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公开(公告)号:CN118017992A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202410153959.2
申请日:2024-02-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于空心阴极放电的等离子体开关装置,包括:等离子体模块、信号处理模块和开关;等离子体模块的输入端和输出端分别与直流电源的输出端和所述信号处理模块的输入端连接;信号处理模块的输出端与开关的触发端连接;等离子体模块用于产生脉动信号;信号处理模块用于对脉动信号进行转换处理和滤波处理。本发明通过等离子体模块和信号处理模块产生抗干扰能力强且容易调控的触发信号,基于该触发信号触发开关,可以提高被触发的开关的调控准确度。
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公开(公告)号:CN116887498A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202311022055.8
申请日:2023-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明提供一种介质阻挡放电装置及其工作方法,属于等离子体技术领域,介质阻挡放电装置包括介质管、高压电极和热敏变形结构;介质管套设在高压电极外,高压电极和介质管之间形成间隙;热敏变形结构呈喇叭状,热敏变形结构的大端与介质管靠近进气方向的一端连接,热敏变形结构的小端伸入介质管内部;当介质管内的温度升高时热敏变形结构的小端用于朝向外侧弯曲,远离高压电极。本发明提供的介质阻挡放电装置能够利用设置在介质管一端的热敏变形结构控制CO2气体的流速,进而实现温度的自调控,提高CO2气体的转化效率。
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公开(公告)号:CN102664218B
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201210171108.8
申请日:2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法,本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法:制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓;二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离;三、将二维结构半导体材料转移至基底上;四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上,沉积金层和铬层;再去掉掩膜退火处理;五、利用半导体测试仪,筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对,即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号:CN102674335A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210164314.6
申请日:2012-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法,涉及一种石墨烯薄膜的制备方法。为了解决现有化学气相沉积技术制备石墨烯存在反应温度高、成本高、产率低、耗时长、要求实验条件苛刻的问题,本发明的操作步骤如下:一、选择合适的碳源;二、处理催化基底表面;三、制备石墨烯薄膜;四、转移石墨烯至所需基底。本发明将固体碳源引入化学气相沉积法(CVD)技术制备石墨烯薄膜的过程中,以碳源为碳源,在铜基底上制备出单层均一的石墨烯薄膜。该方法改进了化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯技术,提高了制备的石墨烯薄膜的产率与质量。
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公开(公告)号:CN113480798A
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202110846180.5
申请日:2021-07-26
IPC: C08L23/08 , C08L67/04 , C08L23/06 , C08L77/10 , C08K7/06 , C08K5/00 , C08J5/24 , G02B7/182 , G02B7/183 , G02B7/198
Abstract: 本发明公开了一种光致形变支撑臂的制备以及利用其调控空间反射镜展开状态的方法,所述支撑臂为由混合光敏染料的双向形状记忆聚合物基体相和基体增强相通过层压制备而成的双向形状记忆复合材料。本发明通过物理调控和化学调控协同作用,能够实现空间反射镜处于白天区域时展开、夜晚区域时收拢,降低了太空碎片对空间反射镜等空间展开结构造成的危害,使用寿命长,并且不需要携带加热设备,容易运载;在双向形状记忆聚合物中加入光敏染料,避免了对太阳光不同波段利用低的问题,可以加快形变速度;并且具有结构简单可靠,成本低的优点。
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公开(公告)号:CN103236469A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201310139850.5
申请日:2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 碲化镓二维材料的制备方法及二维结构碲化镓柔性透明光探测器的制备方法,它涉及一种材料的制备方法及采用此材料制备光探测器的制备方法。本发明为了解决现有硅基底无法满足便携、耐磨损、可伸缩以及较高的透明度的技术问题。材料的制备:将镓与碲混合、保温,却至室温,即得。光探测器的制备:制备二维结构的碲化镓半导体,以铜制掩膜为模板利用真空镀膜机在二维结构的碲化镓半导体的表面沉积电极,得到器件,将器件退火处理即得光探测器。本发明因为采用柔性、透明的聚对苯二甲酸乙二酯为基底,所以制备的可以任意的弯曲、且透光性好,单个器件大小在几百个微米左右。本发明属于光探测器材料及制备领域。
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