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公开(公告)号：CN107680815A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710845326.8
申请日：2017-09-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/542 , H01G9/2031
Abstract: 一种同质阻挡层/骨架二氧化钛结构的制备方法及其应用，它涉及一种光阳极的制备方法及应用。本发明的目的是要解决现有介孔材料作为敏化太阳能电池的光阳极使用时电子传输效率低，光电子在传输过程中易发生复合的问题。方法：一、制备去除杂质的导电基底；二、配制阻挡层反应液；三、制备阻挡层/基底；四、制备TiO2骨架，得到同质阻挡层/骨架TiO2结构。本发明制备的同质阻挡层/骨架二氧化钛结构作为敏化太阳能电池的光阳极应用。本发明可获得同质阻挡层/骨架二氧化钛结构。
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公开(公告)号：CN105568343B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201511018840.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26 , B01J23/745 , B01J37/02 , C02F1/72
Abstract: 利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法和应用，它涉及制备类芬顿催化剂的方法和应用。本发明的目的是要解决现有类芬顿催化剂分离回收难和基体的溶出问题。方法：一、钛合金表面前处理；二、将步骤一中得到的抛光后的钛合金置于不锈钢电解槽中的电解液中，与电源正极相连，作为阳极；不锈钢电解槽与电源负极相连接，作为阴极；三、采用方波电源供电反应，得到铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂。本发明可获得利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法。
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公开(公告)号：CN106984316A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710350154.7
申请日：2017-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J23/745 , C02F1/72 , C25C5/02 , C02F101/34
CPC classification number: B01J23/745 , C02F1/722 , C02F1/725 , C02F2101/345 , C02F2305/023 , C02F2305/026 , C25C5/02
Abstract: 一种高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金的制备方法，它属于水处理领域，具体涉及一种高效异相类芬顿催化剂的制备方法。本发明的目的是要解决现有高效异相催化剂制备复杂，活性差，比表面小，Fe离子溶出而产生铁泥造成二次污染的问题。方法：一、活化电极；二、配制电解液；三、制备枝状铜合金粉体；四、清洗，干燥。本发明制备的高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金可以在15min内完全降解苯酚，与市售铁粉相比，本发明制备的高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金的催化活性增加了20％～100％，铁溶出降低60％‑80％。本发明可获得一种高效异相类芬顿催化剂微纳枝状铁铜合金的制备方法。
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公开(公告)号：CN106345472A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610638681.3
申请日：2016-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J23/745 , C02F1/72
CPC classification number: B01J23/745 , B01J35/1076 , B01J37/348 , B01J37/349 , C02F1/722 , C02F2101/345 , C02F2305/026
Abstract: 一种制备硫改性铁基复合材料固体酸陶瓷膜层高效类芬顿催化剂的方法和应用，它涉及一种硫改性铁基复合材料固体酸高效类芬顿催化剂的制备方法和应用。本发明的目的是要解决传统的类芬顿催化剂分离回收复杂和在近中性或中性条件下催化性能差的缺点。方法：一、碳钢前处理；二、将步骤一中得到的光亮的碳钢置于不锈钢电解槽中的电解液中，作为阳极；不锈钢电解槽与电源负极相连接，作为阴极；三、采用脉冲电源供电，进行等离子体电解氧化反应，得到硫改性铁基复合材料固体酸陶瓷膜层高效类芬顿催化剂。本发明可获得一种制备硫改性铁基复合材料固体酸陶瓷膜层高效类芬顿催化剂的方法。
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公开(公告)号：CN105040070A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510586138.9
