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公开(公告)号：CN113584547A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110915225.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微纳米金属颗粒表面镀层的制备方法，属于表面工程领域。所述方法如下：选择并配置电镀的镀液，选择待电镀的微纳米金属颗粒，对所选择的微纳米金属颗粒去除表面氧化膜，与弱酸性的镀液混合加入到电镀槽中，在电镀槽中加入磁转子搅拌电镀液，使微纳米金属颗粒均匀分散镀液中，并且搅拌在电镀过程中不停止，打开微泵电源，使电镀液在微管中稳定循环，打开电镀电源，进行电镀，经过一定时间后电镀完成，将电镀后的镀液离心干燥，得到有良好镀层的微纳米金属颗粒。本发明可以应用于倒装芯片键合与球栅阵列封装等电子封装领域的焊球，具有电阻低、传递信号能力强、抗电迁移能力和抗蠕变能力强等优点。
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公开(公告)号：CN110961826B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201911359229.3
申请日：2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米IMC均匀增强锡基合金接头的制备方法，所述方法包括如下步骤：将锡‑金属熔液灌入喷粉机，喷熔液液滴于保护气氛中，熔滴冷却，金属从溶液中析出，在不断凝固的液滴中形成分散的纳米尺度的IMC，液滴冷却成纳米IMC均匀增强锡基粉末；将纳米IMC均匀增强锡基粉末与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合，得到纳米IMC均匀增强锡基焊膏；用常规的方法印刷或滴涂于待焊部位；加热焊接，形成接头。本发明可实现纳米颗粒在钎料合金中的均匀分布，保证纳米金属、纳米IMC与钎料合金基体的有效反应，有效提高钎料合金熔点，并获得均匀的组织、高的钎料合金强度。
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公开(公告)号：CN112103198A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010968181.2
申请日：2020-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B23K35/362 , B23K35/02
Abstract: 一种采用珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物焊膏快速制备低温连接高温服役接头的方法，本发明涉及连接材料制备领域。本发明要解决现有制备工艺生产的接头服役温度低及生产效率低的技术问题。方法：制备珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物；制备珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物焊膏；涂敷在基板上，然后放置待连接电子元器件；烧结。本发明利用了珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物的特殊结构，可以减少后续烧结时间，珊瑚状结构的末梢还保留了纳米材料的烧结驱动力，实现低温连接，具有低温连接高温服役、工艺简单、效率高、成本低的优势。本发明制备的低温连接高温服役接头用于大功率电子元器件的封装和组装互连。
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公开(公告)号：CN109545696A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811436197.8
申请日：2018-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用单相纳米银铜合金焊膏制备低温互连高温服役接头的方法，涉及微连接技术领域。包括如下步骤：步骤一：将纳米金属间化合物焊膏放置于基板上，完成待焊部件对准过程，并施加压力；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成有机物的挥发、单相纳米合金颗粒之间的均匀烧结以及与焊盘的润湿和界面反应。本发明采用了单相纳米银铜合金颗粒，纳米颗粒很大的表面活性能为其烧结过程提供了强大的驱动力，实现了远低于其块体熔点的与传统回流焊工艺兼容的低温连接，形成抗氧化能力、抗电迁移及抗电化学迁移能力强的优良接头，在成本低、与传统工艺兼容性好、生产效率高的前提下实现了低温连接高温服役。
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公开(公告)号：CN104741821A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510181770.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , B23K35/14
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏及其制备方法，所述微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏按质量比由铜锡微纳米颗粒80~90、分散剂2~8、助焊剂2~8、触变剂2~8制成，采用直接液相多元顺序可控还原方法顺序还原出微纳米铜、微纳米锡，同时实现微纳米铜锡颗粒的高度均匀化混合，将制备得到的混装铜锡微纳米颗粒与分散剂、助焊剂、触变剂等混合，通过混装分散工艺制成焊膏。本发明采用直接液相多元顺序可控还原方法制备微纳米铜颗粒，在含有铜颗粒的反应液中直接二次制备微纳米锡颗粒的方法制备微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏，具有方法简单，生产效率高，工艺适用范围广，焊膏铜锡可控，与传统封装工艺匹配的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102962466A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210499205.X
