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公开(公告)号:CN104106158B
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201380008274.9
申请日:2013-02-13
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M10/0418 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M2004/029 , H01M2220/20 , Y02T10/7011
Abstract: 一种双极型电极,在集电体的一面上形成有正极活性物质层,在另一面上形成有负极活性物质层而构成,其中,所述集电体与所述正极活性物质层及负极活性物质层的体积电阻比为10-3~104,并包含具有比所述正极活性物质层及负极活性物质层中的任一方的体积电阻率都低的体积电阻率的电流分布缓和层,且在所述电流分布缓和层与所述集电体之间至少含有一层体积电阻率比所述电流分布缓和层高的活性物质层。
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公开(公告)号:CN104823314A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201380060734.2
申请日:2013-11-18
IPC: H01M4/66 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M4/666 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/029
Abstract: 本发明的双极型锂离子二次电池用集电体,其电解液的溶剂阻断性优异,使用它可得到可靠性高的双极型锂离子二次电池,该双极型锂离子二次电池用集电体具有将导电赋予剂分散于聚酰亚胺树脂而成的导电性聚酰亚胺层,该聚酰亚胺树脂是将使联苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、均苯四甲酸二酐、[亚异丙基双(对亚苯氧基)]二邻苯二甲酸二酐中至少一种四羧酸二酐成分与二氨基二苯醚、苯二胺、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷中至少一种二胺成分反应而得到的聚酰胺酸酰亚胺化而成。
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公开(公告)号:CN103138017B
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201210507820.0
申请日:2012-11-30
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及电池组的控制装置,能够检测在休止期间中发生的微短路。具备包含多个单电池(C1~CN)的电池组(100),具备:调整单元,将多个单电池的电压或充电状态调整为规定的目标值;计算单元,计算将多个单电池的电压或充电状态调整为目标值为止实际需要的调整时间、实际进行调整的每个单位时间的调整次数、实际进行调整的调整容量;存储单元,其存储由计算单元计算得到的计算值;判断单元,其利用上述计算值,根据按照时间序列排列的计算值的斜率和实测值的变化量,判断因电池组内的微短路造成的异常。在休止期间前后的斜率的差在规定的范围内且休止期间前后的变化量比表示微短路的阈值大的情况下,判断为由于电池组内的微短路而发生了电池组的异常。
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公开(公告)号:CN101425600B
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN200810171274.1
申请日:2008-10-30
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供双极型二次电池、连接多个双极型二次电池而成的电池组以及安装有这些电池的车辆。可以防止层叠了的双极型电池层叠体相互之间、双极型电池层叠体与电极引板之间产生错位。在位于双极型电池层叠体(40)的层叠方向两端的集电体与电极引板(50、60)相抵接的粘接面的一部分上形成有粘接部(90),利用该粘接部固定电极引板和集电体。另外,在相邻的双极型电池层叠体(40)相抵接的粘接面的一部分上形成有粘接部(90),利用该粘接部固定位于层叠方向上下的双极型电池和双极型电池。
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公开(公告)号:CN102160227A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN200980136754.7
申请日:2009-09-25
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01M10/04 , H01M4/02 , H01M4/04 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M10/0418 , H01M4/0404 , H01M10/044 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2004/029 , Y02T10/7011 , Y10T29/49108
Abstract: 一种双极性二次电池,其包括多个双极性电极,各双极性电极均包括集电体,集电体具有在集电体的一个表面上的正极层和在集电体的相反表面上的负极层。隔膜被布置在相邻的两个双极性电极之间,使得一个双极性电极的正极层和相邻双极性电极的负极层沿着隔膜的长度彼此相对。正极层和负极层形成有凸部,凸部被布置于沿着集电体的长度彼此偏离的位置处。
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公开(公告)号:CN101836323A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200880113058.X
申请日:2008-10-20
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M10/044 , H01M2/1673 , H01M2/1686 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M2300/0085 , Y10T29/49108 , Y10T29/4911 , Y10T29/49115
Abstract: 当制造双极型电池时,首先制备双极型电极和隔离体。然后,向正极和负极中的一个电极(例如,正极)涂敷使得在该一个电极的表面上露出的量的电解质。之后,在涂敷有电解质的该一个电极的表面上配置隔离体,由此形成子组单元。之后,层叠多个子组单元,并且使涂敷至该一个电极的电解质通过隔离体渗透到另一个电极,由此形成组合单元。
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公开(公告)号:CN100508213C
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200710086928.6
申请日:2007-03-22
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L21/0273 , H01L21/32139 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/4236 , H01L29/66068
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外,在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。
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公开(公告)号:CN101369671A
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200810134668.X
申请日:2008-08-15
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 一种电池和包含该电池的电池组以及包括该电池组的车辆。公开了一种具有电力产生元件和外包装的电池。该电力产生元件包括单元电池层,单元电池层包括第一电极、第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的电解质层。在第一电极中,第一集电体设置有正极活性材料层和负极活性材料层中的一方。在第二电极中,第二集电体设置有正极活性材料层和负极活性材料层中的另一方。第一集电体和第二集电体具有如下厚度:当导体从外部穿透至少两个电池、并且经由导体在两个电池之间形成短路时,在电池的温度达到预定值之前,第一集电体和第二集电体的短路部分通过由电流产生的热熔化,从而阻止短路。
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公开(公告)号:CN101233618A
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200680028008.2
申请日:2006-08-02
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L21/0445 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 一种半导体装置,包括:第一导电类型的半导体基体;与所述半导体基体相接触的异质半导体区域;隔着栅极绝缘膜与所述异质半导体区域和所述半导体基体之间的接合部的一部分相邻的栅电极;连接至所述异质半导体区域的源电极;以及连接至所述半导体基体的漏电极。所述异质半导体区域具有与所述半导体基体的带隙不同的带隙。所述异质半导体区域包括第一异质半导体区域和第二异质半导体区域。在形成所述栅极绝缘膜之前形成所述第一异质半导体区域,在形成所述栅极绝缘膜之后形成所述第二异质半导体区域。
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公开(公告)号:CN101218681A
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200680024512.5
申请日:2006-06-26
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L21/04 , H01L29/772 , H01L29/24
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/772 , H01L29/7828
Abstract: 公开了一种半导体装置(20)的制造方法。所述半导体装置(20)包括:1)半导体衬底(1,2);2)异质半导体区域(3),其被配置为与半导体衬底(1,2)的第一主面(1A)接触,并且在带隙上与半导体衬底(1,2)不同;3)栅电极(7),其通过栅极绝缘膜(6)与异质半导体区域(3)和半导体衬底(1,2)之间的接合部(13)的一部分接触;4)源电极(8),其被配置为连接到异质半导体区域(3);以及5)漏电极(9),其被配置为与半导体衬底(1,2)进行欧姆连接。所述方法包括以下连续工序:i)形成栅极绝缘膜(6);ii)氮化所述栅极绝缘膜(6)。
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