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公开(公告)号：CN119816610A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202480003616.6
申请日：2024-07-25
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: Cu‑Ag系合金线材具有含有1.00质量%以上6.00质量%以下的Ag且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的合金组成，具有包含作为母相的Cu合金相及含Ag相的第二相析出物的金属组织，拉伸强度在含有1.00质量%以上且小于1.50质量%的Ag的情况下，为950MPa以上，在含有1.50质量%以上且小于3.00质量%的Ag的情况下，为1050MPa以上，在含有3.00质量%以上且小于5.00质量%的Ag的情况下，为1200MPa以上，在含有5.00质量%以上6.00质量%以下的Ag的情况下，为1450MPa以上，在横截面中，当从表面到中心为止的直线距离设为L时，将从所述表面朝向所述中心到长度L/100为止的表面环状区域中的Ag的平均浓度c1，减去从所述中心朝向所述表面到长度99L/100为止的中心区域中的Ag的平均浓度c2所得的值(c1－c2)为1.00质量%以上3.00质量%以下。
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公开(公告)号：CN115427595A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202280003421.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 松尾亮佑
Abstract: 提供强度、电导率及拉丝性的均衡性优异的铜合金线材。铜合金线材具有含有1.0质量％以上6.0质量％以下的Ag、余量为Cu及不可避免的杂质的合金组成，针对表面的利用X射线衍射分析得到的111衍射的峰强度I(111)、200衍射的峰强度I(200)、220衍射的峰强度I(220)及311衍射的峰强度I(311)，前述峰强度I(111)、前述峰强度I(200)与前述峰强度I(311)的合计强度相对前述峰强度I(220)的峰强度比((前述峰强度I(111)+前述峰强度I(200)+前述峰强度I(311))/前述峰强度I(220))为1.20以上3.00以下。
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公开(公告)号：CN111032892A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201980003858.4
申请日：2019-02-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种铜合金线材及铜合金线材的制造方法，该铜合金线材不损害优异的导电率，并且，即使在将线材细径化的情况下，抗拉强度也优异。所述铜合金线材具有如下的合金组成：含有1.5～6.0质量％的Ag、0～1.0质量％的Mg、0～1.0质量％的Cr和0～1.0质量％的Zr，余量由Cu和不可避免的杂质组成，在观察所述铜合金线材的平行于长度方向的截面时，在240nm×360nm的长方形的观察区域内，在母相Cu中共格析出的析出物的面积比例(A)在下述式(I)的范围内：(0.393×x-0.589)％≤A≤(3.88×x-5.81)％(I)式(I)中，x表示Ag的质量％。
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公开(公告)号：CN106030918A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008779.4
申请日：2015-03-05
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 古河AS株式会社
CPC classification number: H01R43/16 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/06 , C22C21/08 , C22F1/04 , C22F1/043 , C22F1/047 , C25D5/12 , C25D5/44 , C25D7/00 , H01R13/03
Abstract: 本发明提供一种强度、耐热性和成形加工性优异，在初期和耐久试验后表现出低接触电阻的端子及其制造方法。本发明的端子由金属构件(1、1')形成，该金属构件(1、1')包括基材(2)和形成于基材(2)上的局部或全部的金属包覆层(3)。基材(2)的组成中合计含有0.005质量％～3.000质量％的选自Mg、Si、Cu、Zn、Mn、Ni、Cr和Zr中的至少1种以上的元素，余量由Al和不可避免的杂质构成，并且，具有500个/μm2以上的平均粒径为10nm～100nm的析出物。金属包覆层(3)由Sn或以Sn为主成分的合金形成。
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公开(公告)号：CN102112640B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980130452.9
申请日：2009-07-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , C22F1/00
