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公开(公告)号：CN101747057B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910073098.2
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/56
Abstract: 一种Nb4AlC3陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种三元层状化合物单相陶瓷粉体的制备方法。本发明提供了一种Nb4AlC3陶瓷粉体的制备方法，以解决现有传统陶瓷粉体的制备方法能耗大、工艺复杂、成本高、生产时间长、生产效率低的问题。本发明的方法是：一、称取铌粉、铝粉和碳粉，然后球磨得混合粉末；二、将混合粉末装入石墨舟，然后放入反应器中，并充入惰性气体，点火发生自蔓延反应，冷却后经粉碎、过筛、干燥得到Nb4AlC3陶瓷粉体。本发明的方法反应速度快、合成时间短、能耗低、成本低、生产效率高，得到的Nb4AlC3陶瓷粉体纯度高。本发明得到的Nb4AlC3陶瓷粉体可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101747049B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910073097.8
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/56
Abstract: Nb4AlC3块体陶瓷的制备方法，它涉及三元层状化合物单相块体陶瓷的制备方法。本发明解决了现有Nb4AlC3块体陶瓷的制备方法合成温度高、反应时间长、工艺复杂、成本高，以及得到的Nb4AlC3块体陶瓷组织粗化的问题。本发明的方法是：一、将铌粉、铝粉和碳粉球磨混合；二、制备预制坯，然后将预制坯和模具放入燃烧合成反应器中，点火进行燃烧合成反应；三、燃烧反应结束后施压，然后埋入石英砂冷却，得Nb4AlC3块体陶瓷。本发明的方法反应速度快、合成时间短、成本低、生产效率高，得到的Nb4AlC3块体陶瓷纯度高。本发明得到的Nb4AlC3块体陶瓷可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101186295B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710144801.5
申请日：2007-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 一种制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法，它涉及了一种Ti2AlC的制备方法。本发明解决了现有制备Ti2AlC块体材料的方法存在反应温度高、反应时间长、工艺复杂以及制备出的Ti2AlC块体材料力学性能差的问题。本发明制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压、点火；三、加压，冷却；即得到Ti2AlC块体材料。本发明制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法工艺简单、反应时间短，制备出的Ti2AlC块体材料力学性能好。
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公开(公告)号：CN101302107B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810064603.2
申请日：2008-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种压力辅助自蔓延钛铝碳块体材料及其制备方法，它涉及一种钛铝碳块体材料及其制备方法。它解决了现有钛铝碳块体材料纯度较低、制备耗时长、效率低等问题。压力辅助自蔓延钛铝碳块体材料由钛粉、铝粉和炭黑粉末制成。制备方法：将钛粉、铝粉和炭黑粉末按70.7∶20.5∶8.8的质量百分比混合；将混合物球磨；烘干、过筛；预成型为坯体；利用电阻丝引燃点火剂，进而激发坯体的自蔓延高温合成反应，燃烧进行5～10s；对自蔓延高温合成产物在150～300MPa的压力条件下，保压10～20s；将自蔓延反应的产物冷却到室温。本方法优点为反应时间短、生产效率高、产物纯度高、适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN101302107A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810064603.2
申请日：2008-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种压力辅助自蔓延钛铝碳块体材料及其制备方法，它涉及一种钛铝碳块体材料及其制备方法。它解决了现有钛铝碳块体材料纯度较低、制备耗时长、效率低等问题。压力辅助自蔓延钛铝碳块体材料由钛粉、铝粉和炭黑粉末制成。制备方法：将钛粉、铝粉和炭黑粉末按70.7∶20.5∶8.8的质量百分比混合；将混合物球磨；烘干、过筛；预成型为坯体；利用电阻丝引燃点火剂，进而激发坯体的自蔓延高温合成反应，燃烧进行5～10s；对自蔓延高温合成产物在150～300MPa的压力条件下，保压10～20s；将自蔓延反应的产物冷却到室温。本方法优点为反应时间短、生产效率高、产物纯度高、适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101747049A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910073097.8
