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公开(公告)号：CN221447147U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202322981841.2
申请日：2023-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/50 , H01L23/528
Abstract: 本实用新型实施例的一种半导体结构包括第一半导体管芯、第二半导体管芯、顶部金属区域、一个或多个介电层以及一个或多个铜焊垫。所述第二半导体管芯与所述第一半导体管芯接合，使得所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯垂直布置在所述半导体结构中。所述顶部金属区域位于所述第二半导体管芯上。所述一个或多个介电层位于所述顶部金属区域上。所述一个或多个铜焊垫在所述一个或多个介电层中。
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