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公开(公告)号：CN103320838B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310216285.8
申请日：2013-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法，它涉及一种钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法。本发明是要解决现有微弧氧化方法在TC4钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法中电解液含重金属元素，成本较高，污染严重，不适用于绿色化的工业生产缺点的技术问题。本发明方法如下：一、表面处理；二、配制电解液；三、微弧氧化处理；四、冲洗、干燥即可在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。本发明主要用于在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。
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公开(公告)号：CN104005073B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410255650.0
申请日：2014-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，它涉及一种钛合金TC4表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的钛合金热控涂层存在太阳吸收率高，发射率低，成本高，对复杂形状的表面难获得均匀的涂层，工艺复杂和涂层与基体结合度弱的问题。制备方法：一、钛合金TC4前处理；二、微弧氧化。本发明制备的涂层粗糙度为4.056μm～13.66μm，涂层厚度达到68.1μm～200μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，并且在强酸性的锆酸盐体系的工艺条件下膜层的发射率大于0.96，吸收率小于0.32。本发明可获得一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法。
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公开(公告)号：CN103194780B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310111042.8
申请日：2013-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，本发明涉及钛合金表面涂层的制备方法。本发明是要解决钛合金材料太阳吸收率高，发射率低，且与基底的结合力和热稳定性差的问题。方法：一、打磨清洗钛合金；二、微弧氧化。本发明所制得的涂层外貌为白色或灰白色，均匀美观。涂层厚度达到30μm～120μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，抗热震性能好的特性，并且太阳吸收率为0.35～0.6，发射率为0.8～0.95，是性能优良的低太阳吸收率高发射率热控涂层。本发明用于制备一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104005073A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410255650.0
申请日：2014-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，它涉及一种钛合金TC4表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的钛合金热控涂层存在太阳吸收率高，发射率低，成本高，对复杂形状的表面难获得均匀的涂层，工艺复杂和涂层与基体结合度弱的问题。制备方法：一、钛合金TC4前处理；二、微弧氧化。本发明制备的涂层粗糙度为4.056μm～13.66μm，涂层厚度达到68.1μm～200μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，并且在强酸性的锆酸盐体系的工艺条件下膜层的发射率大于0.96，吸收率小于0.32。本发明可获得一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法。
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公开(公告)号：CN103173765B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310099462.9
申请日：2013-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法，它涉及一种镁合金微弧氧化膜表面沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明要解决现有羟基磷灰石力学性能差和镁合金生物活性与耐腐蚀性能不高的问题，本发明方法为：一、制备镁合金表面微弧氧化膜层；二、制备羟基磷灰石粉体；三、制备羟基磷灰石悬浊液；将表面带有微弧氧化膜层的镁合金和羟基磷灰石粉体悬浊液置于密封反应器中，然后水热反应，再取出干燥，即完成镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明应用化工领域。
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公开(公告)号：CN103320838A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310216285.8
申请日：2013-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法，它涉及一种钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法。本发明是要解决现有微弧氧化方法在TC4钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法中电解液含重金属元素，成本较高，污染严重，不适用于绿色化的工业生产缺点的技术问题。本发明方法如下：一、表面处理；二、配制电解液；三、微弧氧化处理；四、冲洗、干燥即可在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。本发明主要用于在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。
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公开(公告)号：CN103194780A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310111042.8
申请日：2013-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，本发明涉及钛合金表面涂层的制备方法。本发明是要解决钛合金材料太阳吸收率高，发射率低，且与基底的结合力和热稳定性差的问题。方法：一、打磨清洗钛合金；二、微弧氧化。本发明所制得的涂层外貌为白色或灰白色，均匀美观。涂层厚度达到30μm～120μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，抗热震性能好的特性，并且太阳吸收率为0.35～0.6，发射率为0.8～0.95，是性能优良的低太阳吸收率高发射率热控涂层。本发明用于制备一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层。
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公开(公告)号：CN103173765A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310099462.9
申请日：2013-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法，它涉及一种镁合金微弧氧化膜表面沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明要解决现有羟基磷灰石力学性能差和镁合金生物活性与耐腐蚀性能不高的问题，本发明方法为：一、制备镁合金表面微弧氧化膜层；二、制备羟基磷灰石粉体；三、制备羟基磷灰石悬浊液；将表面带有微弧氧化膜层的镁合金和羟基磷灰石粉体悬浊液置于密封反应器中，然后水热反应，再取出干燥，即完成镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明应用于化工领域。
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