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实用新型
半导体装置有权

公开(公告)号：CN222532106U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202420588862.X

申请日：2024-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐绍华 , 林佳儀 , 曹修豪 , 简垲旻 , 黄侦晃 , 魏安祺 , 陈嘉仁

IPC: H10D84/85 , H10D84/03

Abstract: 一种半导体装置，包括设置于鳍片上方的晶体管的第一通道区，鳍片可包括在第一方向上延伸的半导体材料。栅极结构衬垫第一通道区并在垂直于第一方向的第二方向上在隔离区上方延伸，栅极结构的第一部分向下延伸至隔离区的上表面中一凹痕中。装置亦包括嵌入鳍片中第一通道区的任一侧上的磊晶结构，磊晶结构由第一层间介电质侧向围绕。

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