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公开(公告)号：CN115242333B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202210768384.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04B17/391 , H04B17/40 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种近地空间星群电离层等离子体环境量化表征方法，所述方法包括：初始化星座参数，根据初始化的星座参数构建星座中的卫星初始化参数；根据所述卫星初始化参数，进行卫星轨道外推，得到卫星的飞行轨道参数；基于所述卫星的飞行轨道参数构建卫星星座；初始化电离层模型的参数，并结合所述卫星的飞行轨道参数进行等离子体环境量化指标计算，生成卫星的电离层等离子体环境量化表征指标；基于所述卫星的飞行轨道参数和所述卫星的电离层等离子体环境量化表征指标，对所述卫星星座中的卫星位置和卫星所处电离层等离子体环境进行仿真。本发明可同时对卫星轨道空间位置和卫星所处的电离层等离子体环境进行仿真量化表征。
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公开(公告)号：CN115169105B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210769647.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体缺陷深能级瞬态谱精确模拟方法，涉及模拟技术领域，本发明通过结合精确缺陷结构设计和模拟手段，精确定义深能级瞬态谱探测实验中观测缺陷的种类及结构，且模拟方法完全基于精确第一性原理杂化泛函获得各物理参数，并在量子力学密度泛函理论框架下构建，可准确预测DLTS缺陷表征实验结果，相比实验手段，本发明能够准确获得缺陷结构的详细信息，且成本低、效率高。
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公开(公告)号：CN115712045A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211407657.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的试验方法，方法包括：采用不同能量的氦离子分别对多个第一双极晶体管进行预辐照，获得多个预辐照后的第一双极晶体管；采用60Co‑γ射线对各个预辐照后的第一双极晶体管和第二双极晶体管进行辐照，获得第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管；确定各个第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管的电流增益倒数，确定电流增益倒数与氦离子能量之间的对应关系；根据不同能量的氦离子的入射深度和电流增益倒数与氦离子能量之间的对应关系，确定双极晶体管氧化层中不同深度处电离‑位移协同效应之间的关系。本发明实现了晶体管氧化层不同深度处电离‑位移协同效应的研究。
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公开(公告)号：CN115495903A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211144200.5
申请日：2022-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种聚合物建模仿真方法及应用，涉及高分子材料仿真技术领域，具体而言，方法包括如下步骤：步骤S1：获取单体的全原子结构模型，建立单体的粗粒化结构模型，并获取粗粒化结构模型的力场；步骤S2：利用聚合反应模型描述粗粒化结构模型的聚合反应过程，结合蒙特卡洛随机反应方法计算并调控聚合反应程度，待聚合反应结束后，进行结构松弛，得到聚合物粗粒化的交联网络模型；步骤S3：对聚合物粗粒化的交联网络模型进行反向映射，结构松弛后得到聚合物的全原子交联网络结构模型。本发明降低了仿真难度，简化了仿真过程，突破了传统的聚合物建模的局限性，实现大尺度、无定形、接近真实链构象的聚合物全原子的交联网络结构建模。
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公开(公告)号：CN115274012A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210778296.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供一种β‑Ga2O3单晶缺陷性质的计算方法，包括：构建β‑Ga2O3原胞，通过调整HSE与PBE的比例，选择禁带宽度与实验值一致的混合参数作为实验参数；对β‑Ga2O3原胞进行扩胞，得到β‑Ga2O3超胞；在β‑Ga2O3超胞中构建缺陷模型，并对缺陷模型进行结构优化，选择步骤S3中得到的实验参数对缺陷模型结构进行自洽计算；提取步骤S5中计算文件的数据，获得所述稳定的缺陷模型的缺陷形成能和电荷转移能级。本发明提供的β‑Ga2O3单晶缺陷性质的计算方法利用HSE和PBE的杂化泛函计算缺陷形成能和电荷转移能级能够避免低估β‑Ga2O3中带隙的问题，获得更接近实验数据的计算结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115242333A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210768384.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04B17/391 , H04B17/40 , G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种近地空间星群电离层等离子体环境量化表征方法，所述方法包括：初始化星座参数，根据初始化的星座参数构建星座中的卫星初始化参数；根据所述卫星初始化参数，进行卫星轨道外推，得到卫星的飞行轨道参数；基于所述卫星的飞行轨道参数构建卫星星座；初始化电离层模型的参数，并结合所述卫星的飞行轨道参数进行等离子体环境量化指标计算，生成卫星的电离层等离子体环境量化表征指标；基于所述卫星的飞行轨道参数和所述卫星的电离层等离子体环境量化表征指标，对所述卫星星座中的卫星位置和卫星所处电离层等离子体环境进行仿真。本发明可同时对卫星轨道空间位置和卫星所处的电离层等离子体环境进行仿真量化表征。
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公开(公告)号：CN115186538A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210768348.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C10/00 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供了一种跨时间尺度传递间隙缺陷信息的处理方法，涉及模拟技术领域。本发明实现了半导体器件跨时间尺度模拟过程中直观且准确地传递间隙缺陷信息，具体是通过对演化后结构中的间隙缺陷进行筛选，剔除掉与间隙原子相关的位于正确位点的原子，从而获得纯粹的间隙原子信息，将其用于后续模拟计算时，由于间隙缺陷的准确性较高，因此后续模拟的准确度也较高，从而提高整个模拟过程的准确性。
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公开(公告)号：CN115186464A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210768541.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/18 , G06F111/10 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种确定航天器薄弱区域辐射余度的方法，包括：对航天器的三维几何结构进行射线跟踪运算，获得屏蔽深度数据，以及每个空间角度区域内的剂量值和空间角大小；计算深度‑立体角占比曲线、剂量占比‑立体角占比曲线以及总剂量；将计算结果换算为剂量倍数‑立体角占比曲线以及剂量倍数‑深度曲线；将薄弱区域的立体角比例和屏蔽深度上限分别作为判据，将所述判据分别代入剂量倍数‑立体角占比曲线以及剂量倍数‑深度曲线中，获得根据薄弱区域确定的辐射余度。本发明能够对用户关心的航天器薄弱区域进行针对性分析，有助于对航天器设计提供多标准、多维度的参考，加强对薄弱部位的辐射防护，延长敏感元器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115186462A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210762601.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使单晶硅处于初始平衡状态；步骤S2：加热单晶硅至反应温度，间隔预设时间，重复在随机位置将O原子向单晶硅表面发射，至单晶硅表面发生氧化反应；待氧化反应结束并达到平衡状态后，对模型退火，得到氧化层；步骤S3：获取并评估氧化层的组织形态参数，若组织形态参数未满足预设要求，重复并优化步骤S1和步骤S2直到组织形态参数达到预设要求。本发明通过获取的工艺参数指导实际离子注入技术，实现低成本高效率的指导作用。
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公开(公告)号：CN115169208A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210768699.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种重离子辐射诱导PKA计算方法，属于空间环境效应分析技术领域。方法包括：S1、选取敏感几何体，设置模拟参数，进行模拟辐射实验；S2、调用Step函数、Track函数和Event函数，计算得到每一步结束时的粒子类型、动能、坐标信息；S3、设置PKA的原子类型和动能范围以及RecoilCutoff参数，判断每一步结束时产生的粒子类型是否是入射粒子与敏感几何体作用而产生的PKA，如是则输出PKA的动能数据；S4、对输出的动能数据进行归一化处理。本发明通过设置与器件材料对应RecoilCutoff参数进行模拟实验，并根据判断筛选出由入射粒子与基体材料作用产生的PKA信息，可以快速准确地得到重离子的PKA分布，导出合理的PKA能谱用于解释科学问题。
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