公开(公告)号：CN222015413U

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202420095212.1

申请日：2024-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨明宪 ,  周俊豪 ,  李国政 ,  杜建男 ,  贾钧伟 ,  杜泽宇 ,  洪雅敏 ,  邱钲皓 ,  卢俊良

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露所述的影像感测器装置的像素感测器阵列可包含深沟渠隔离结构，其包含延伸至影像感测器装置的基材中的多个深沟渠隔离部分。深沟渠隔离部分的两个或多个次组合可延伸在像素感测器阵列的像素感测器的光电二极管周围，且可延伸不同的深度至基材中。不同的深度可使通过光电二极管产生的光电流被合并，并用来产生联合光电流。不同的深度可使光子在光电二极管中混合，其可使四象限光感测器合并以提升相位检测自动对焦的效能。提升的相位检测自动对焦效能可包含增加自动对焦速度、增加高动态范围、增加量子效率及/或增加满井转换。

公开(公告)号：CN222282000U

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202420943221.1

申请日：2024-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨明宪 ,  周俊豪 ,  魏嘉余 ,  李国政 ,  程仲良 ,  陈昇照

IPC: H01L27/146

Abstract: 本揭露揭示一种晶圆堆叠。晶圆堆叠包含第一晶圆元件、第二晶圆元件及第三晶圆元件的晶圆堆叠。第一晶圆元件包含前侧及背侧。晶圆堆叠亦包含具有前侧及背侧的第二晶圆元件，使得第二晶圆元件的前侧接合至第一晶圆元件的前侧。此外，晶圆堆叠包含具有前侧及背侧的第三晶圆元件，使得第三晶圆元件的前侧接合至第二晶圆元件的背侧。第一晶圆元件包含一或多个光电二极管形成于背侧上的复合金属网格阵列。