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/65 , C04B35/56
Abstract: Nb4AlC3块体陶瓷的制备方法，它涉及三元层状化合物单相块体陶瓷的制备方法。本发明解决了现有Nb4AlC3块体陶瓷的制备方法合成温度高、反应时间长、工艺复杂、成本高，以及得到的Nb4AlC3块体陶瓷组织粗化的问题。本发明的方法是：一、将铌粉、铝粉和碳粉球磨混合；二、制备预制坯，然后将预制坯和模具放入燃烧合成反应器中，点火进行燃烧合成反应；三、燃烧反应结束后施压，然后埋入石英砂冷却，得Nb4AlC3块体陶瓷。本发明的方法反应速度快、合成时间短、成本低、生产效率高，得到的Nb4AlC3块体陶瓷纯度高。本发明得到的Nb4AlC3块体陶瓷可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101186296B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710144802.X
申请日：2007-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法，它涉及Ti、Si、C陶瓷块体的制备方法。本发明解决了目前制备Ti3SiC2块体材料都存在制备温度高、反应时间、特别是现有方法难以制备大尺寸材料的问题。本发明制备高纯度、致密的Ti3SiC2块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压、点火；三、加压、冷却；即得到Ti3SiC2块体。本发明具有工艺成本低、无需长时间高温加热、可制备直径达240mm的块体材料。
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公开(公告)号：CN101747057A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910073098.2
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/56
Abstract: 一种Nb4AlC3陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种三元层状化合物单相陶瓷粉体的制备方法。本发明提供了一种Nb4AlC3陶瓷粉体的制备方法，以解决现有传统陶瓷粉体的制备方法能耗大、工艺复杂、成本高、生产时间长、生产效率低的问题。本发明的方法是：一、称取铌粉、铝粉和碳粉，然后球磨得混合粉末；二、将混合粉末装入石墨舟，然后放入反应器中，并充入惰性气体，点火发生自蔓延反应，冷却后经粉碎、过筛、干燥得到Nb4AlC3陶瓷粉体。本发明的方法反应速度快、合成时间短、能耗低、成本低、生产效率高，得到的Nb4AlC3陶瓷粉体纯度高。本发明得到的Nb4AlC3陶瓷粉体可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101747042A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910073099.7
申请日：2009-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/56
Abstract: 一种Nb2AlC陶瓷粉体的制备方法，它涉及一种三元层状化合物单相陶瓷粉体的制备方法。本发明解决了现有传统Nb2AlC陶瓷粉体的制备方法反应时间长、能耗大、工艺复杂、成本高，以及得到的Nb2AlC陶瓷粉体组织粗化的问题。本发明的方法是：一、称取铌粉、铝粉和碳粉，然后球磨的混合粉末；二、将混合粉末装入石墨舟，然后放入反应器中，并充入惰性气体，点火发生自蔓延反应，冷却好经粉碎、过筛、干燥得到Nb2AlC陶瓷粉体。本发明的方法反应速度快、合成时间短、能耗少、成本低、生产效率高，得到的Nb2AlC陶瓷粉体纯度高。本发明得到的Nb2AlC陶瓷粉体可用于航空、航天、电子工业和核工业等行业。
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公开(公告)号：CN101186294B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710144799.1
申请日：2007-12-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/30
Abstract: 一种制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法，它涉及了一种Ti2AlC块体材料的制备方法。本发明解决了现有制备Ti2AlC块体材料的方法存在反应温度高、反应时间长、工艺复杂、难以制得直径大于100mm的材料以及制备出的Ti2AlC块体材料力学性能差的问题。本发明制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法按如下步骤进行：一、混合；二、加压；三、点火，加压，冷却；即得到Ti2AlC块体材料。本发明制备高纯度Ti2AlC块体材料的方法反应温度低，反应时间短，制备出的高纯度Ti2AlC直径为150～240mm。
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