Abstract: 一种电气电子部件用铜合金材料，其作为添加元素含有Co和Si，其中，分散有由Co和Si组成的平均粒子直径为5nm以上且不足50nm的化合物A，并且分散有选自由化合物B、化合物C、以及化合物D组成的组的至少一种化合物，所述化合物B为不含有Co和Si中的一个或者两者的平均粒子直径为50nm以上且500nm以下的化合物，所述化合物C为含有Co、Si以及其它元素的平均粒子直径为50nm以上且500nm以下的化合物，所述化合物D为由Co和Si组成的平均粒子直径为50nm以上且500nm以下的化合物，另外母材的铜合金的结晶粒径为3～35μm，并且导电率为50％IACS以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102112639A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130311.7
申请日：2009-07-30
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B13/00 , C22F1/00
Abstract: 一种用于电气电子部件的铜合金材料，其具有以下组成：含有0.5～2.0质量％的Co(钴)、0.1～0.5质量％的Si(硅元素)，剩余部分由Cu(铜)和不可避免的杂质组成；其中，母材的铜合金的结晶粒径为3～35μm，由Co和Si组成的析出物的粒子直径为5～50nm，所述析出物的密度为1×108～1×1010个/mm2，并且作为铜合金材料的抗拉强度为550MPa以上，导电率为50％IACS以上。
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公开(公告)号：CN108496228B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780002679.X
申请日：2017-07-18
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 古河AS株式会社
IPC: H01B7/08
Abstract: 本发明提供一种扁平电缆，其与现有技术相比能够维持同等的导电性，并具有良好的弯折性，同时能够抑制压曲的发生，并能够进一步提高弯曲特性。扁平电缆包括：所需数量的导体、以夹入所述所需数量的导体的方式配置的一对绝缘膜以及设置于所述一对绝缘膜之间的粘接剂层，其中，当所述导体的弯曲半径在4mm～8mm的范围内，并且将弯曲半径设定为X(单位：mm)，将0.2％屈服强度设定为Y(单位：MPa)，将厚度设定为t(单位：mm)，将杨氏模量设定为E(单位：MPa)时，满足Y≥1.2×t×E/(2X－t)，且电导率为50％IACS以上。
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公开(公告)号：CN107429324B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201680012827.1
申请日：2016-03-23
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 古河AS株式会社
IPC: C22C9/02 , B21B1/40 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供能够以较小的弯曲半径实现优异的耐弯曲性的扁平轧制铜箔及其制造方法。本发明的扁平轧制铜箔1是由0.2％屈服强度为250MPa以上的铜或铜合金制成的扁平轧制铜箔，在与轧制方向垂直的截面(RD面3)中，以相对于立方取向的偏离角度为12.5°以内的方式取向的晶粒的面积率为8％以上。
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公开(公告)号：CN107429324A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680012827.1
申请日：2016-03-23
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 古河AS株式会社
IPC: C22C9/02 , B21B1/40 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供能够以较小的弯曲半径实现优异的耐弯曲性的扁平轧制铜箔及其制造方法。本发明的扁平轧制铜箔1是由0.2％屈服强度为250MPa以上的铜或铜合金制成的扁平轧制铜箔，在与轧制方向垂直的截面(RD面3)中，以相对于立方取向的偏离角度为12.5°以内的方式取向的晶粒的面积率为8％以上。
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公开(公告)号：CN106029929A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010014.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 古河AS株式会社
IPC: C22F1/08 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/10 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B7/00 , H01B7/08 , H01B13/00 , C22F1/00
CPC classification number: H01B7/08 , B21C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01B1/026 , H01B3/421 , H01B7/04 , H01B13/0003 , H01B13/0016 , H01B13/06
Abstract: 本发明提供一种轧制铜箔及其制造方法，即使在制造窄幅的铜箔的情况下，也能够使抗弯曲性优异，并能够实现加工容易性和低成本化。本实施方式的轧制铜箔(1)通过对由铜或铜合金形成的圆线材进行轧制而获得，在所述轧制铜箔的轧制面中，以自Cube方位偏移的角度为13°以内的方式取向的晶粒具有6％以上的面积率。
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