-
公开(公告)号：CN101680057A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017586.5
申请日：2008-03-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , B03C5/005 , B03C5/022 , C22C9/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01R13/03
Abstract: 本发明提供一种电气电子设备用铜合金，其含有1.5～5.0质量％的Ni、0.4～1.5质量％的Si，Ni/Si的质量比为2～7，余分包括Cu和不可避免的杂质，平均结晶粒径为2μm～20μm，并且该结晶粒径的标准偏差为10μm以下。
-
公开(公告)号：CN102105610B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980128877.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B5/02 , H01B13/00 , C22F1/00
Abstract: 一种铜合金板材，具有如下组成：包含总量为0.5～5.0mass％的Ni和Co中的任意1种或2种，并包含0.3～1.5mass％的Si，并且剩余部分由铜及不可避免的杂质组成，在利用EBSD测定的晶体取向分析中，cube取向{001} 的面积率为5～50％。
-
公开(公告)号：CN101849027B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200880114702.5
申请日：2008-11-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , B21B3/00 , B21B2003/005 , C22C9/04 , C22F1/08
Abstract: 本发明提供一种铜合金板材，拉伸强度为730～820MPa，除铜和不可避免的杂质外，至少含有Ni和Si，其中，将可以180℃粘附弯曲的材料板宽度设为W(单位：mm)、材料板厚度设为T(单位：mm)时，W和T之积为0.16以下。优选的是，含有1.8～3.3质量％的Ni、0.4～1.1质量％的Si、0.01～0.5质量％的Cr，剩余部分为由Cu和不可避免的杂质构成的合金成分。另外，也可以含有合计0.01～1质量％的Sn、Mg、Ag、Mn、Ti、Fe、P中的至少一种、0.01～10质量％的Zn、0.01～1.5质量％的Co中的一种或两种以上。
-
公开(公告)号：CN101842506B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880114305.8
申请日：2008-10-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种铜合金材料，含有Ni2.8～5.0质量％，Si0.4～1.7质量％，S的含量被限制的不足0.005质量％，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，屈服强度为800MPa以上，弯曲加工性及抗应力松弛性能优异。
-
公开(公告)号：CN102197151A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980141828.6
申请日：2009-10-22
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , C22F1/00
Abstract: 本发明涉及一种铜合金材料、对所述铜合金材料进行加工而形成的电气电子部件、以及所述铜合金材料的制造方法，所述铜合金材料具有合计含有0.4～5.0质量％的Ni和Co中的1种或者2种、含有0.1～1.5质量％的Si、剩余部分由铜以及不可避免的杂质组成的合金组成，在EBSD测量中的结晶取向分析中，从S取向{231} 的取向偏差角度落入30°以内的晶粒的面积率为60％以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102105610A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128877.6
申请日：2009-06-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B5/02 , H01B13/00 , C22F1/00
Abstract: 一种铜合金板材，具有如下组成：包含总量为0.5～5.0mass％的Ni和Co中的任意1种或2种，并包含0.3～1.5mass％的Si，并且剩余部分由铜及不可避免的杂质组成，在利用EBSD测定的晶体取向分析中，cube取向{001} 的面积率为5～50％。
-
公开(公告)号：CN102482767B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080038093.7
申请日：2010-08-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C22F1/08 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，进行溅射的面中的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的各自的X射线衍射的峰强度即I{111}、I{200}、I{220}和I{311}满足下式(1)，且晶粒的粒径为100～200μm。I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≥0.4？？？？…(1)。
-
公开(公告)号：CN102482768B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080039836.2
申请日：2010-09-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C22F1/08 , C22C9/00 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内。
-
公开(公告)号：CN101981213B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200980111781.9
申请日：2009-03-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供电气电子设备用铜合金材料及电气电子零件，电气电子设备用铜合金材料含有3.3质量％以上5.0质量％以下的Ni，且Si的含量以Ni和Si的质量比(Ni/Si)计在2.8～3.8的范围内，且含有0.01～0.2质量％的Mg、0.05～1.5％以下的Sn、0.2～1.5质量％的Zn，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，在对厚度t＝0.20mm、宽度w＝2.0mm的试验片进行了弯曲半径R＝0.1mm的90°W弯曲时，不产生裂纹；电气电子零件通过加工电气电子设备用铜合金材料而形成。
-
公开(公告)号：CN102482768A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039836.2
申请日：2010-09-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C22F1/08 , C22C9/00 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.023 seconds)
