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公开(公告)号：CN102959749B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180031467.7
申请日：2011-07-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L35/20 , C01B33/06 , C01F7/002 , C01G15/006 , C01P2002/72 , H01L35/22 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种包合化合物，本发明的一个优选实施方式的包合化合物由以下化学式表示：BaaGabAlcSid，其中7.77≤a≤8.16，7.47≤b≤15.21，0.28≤c≤6.92，30.35≤d≤32.80，且a+b+c+d=54。
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公开(公告)号：CN102482768B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201080039836.2
申请日：2010-09-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C22F1/08 , C22C9/00 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内。
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公开(公告)号：CN102482768A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039836.2
申请日：2010-09-16
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C22F1/08 , C22C9/00 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内。
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公开(公告)号：CN102959749A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180031467.7
申请日：2011-07-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01L35/20 , C01B33/06 , C01F7/002 , C01G15/006 , C01P2002/72 , H01L35/22 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种包合化合物，本发明的一个优选实施方式的包合化合物由以下化学式表示：BaaGabAlcSid，其中7.77≤a≤8.16，7.47≤b≤15.21，0.28≤c≤6.92，30.35≤d≤32.80，且a+b+c+d=54。
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