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公开(公告)号：CN116079277A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310045341.X
申请日：2023-01-30
Applicant: 南京恒电电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 南京恒电先进微波技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种In‑Cu@Ag钎料预制片及其制备方法，包括纳米Cu颗粒的制备，通过在液相中还原可溶性铜盐，制备纳米Cu颗粒；纳米Cu@Ag的制备，将硝酸银溶液加入铜粉和柠檬酸三钠的分散体系中，在铜颗粒表面发生置换反应形成Cu@Ag核壳；In‑Cu@Ag钎料预制片的制备，通过加压或者加热加压的方式，将In箔或微米In颗粒与纳米Cu@Ag核壳材料制备形成钎料预制片；本发明制备的In‑Cu@Ag钎料预制片可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞；可在低温无压条件下将芯片与基板互连，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN116275028A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314041.7
申请日：2023-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于低温连接、高温服役的碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法与互连工艺，所述碳纳米球@Ag核壳材料的制备方法如下：步骤1、将中空碳纳米球分散在溶剂中，搅拌并超声处理；步骤2、加入银源，在避光条件下搅拌后，加入还原剂；步骤3、将所得溶液在室温下避光搅拌；步骤4、将所得产物进行多次洗涤、离心、再分散，随后经干燥，得到碳纳米球@Ag核壳材料。本发明的碳纳米球@Ag核壳材料具有良好的抗氧化性，通过塑性变形可以有效减少形成接头中的孔隙和孔洞；可实现“低温连接、高温服役”，通过纳米颗粒的塑性变形有效减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装。
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公开(公告)号：CN115410934A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210853994.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , H01L21/48 , H01L23/488 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备；步骤二：基板的处理；步骤三：焊膏的涂覆/印刷；步骤四：热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合，充分利用空间，降低孔隙率，能够大幅度地降低原材料的成本，在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN115194145A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210853603.0
申请日：2022-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F1/17 , C23C18/52 , B22F1/05 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种Cu@In核壳结构的微米颗粒互连材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、在室温下配制含有络合剂、铟盐和抗氧化剂的碱性镀液，在碱性镀液中，络合剂与铟盐反应生成络合In3+，以防止In3+的直接沉淀；步骤二、硼氢化钠作为还原剂将络合In3+还原成In单质，在微米Cu球上进行化学镀In；步骤三、将步骤二的废液倒掉，用无水乙醇和蒸馏水交替超声清洗镀粉，最后一遍为无水乙醇清洗，过后风冷干燥、过筛，得到Cu@In核壳结构金属粉。该方法制备得到的Cu@In核壳结构的微米颗粒互连材料提高了微米铜的抗氧化性和稳定性，在保证互连材料导电性的前提下大大降低了互连温度和互连条件。
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