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公开(公告)号：CN101951146A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010289165.7
申请日：2010-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 陡下降沿低功耗的等离子浸没离子注入用高压脉冲调制器及调制方法，属于脉冲功率技术领域。它解决了现采用的等离子浸没离子注入用高压脉冲调制器输出脉冲的下降沿长的问题。它采用真空电子管作为主开关调制高压脉冲，用充电IGBT串联开关控制高压脉冲电容器的充电过程，消除了充电限流电阻上的功耗；当高压脉冲关断时，下拉IGBT串联开关开通，负载电容和寄生电容中残留的电荷能够迅速流经放电限流器件和下拉IGBT串联开关释放掉，使得输出高压脉冲的下降沿大大减小。本发明用于等离子体浸没离子注入工艺中对高压脉冲的精确控制。
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公开(公告)号：CN101613857A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910072573.4
申请日：2009-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/26 , C08J7/06
Abstract: 一种高质量塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备装置及其制备方法，它涉及一种塑料瓶内壁阻隔薄膜的制备装置及其制备方法。本发明方法解决了现有技术制备的阻隔薄膜同塑料瓶内壁表面结合不牢固及阻隔性差的问题。装置由带有金属塞的绝缘接头、抽真空部件、绝缘体、上部真空罩、下部真空罩、导电进气管和偏压/高频复合等离子体电源组成。方法如下：将待处理的塑料瓶放置在真空室中；将真空室抽至真空，向塑料瓶中通入反应气体；开通高频等离子体源和直流电源，输入高频功率和直流偏压，在塑料瓶体内部产生高密度等离子体，在塑料瓶内壁制得高质量阻隔薄膜。本明方法制得的阻隔薄膜同基体结合牢固，并良好的阻隔性能。本发明方法简单，所需装置造价低。
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公开(公告)号：CN101606537A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910072350.8
申请日：2009-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiO2－AgCl复合抗菌薄膜的制备方法，它涉及一种抗菌薄膜的制备方法。本发明解决了现有制备抗菌薄膜的方法存在膜基结合力差、耐水性能差，透明度不高的问题。制备方法：一、制备SiO2溶胶；二、制备AgCl溶胶；三、制备SiO2－AgCl复合溶胶；四：制备薄膜；五、将薄膜进行不同温度、不同时间的干燥处理，即得SiO2－AgCl复合抗菌薄膜。本发明得到的SiO2－AgCl复合抗菌薄膜耐水性能好，耐磨损性能好且具有很强的抗菌能力；本发明得到薄膜的膜基结合力增强；本发明相对于将抗菌剂直接加入本体中，节约成本的同时也提高了抗菌剂的利用率，且在杀死细菌后可游离出来继续进行新的杀菌作用，具有较强的持久性。
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公开(公告)号：CN100336937C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410044176.3
申请日：2004-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提高镁合金耐蚀性的复合处理方法，它涉及一种提高镁合金耐蚀性的处理方法，特别涉及一种提高镁合金耐蚀性的等离子体浸没离子注入方法。本发明按照下述步骤进行：首先对镁合金进行化学氧化，将镁合金浸入pH值为4～5的氧化溶液中，在温度为80～90℃的条件下浸泡10～20分钟，获得镁合金氧化膜；然后采用离子注入的方法对镁合金氧化膜表面进行强化，注入参数为：注入电压20～60kV、注入剂量为(1～5)×1017ions/cm2。本发明具有如下优点：(1)工艺简单，成本低，无污染，易于实现；(2)工作温度低，工件尺寸不发生变化；(3)膜层与基体的粘接性好；(4)膜层致密性好，能提高镁合金表面的耐蚀性。
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公开(公告)号：CN1322167C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410044011.6
申请日：2004-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 复合等离子体表面处理装置。本发明涉及一种工件表面处理装置。扩散泵(2)通过管道(4)与真空室(1-2)和旋片泵(3)相连接，真空室1-2的上盖1-3与二级真空室(6-1)相连接，真空室(1-2)的侧壁上设有观察窗(1-6)，真空室(1-2)的侧壁上装有磁控溅射靶(1-4)、真空阴极弧(1-5)，真空室(1-2)内腔装有射频天线(1-7)和样品台(1-10)，样品台(1-10)与中心电极(10-1)相连接，中心电极(10-1)与真空室(1-2)的底座之间装有绝缘套(1-13)，绝缘套(1-13)与中心电极(10-1)之间装有密封件(1-14)，中心电极(10-1)上的电刷(10-2)与高压电缆(9-1)相连接。本装置通过产生多种粒子使工件表面获得较厚的膜层和膜层多样化。本装置用于工件表面复合等离子体处理上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1844449A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610010001.X
