高电控衍射器件性能的方法，本发明涉及提高电控衍射器件性能的方法。本发明是要解决现有的电控衍射方法的记录时间长、驱动电压高、空间电荷场小及空间电荷场受记录角度影响的技术问题。本发明的提高电控衍射器件性能的方法是在记录光栅时对电控衍射器件中的电控全息晶体两端施加直流外电场。本方法可用于小型化和集成化光学系统中。