公开(公告)号：CN103378157B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310042679.6

申请日：2013-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戈本·多恩伯斯 ,  克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  马提亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件沟道系统及方法。公开了用于沟道区域的系统和方法。实施例包括具有多个双层的沟道区域，该双层包含交替的互补材料，诸如，InAs层和GaSb层。互补材料的交替层为沟道区域整体提供了个体材料层可能不能提供的所需带隙特性。

公开(公告)号：CN103137696A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210181589.0

申请日：2012-06-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 克里希纳·库马尔·布瓦尔卡 ,  戈本·多恩伯斯 ,  马提亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种鳍型场效应晶体管(FinFET)包括鳍片，该鳍片包括具有第一带隙的沟道分离件，以及包括位于沟道分离件的相对侧壁上的第一部分和第二部分的沟道。沟道具有小于第一带隙的第二带隙。栅电极包括位于鳍片的相对面上的第一部分和第二部分。栅极绝缘层包括位于栅电极的第一部分和沟道的第一部分之间的第一部分，以及位于栅电极的第二部分和沟道的第二部分之间的第二部分。本发明提供了分离沟道晶体管及其形成方法。