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公开(公告)号：CN103189459A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201080069874.2
申请日：2010-11-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L24/27 , C09J7/20 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/83191 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供通过胶粘剂层吸收空气中的水分降低而软化，可以抑制拾取错误的发生的粘结膜及半导体晶片加工用带。本发明的粘结膜是包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜，透湿度为10.0g/m2/day以下。此外，本发明的半导体晶片加工用带为具有：由基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层构成的粘结膜，及被设于粘结剂层上的胶粘剂层的晶片加工用带；粘结膜的透湿度为10.0g/m2/day以下。
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公开(公告)号：CN103013365A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110286708.4
申请日：2011-09-23
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及晶片加工用带，其为通过扩张将粘接剂层沿着芯片截断时所用的能够扩张的晶片加工用带，该晶片加工用带具有适于通过扩张截断粘接剂层的工序的均匀扩张性，在热收缩工序中即使不进行高温且长时间地受热也显示出充分的受热收缩性，且不会招致热收缩工序后的松弛所致的拾取不良。本发明的晶片加工用带10由基材膜11以及设于基材膜11上的粘附剂层12和设于粘附剂层12上的粘接剂层13构成，基材膜11为热传导率为0.15W/m·K以上的热塑性交联树脂。
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公开(公告)号：CN102373017A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110043057.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/83191
Abstract: 本发明提供一种晶片加工用胶带的生产性优异、可抑制拾取工序中的双芯片的发生或不能拾取半导体芯片的不良情况的发生的晶片加工用胶带。晶片加工用胶带(10)中，在将粘接膜(12)作为直角形拉裂试验片的、基于JIS K7128-3“塑料薄膜及片的拉裂强度试验方法--第3部：直角形拉裂法”所示的直角形拉裂试验片的试验方法中，将直角形拉裂试验片(100)的拉裂强度设为C、将在通过直角形拉裂试验片(100)的直角部的前端的中央线上从该直角部的前端放入了长度大致为1mm的切断部分(115)的直角形拉裂试验片(110)的拉裂强度设为D时，强度比(D/C)为0.8以下。并且，在基于JIS K7113的2号形试验片进行的延伸率的测定中，2号形试验片(120)即胶粘剂层(13)的延伸率为150％以上。
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公开(公告)号：CN102337089A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110188172.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J163/00 , C08L23/08 , H01L21/683 , H01L21/58
Abstract: 本发明提供能够充分抑制拾取时半导体芯片彼此的再粘连的晶片加工用胶带以及使用该晶片加工用胶带的半导体加工方法。本发明的晶片加工用胶带为在作为由支持基材12a和粘合剂层12b构成的粘合带的切割带12的该粘合剂层12b上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层13的作为晶片加工用胶带的切割芯片粘贴带10，该晶片加工用胶带的特征在于：支持基材12a由将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；共聚物中的(甲基)丙烯酸成分的重量份分数为1％以上且不足10％，并且离聚物树脂中的(甲基)丙烯酸的中和度为50％以上。
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公开(公告)号：CN1864248A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028647.X
申请日：2004-12-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/38 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01055 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , Y10T428/2891 , Y10T428/298 , H01L2924/00
Abstract: 一种晶片加工带，其中接合层(1)和粘性粘合层(2)设置在基体材料膜(3)表面上。该晶片加工带具有满足B＞A的区域和满足A＞B的区域，其中A是基体材料膜(3)与接合层(1)之间的分离力，B是被附着的体(4)与接合层(1)之间以及被附着的体(5)与粘性粘合层(2)之间的分离力。在拾取中，在满足B＞A的区域中接合层(1)移到芯片侧，在带的分离中，在满足A＞B的区域中粘性粘合层(2)不移到体(5)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104428928B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201380036431.7
申请日：2013-07-11
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 株式会社UACJ制箔 , 株式会社UACJ
CPC classification number: H01G11/66 , H01C7/027 , H01G11/04 , H01G11/28 , H01G11/50 , H01G11/68 , H01G11/70 , H01M4/622 , H01M4/625 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M10/052 , H01M10/4235 , Y02E60/13
