公开(公告)号：CN104752171B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410843592.3

申请日：2014-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02118

Abstract: 根据实施例，底部抗反射层包括将聚合物树脂的表面能改变至更接近匹配下面的材料的表面能的表面能改性基团，从而帮助在结构之间填充间隙。可以使用表面能改性基团或通过使用无机结构改变聚合物树脂的表面能。本发明还涉及间隙填充材料及方法。

公开(公告)号：CN104752171A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410843592.3

申请日：2014-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02118

Abstract: 根据实施例，底部抗反射层包括将聚合物树脂的表面能改变至更接近匹配下面的材料的表面能改性基团，从而帮助在结构之间填充间隙。可以使用表面能改性基团或通过使用无机结构改变聚合物树脂的表面能。本发明还涉及间隙填充材料及方法。