申请日：2012-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用激光制备纳米金属颗粒的方法，它涉及制备纳米金属颗粒的方法，本发明要解决现有制备纳米金属颗粒的方法中存在超细粉体污染、颗粒尺寸不易控制和纳米粒子重新团聚的问题。本发明中一种利用激光制备纳米金属颗粒的方法按以下步骤进行：一、采用溅射、蒸镀或化学气相沉积方法在透明基板表面制备一层金属薄膜；二、将附着金属薄膜的透明基板放置于惰性气体舱中，并充入惰性气体；三、启动激光器发出激光束透过惰性气体舱的上表面和透明基板照射到金属薄膜表面上进行扫描；四、金属薄膜受热蒸发变成气态纳米金属颗粒遇惰性液体后凝固成为固态纳米金属颗粒，完成制备过程。本发明可应用于纳米材料工程领域。
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公开(公告)号：CN102672296A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210181935.5
申请日：2012-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/06 , B23K1/20 , H01L21/60 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/16145 , H01L2924/01322 , H01L2924/00
Abstract: 一种多层堆叠芯片低温超声键合形成单金属间化合物焊点的方法，属于电子制造技术领域，涉及一种多层堆叠芯片的低温键合方法。为了实现叠层封装中堆叠芯片的低温高可靠互连，本发明所述方法为打孔→填充导电金属及焊盘平整化→制备钎料层→夹持对中→超声键合→成品，其中超声键合具体步骤如下：精密对准和对中后，采用超声焊接机进行超声键合。本发明适用于叠层封装中芯片厚度100μm以下的2～5层硅通孔芯片的低温键合，互连焊点厚度小于10μm。本发明采用超声键合方法，键合温度50～200℃，有效降低温度对芯片的影响；可以快速实现叠层芯片间单金属间化合物连接，提高封装可靠性。
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公开(公告)号：CN102489810A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110439730.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于钎料球激光重熔工艺的MEMS自组装方法，它涉及一种MEMS自组装方法。针对现有基于熔融钎料表面张力的MEMS自组装方法中钎料合金集成工艺复杂，MEMS器件整体加热重熔不适用于对于热、力敏感的光学MEMS器件以及电阻局部加热实现具有逻辑顺序的多次自组装工艺复杂，无法应对复杂结构的问题。方案一：通过激光对释放在MEMS芯片金属焊盘上的钎料球进行加热，使之熔化并拉动MEMS芯片的活动结构实现翻转运动；方案二：释放钎料合金球在多个焊盘连接中心，对钎料合金球进行加热重熔，依次完成第一旋转机构、第二旋转机构和第三旋转机构的自组装。本发明用于微加工制造技术。
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公开(公告)号：CN116008306B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202310097703.X
申请日：2023-02-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/956 , G01J5/48
Abstract: 一种电路板焊点缺陷红外热透视方法，属于电路板焊点质量检测技术领域，具体方案包括以下步骤：步骤一、利用红外激光分别照射标准虚焊电路板和合格电路板的局部或全部，停止照射后，红外热像仪对准红外激光照射光斑的位置拍摄红外热图；步骤二、利用红外激光照射待测电路板的局部或全部，停止照射后，红外热像仪对准红外激光照射光斑的位置拍摄待测电路板红外热图；以标准虚焊电路板上某一元器件焊点部分最高温度值作为待测电路板红外热图中的温标上限H，以合格电路板上同一个元器件焊点的最低温度值作为待测电路板红外热图中的温标下限L，即得到待测电路板上该元器件的红外热透视图，判断待测电路板上该元器件的焊点是否存在缺陷。
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公开(公告)号：CN119290992A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411541910.0
申请日：2024-10-31
IPC: G01N27/327
Abstract: 一种基于免疫亲和反应的压电传感模块和应用，属于压电传感器技术领域。具体方案如下：一种基于免疫亲和反应的压电传感模块，包括压电传感器、外加磁场发生源和若干个结合目标物的免疫磁珠，压电传感器的上表面设置有流道，若干个结合目标物的免疫磁珠位于流道内部；外加磁场发生源位于压电传感器的底部，且其作用于免疫磁珠的磁场力的方向指向压电传感器的表面。本发明通过外加磁场操纵结合目标物的免疫磁珠，使其接触压电传感器表面，利用压电传感器测量结合目标物的免疫磁珠的总质量，分析获得目标物的浓度；测量完成后撤掉外加磁场，利用液体冲刷去除压电传感器上表面接触的结合目标物的免疫磁珠，从而实现传感器的复用，器件使用成本降低。
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