Abstract: 本发明提供在用于二次电池或电容器时高倍率特性优良且发挥充分的安全功能的集电体、和使用该集电体的电极、二次电池或电容器。本发明的集电体，其具备：金属箔、和在该金属箔的表面上形成的膜厚0.1μm～10μm的导电层。在此，该导电层包含导电性材料以及粘合剂材料。另外，该粘合剂材料的熔点为80℃～150℃。另外，该粘合剂材料在从常温至200℃的示差扫描式量热测定(DSC)中，在升温过程中吸热峰具有一个以上。另外，该粘合剂材料具有二个以上吸热峰的情况下，它们中的任意一个峰间之差也为15℃以上。另外，该粘合剂材料在降温过程中具有一个以上发热峰。另外，该粘合剂材料在发热峰为一个的情况下，该发热峰在50～120℃的范围内，该发热峰的半峰宽为10℃以下。另一方面，该粘合剂材料具有二个以上发热峰的情况下，这些发热峰中最大的发热峰在50～120℃的范围内，该发热峰的半峰宽为10℃以下。
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公开(公告)号：CN104798232B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380060472.X
申请日：2013-11-18
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 株式会社UACJ制箔 , 株式会社UACJ
CPC classification number: H01M4/667 , H01C7/02 , H01G11/24 , H01G11/68 , H01G11/70 , H01M4/622 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M4/664 , H01M4/668 , H01M10/052 , H01M2200/106 , Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种集电体、以及使用所述集电体的电极、二次电池和电容，其中所述集电体在电池因外力而变形或内部压力增大时可以发挥足够的安全功能。本发明提供一种集电体，其具备金属箔、以及在所述金属箔表面上形成的导电层。所述集电体的特征是：所述集电体被直径1cm的黄铜电极所夹住，在电极间加上15N压力、并以10℃/分钟的速度从室温升温，在集电体的温度-电阻曲线上，温度T下的电阻R(T)和T-5℃下的电阻R(T-5)首次出现满足(R(T)/R(T-5))>2.0的温度之上的高温下，将首次出现满足(R(T)/R(T-5))
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公开(公告)号：CN104904050A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380060471.5
申请日：2013-11-15
Applicant: 株式会社UACJ , 株式会社UACJ制箔 , 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01G11/06 , H01C7/02 , H01G11/50 , H01G11/58 , H01G11/68 , H01G11/70 , H01M4/13 , H01M4/622 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M4/667 , H01M4/668 , H01M10/0525 , H01M2200/106 , Y02E60/13
Abstract: 本发明提供一种集电体，电极结构体，蓄电部件以及集电体用组合物，将它们使用于非水电解质电池、双电层电容、锂离子电容等蓄电部件的电极结构体时，初期(常温下)的表面电阻减少，从而使电池性能提高。本发明提供一种集电体100，具有：导电性基材103、以及在上述导电性基材103的至少一面上设置的树脂层105。并且所述树脂层是将糊涂布于导电性基材103上，上述糊含有聚烯烃系乳胶粒125、以及导电材121。另外，所述糊的单位面积重量是0.1～20g/m2。所述树脂层105气孔率是在10％(v/v)以下。
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公开(公告)号：CN104823313A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380060453.7
申请日：2013-11-15
Applicant: 株式会社UACJ , 株式会社UACJ制箔 , 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01M4/668 , H01C7/02 , H01G11/26 , H01G11/68 , H01M2/348 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M4/666 , H01M4/667 , H01M10/052 , H01M2200/106 , Y02E60/13 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种安全性高的集电体、电极结构体、蓄电部件以及集电体用组合物。在它们用于非水电解质电池、双电层电容，锂离子电容等蓄电部件的电极结构体时，表现PTC功能后即使温度继续上升，仍然可以稳定的持续维持PTC功能。本发明提供的集电体100，其具备：在导电性基材103、以及在导电性基材103的至少在一面上设置的树脂层105。并且所述树脂层105的形成方法是：将糊涂布于导电性基材103上交联，其中所述糊含有聚烯烃系乳胶粒子125、导电材121和交联剂131。另外，所述聚烯烃系乳胶粒子125含有：两末端被羧酸或羧酸酐修饰的聚烯烃系树脂129。
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公开(公告)号：CN102511077B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201080005501.9
申请日：2010-11-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J201/02
CPC classification number: C09J7/20 , C09J2201/622 , C09J2203/326
Abstract: 本发明提供一种粘合薄膜及半导体晶片加工用胶带，即使在粘合剂附着于胶粘剂层的状态下进行拾取，也可减少封装的回流焊裂痕。本发明的粘合薄膜，其特征在于，由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成，并使用于加工半导体晶片，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。此外，本发明的半导体晶片加工用胶带，具有由基材薄膜及设于该基材薄膜上的粘合剂层构成的粘合薄膜、及设于所述粘合剂层上的胶粘剂层，其中，由差热分析测得的回流焊温度时所述粘合剂层的重量减少为1.5％以下。
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