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公开(公告)号：CN103273057A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310203965.6
申请日：2013-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 高速铁路用Cr2AlC增强青铜基制动闸片材料及其制备方法，它涉及一种材料及其制备方法。本发明为了解决现有的高速铁路用制动闸片材料摩擦剂硬度高且塑性很差，会造成闸片对配副材料的严重磨损的技术问题。高速铁路用Cr2AlC增强青铜基制动闸片材料由铜粉、Cr2AlC粉、铁粉、铝粉、锰粉、镍粉、二氧化硅、锡粉、石墨、氮化硼和二硫化钼制成。制备方法如下：将称取的原料干燥，然后再球磨混合，将经过混合的原料粉放入石墨模具，真空保护下升温加载，保温，即得。与现有技术相比，本发明材料具有摩擦系数稳定，磨损率低，摩擦性能稳定，对制动盘磨损小，导电导热性能好，材料成品率高，易于加工的优点。
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公开(公告)号：CN101747057B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910073098.2
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/56
Abstract: 一种Nb4AlC3陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种三元层状化合物单相陶瓷粉体的制备方法。本发明提供了一种Nb4AlC3陶瓷粉体的制备方法，以解决现有传统陶瓷粉体的制备方法能耗大、工艺复杂、成本高、生产时间长、生产效率低的问题。本发明的方法是：一、称取铌粉、铝粉和碳粉，然后球磨得混合粉末；二、将混合粉末装入石墨舟，然后放入反应器中，并充入惰性气体，点火发生自蔓延反应，冷却后经粉碎、过筛、干燥得到Nb4AlC3陶瓷粉体。本发明的方法反应速度快、合成时间短、能耗低、成本低、生产效率高，得到的Nb4AlC3陶瓷粉体纯度高。本发明得到的Nb4AlC3陶瓷粉体可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101747049B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910073097.8
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/56
Abstract: Nb4AlC3块体陶瓷的制备方法，它涉及三元层状化合物单相块体陶瓷的制备方法。本发明解决了现有Nb4AlC3块体陶瓷的制备方法合成温度高、反应时间长、工艺复杂、成本高，以及得到的Nb4AlC3块体陶瓷组织粗化的问题。本发明的方法是：一、将铌粉、铝粉和碳粉球磨混合；二、制备预制坯，然后将预制坯和模具放入燃烧合成反应器中，点火进行燃烧合成反应；三、燃烧反应结束后施压，然后埋入石英砂冷却，得Nb4AlC3块体陶瓷。本发明的方法反应速度快、合成时间短、成本低、生产效率高，得到的Nb4AlC3块体陶瓷纯度高。本发明得到的Nb4AlC3块体陶瓷可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101186295B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710144801.5
申请日：2007-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 一种制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法，它涉及了一种Ti2AlC的制备方法。本发明解决了现有制备Ti2AlC块体材料的方法存在反应温度高、反应时间长、工艺复杂以及制备出的Ti2AlC块体材料力学性能差的问题。本发明制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压、点火；三、加压，冷却；即得到Ti2AlC块体材料。本发明制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法工艺简单、反应时间短，制备出的Ti2AlC块体材料力学性能好。
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公开(公告)号：CN116040640A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310144158.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种合成MAB相陶瓷粉末的方法，涉及一种合成陶瓷粉末的方法。为了解决现有的MAB相粉体材料的制备方法存在效率低、能耗大、工艺复杂、成本高的问题。方法按照以下步骤进行：按照MAB相陶瓷的通式称取M元素粉末、A元素粉末以及硼粉为原料，将原料均匀混合得到原料粉末；将原料粉末装入石墨舟中，将石墨舟放入密闭压力容器内，通入惰性气体，最后点火使原料粉末发生自蔓延反应，得到疏松状MAB相陶瓷，冷却后依次进行粉碎、过筛、干燥。综合上述分析，本发明采用自蔓延高温合成MAB相材料的优良性能，具有生产工艺简单、时间短、耗能少、成本低等突出优点，应用前景广阔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101186296B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710144802.X
申请日：2007-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法，它涉及Ti、Si、C陶瓷块体的制备方法。本发明解决了目前制备Ti3SiC2块体材料都存在制备温度高、反应时间、特别是现有方法难以制备大尺寸材料的问题。本发明制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压、点火；三、加压、冷却；即得到Ti3SiC2块体。本发明具有工艺成本低、无需长时间高温加热、可制备直径达240mm的块体材料。
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公开(公告)号：CN101747057A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910073098.2
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/56
Abstract: 一种Nb4AlC3陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种三元层状化合物单相陶瓷粉体的制备方法。本发明提供了一种Nb4AlC3陶瓷粉体的制备方法，以解决现有传统陶瓷粉体的制备方法能耗大、工艺复杂、成本高、生产时间长、生产效率低的问题。本发明的方法是：一、称取铌粉、铝粉和碳粉，然后球磨得混合粉末；二、将混合粉末装入石墨舟，然后放入反应器中，并充入惰性气体，点火发生自蔓延反应，冷却后经粉碎、过筛、干燥得到Nb4AlC3陶瓷粉体。本发明的方法反应速度快、合成时间短、能耗低、成本低、生产效率高，得到的Nb4AlC3陶瓷粉体纯度高。本发明得到的Nb4AlC3陶瓷粉体可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101747042A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910073099.7
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56
Abstract: 一种Nb2AlC陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种三元层状化合物单相陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有传统Nb2AlC陶瓷粉体的制备方法反应时间长、能耗大、工艺复杂、成本高，以及得到的Nb2AlC陶瓷粉体组织粗化的问题。本发明的方法是：一、称取铌粉、铝粉和碳粉，然后球磨的混合粉末；二、将混合粉末装入石墨舟，然后放入反应器中，并充入惰性气体，点火发生自蔓延反应，冷却好经粉碎、过筛、干燥得到Nb2AlC陶瓷粉体。本发明的方法反应速度快、合成时间短、能耗少、成本低、生产效率高，得到的Nb2AlC陶瓷粉体纯度高。本发明得到的Nb2AlC陶瓷粉体可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101186294B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710144799.1
申请日：2007-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 一种制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法，它涉及了一种Ti2AlC块体材料的制备方法。本发明解决了现有制备Ti2AlC块体材料的方法存在反应温度高、反应时间长、工艺复杂、难以制得直径大于100mm的材料以及制备出的Ti2AlC块体材料力学性能差的问题。本发明制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压；三、点火，加压，冷却；即得到Ti2AlC块体材料。本发明制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法反应温度低，反应时间短，制备出的高纯度Ti2AlC直径为150～240mm。
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公开(公告)号：CN101186296A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710144802.X
申请日：2007-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 制备Ti3SiC2块体材料的方法，它涉及Ti、Si、C陶瓷块体的制备方法。本发明解决了目前制备Ti3SiC2块体材料都存在制备温度高、反应时间、特别是现有方法难以制备大尺寸材料的问题。本发明制备Ti3SiC2块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压、点火；三、加压、冷却；即得到Ti3SiC2块体。本发明另一种制备Ti3SiC2块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压；三、点火、加压、冷却；即得到Ti3SiC2块体材料。本发明具有工艺成本低、无需长时间高温加热、可制备直径达240mm的块体材料。
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