申请日：2015-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法，它涉及一种钛合金TA2表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金TA2表面的涂层存在太阳能吸收率低，自身发射率高，膜层与基体的结合力不高的问题。方法：钛合金TA2前处理；二、微弧氧化，得到钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层。本发明制备的钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的厚度为0.3μm～1μm，膜层的粗糙度为0.2μm～0.25μm，太阳吸收率为0.82～0.9，发射率为0.08～0.13。本发明可获得一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104928725A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510394058.3
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 一种高效制备枝状α-Fe吸波材料的方法，它涉及一种制备吸波材料的方法。本发明的目的是要解决现有铁粉的表面积小，利用率低和现有方法制备的纳米级铁粉的成本高，工艺复杂及危险性大的问题。方法：一、取一套反应装置；二、配置电解液；三、制备金属粉体；四、清洗干燥，得到枝状α-Fe吸波材料。本发明制备的枝状α-Fe吸波材料为枝状结构，粒径为5μm～15μm。枝状结构表面积大，有利于吸波性能提高，并且可以使吸波材料质量降低，满足质轻要求。本发明可获得一种高效制备枝状α-Fe吸波材料的方法。
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公开(公告)号：CN103151129B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310099409.9
申请日：2013-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MWCNT/Fe3O4/ZnO三元异质纳米复合物的制备方法，它涉及一种纳米复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的MWCNT/Fe3O4/ZnO纳米复合物存在ZnO不能够在Fe3O4表面包覆的缺点。方法：一、混合；二、制备MWCNT/Fe3O4一维复合材料；三、氨基化处理，得到氨基化修饰后的MWCNT/Fe3O4；四、螯合反应，即得到MWCNT/Fe3O4/ZnO三元异质纳米复合物。本发明优点：实现ZnO在Fe3O4表面包覆。本发明主要用于制备MWCNT/Fe3O4/ZnO三元异质纳米复合物。
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公开(公告)号：CN104610192A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410828653.9
申请日：2014-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07D277/66 , H01G9/20 , B01J31/16 , C07C67/08 , C07C69/14 , C07C69/18 , C07C69/704 , G01N27/48
CPC classification number: C07D277/66 , B01J31/0244 , B01J2231/49 , C07C67/08 , H01G9/2013 , C07C69/14 , C07C69/16 , C07C69/18 , C07C69/704
Abstract: 基于多金属氧酸盐离子的室温离子液体及其制备方法，它涉及一种室温离子液体及其制备方法。本发明的目的是要解决现有多金属氧酸盐离子液体种类、数量少以及室温下为非液态的问题。基于多金属氧酸盐阴离子的室温离子液体由达旦黄阳离子、多金属氧酸盐阴离子和溶剂组成，所述的达旦黄阳离子化学式为[C28H19N5O6S4]2+；所述的多金属氧酸盐阴离子化学式为[X2M18O62]4-或[XM12O40]4-；方法：一、制备含[X2M18O62]4-或[XM12O40]4-阴离子的混合有机溶液；二、制备达旦黄溶液；三、混合；四、除杂，即得到基于多金属氧酸盐阴离子的室温离子液体。本发明主要用于制备室温离子液体。
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公开(公告)号：CN103173765B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310099462.9
申请日：2013-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法，它涉及一种镁合金微弧氧化膜表面沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明要解决现有羟基磷灰石力学性能差和镁合金生物活性与耐腐蚀性能不高的问题，本发明方法为：一、制备镁合金表面微弧氧化膜层；二、制备羟基磷灰石粉体；三、制备羟基磷灰石悬浊液；将表面带有微弧氧化膜层的镁合金和羟基磷灰石粉体悬浊液置于密封反应器中，然后水热反应，再取出干燥，即完成镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明应用化工领域。
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公开(公告)号：CN103011166B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210578947.1
申请日：2012-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法，它涉及一种SiC/SiO2纳米材料的合成方法。它要解决现有SiC/SiO2纳米材料的合成方法复杂，产率低和反应随机性大的问题。合成方法：一、按摩尔百分比将硅粉、SiO2和碳纳米管粉体混合，得到混合粉体；二、将混合粉体放于管式炉或烧结炉中，在氩气氛中以1100～1500℃的温度烧结混合粉体；三、混合粉体再置于加热设备中烧结，保温去碳后得到SiC/SiO2纳米线增强体。本发明的合成方法工艺简单，产品重现性高、可控性好，产率可达80%以上。本发明主要应用于金属基复合材料增强体SiC/SiO2纳米材料的合成。
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