公开(公告)号：CN220856585U

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202322473998.4

申请日：2023-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  杨舜惠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 一种多栅极装置包括多个栅极结构在一半导体基板上方，其中所述多个栅极结构包含一长通道栅极结构及一短通道栅极结构。该长通道栅极结构具有一第一深度的一深沟槽，且该短通道栅极结构具有小于该第一深度的一第二深度的一浅沟槽。

公开(公告)号：CN220731538U

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202321601870.5

申请日：2023-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  杨舜惠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体装置，包括沿第一横向延伸的第一通道区且包括第一外延结构；沿第二横向延伸的介电结构且设置在该第一外延结构旁；介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一半导体区段；以及介于介电结构的第一侧壁以及第一外延结构之间的多个第一介电区段，第一介电区段与第一半导体区段交替排列，介电结构在第一横向上具有与第一侧壁相对的第二侧壁，第一侧壁与第二侧壁之间距离的最大变化百分比小于约50％。