申请日：2006-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48 , C23C16/513
Abstract: 细长管筒内表面中空阴极等离子体表面处理装置及方法。现在的离子注入方法存在分布不均匀的问题。本发明所述处理装置结构为一号金属管(1)和设置在一号金属管(1)内并与其相互绝缘的二号金属管(2)，所述一号金属管(1)与地连接，二号金属管(2)与射频电极(4)连接。处理方法是，待处理细长管筒(7)与负偏压电源连接；向二号金属管(2)内注入气体并与射频电源相连，并控制处理装置在细长管筒(7)内轴向移动即可。本发明的最大的优势是：被处理的细长管筒工件内部的中空阴极射频放电几乎不受被处理管筒直径限制，这样能处理的细长管筒工件的内径可以大大减小，并且处理均匀，方法简单适用效果好，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1603466A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410044011.6
申请日：2004-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 复合等离子体表面处理装置。本发明涉及一种工件表面处理装置。扩散泵(2)通过管道(4)与真空室(1－2)和旋片泵(3)相连接，真空室1－2的上盖1－3与二级真空室(6－1)相连接，真空室(1－2)的侧壁上设有观察窗(1－6)，真空室(1－2)的侧壁上装有磁控溅射靶(1－4)、真空阴极弧(1－5)，真空室(1－2)内腔装有射频天线(1－7)和样品台(1－10)，样品台(1－10)与中心电极(10－1)相连接，中心电极(10－1)与真空室(1－2)的底座之间装有绝缘套(1－13)，绝缘套(1－13)与中心电极(10－1)之间装有密封件(1－14)，中心电极(10－1)上的电刷(10－2)与高压电缆(9－1)相连接。本装置通过产生多种粒子使工件表面获得较厚的膜层和膜层多样化。本装置用于工件表面复合等离子体处理上。
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公开(公告)号：CN116219374B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202310182329.3
申请日：2023-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置及方法，本发明为了解决管筒件内壁涂层表面光洁度差、膜基结合强度弱的问题。本发明提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置包括金属阴极弧源、磁场线圈、挡板、屏蔽罩、屏蔽挡板、阳极杆、辅助阳极、进气管、真空室、金属阴极弧直流电源、脉冲偏压电源和辅助阳极直流电源，管筒件置于真空室中。本发明采用弧增强辉光放电工艺，对管筒件内表面进行高密度等离子体刻蚀清洗及活化，也对涂层生长初期提供电子加热，可大幅度提高膜基结合强度。此外，正对金属阴极弧源的管口处加装屏蔽罩，可有效阻挡管口处外壁的成膜物质反溅射进入管内沉积，从而改善涂层表面的粗糙度及光洁度。
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公开(公告)号：CN118910606A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410973186.2
申请日：2024-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化铝陶瓷表面导电导热复合涂层的制备方法。属于材料表面工程技术领域。为了解决氧化铝陶瓷导电导热性能不佳的问题和氧化铝陶瓷表面制备金属涂层热膨胀系数不匹配的问题，本发明通过低能球磨和高压冷喷涂技术，使用氧化铝粉末和铝粉末在氧化铝陶瓷表面制备出具有优异导电导热性能的复合涂层。制备方法包括：将氧化铝粉末和铝粉末按一定比例混合后低能球磨得到混合粉末；采用高压冷喷涂技术将混合粉末喷涂在氧化铝陶瓷上形成过渡涂层；再在过渡涂层上喷涂纯铝粉末形成复合涂层。本发明制备方法具有效率高和简单易操作等优点，制得的复合涂层能赋予了氧化铝陶瓷表面良好的导电能力和导热能力，拓宽氧化铝陶瓷应用领域。
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公开(公告)号：CN118326390A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410441183.4
申请日：2024-04-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低缺陷SiCp增强铝基复合涂层的冷喷涂制备方法，本发明涉及材料表面工程技术领域，特别是一种低缺陷SiCp增强铝基复合涂层的冷喷涂制备方法。本发明是为了解决现有冷喷涂制备SiCp/Al复合涂层方法中复合涂层空隙，未结合边界及SiCp破裂回弹等现象，降低了涂层的力学性能及沉积效率等问题。方法：采用等离子喷涂和冷喷涂同步喷涂到铝合金基材。通过等离子喷涂的熔融液滴携带并传递热量软化涂层，减少SiC颗粒沉积时的破碎，弹飞，增加涂层沉积效率；熔融液滴散发热量促进复合涂层中颗粒界面元素扩散，消除未结合边界及边界形成的空隙缺陷。如此实现了低缺陷复合涂层的制备，增强了涂层中颗粒间结合。
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