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公开(公告)号：CN105118804A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510631195.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76251
Abstract: 超薄硅薄膜钝化制备绝缘体上锗的方法，涉及一种GeOI的制备方法。1)将Ge片清洗，在Ge片上生长超薄硅钝化层，即得Si/Ge晶片；2)将Si片清洗，采用干氧氧化，在Si片上生长SiO2层，即得SiO2/Si晶片；3)将步骤1)得到的Si/Ge晶片和步骤2)得到的SiO2/Si晶片清洗后，进行氧等离子体处理，超薄硅钝化层被氧化、活化，得到SiO2/Ge，同时得到活化的SiO2/Si晶片；4)将步骤3)处理后的SiO2/Ge和SiO2/Si晶片用氨水浸泡，吹干后贴合，再升温加压处理，得键合片；5)将步骤4)得到的键合片进行湿法腐蚀，将Ge层减薄后抛光，得到表面平整的绝缘体上锗。
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公开(公告)号：CN103413787A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310383280.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247
Abstract: 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层；在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点；以Au量子点为掩膜版，采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构；采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层，最后蒸镀金属上电极和下电极，获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
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公开(公告)号：CN118360671A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410575524.7
申请日：2024-05-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种低成本高p型自掺杂GeIn单晶薄膜的制备方法，采用磁控溅射法先在Ge衬底上外延不同薄膜材料如Ge、GeSn或GePb缓冲层，其次降低衬底温度，在此基础上低温(210℃～250℃)外延生长一层GeIn单晶薄膜，最终实现低成本高质量和高p型掺杂的GeIn薄膜制备。
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公开(公告)号：CN114464691A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210119652.1
申请日：2022-02-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0312 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/20 , C23C14/16 , C23C14/18 , C23C14/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种GeSn纳米晶材料及其制备方法与应用，所述GeSn纳米晶材料为GeSn纳米晶嵌于非晶GeSn中，Sn组分的摩尔含量为7.5％～41.6％；所述GeSn纳米晶材料的制备方法，包括以下步骤：1)对衬底进行清洗；2)在清洗后的衬底上，用物理沉积的方法生长局部存在较高Sn组分的非晶GeSn薄膜，以在GeSn薄膜中引入Sn和Ge的浓度梯度；3)对步骤2)的样品进行退火得到非晶GeSn中的高Sn组分GeSn纳米晶。本发明与传统CMOS工艺相兼容，制备得到的GeSn纳米晶的Sn组分高于Sn在Ge中的平衡固溶度并且可通过退火温度调控。
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公开(公告)号：CN111785953B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010649746.0
申请日：2020-07-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , B82Y40/00
Abstract: 一种锂离子电池硅负极材料的改性方法，涉及新能源材料设计开发。以p型硅(100)片作为衬底，采用电化学微加工工艺进行电化学腐蚀，首先将衬底表面腐蚀为圆形孔，并逐渐增大，最后挤压成方形，腐蚀液和孔壁的界面处形成耗尽层；在电场的作用下，空穴载流子从衬底沿纵向孔壁迁移到孔壁与腐蚀液界面参与反应，反应过程中孔壁逐渐变薄；当相邻两个孔之间的壁厚接近耗尽层厚度时电化学反应自动停止，得到硅纳米带，硅纳米带的表面晶向为(110)，硅纳米带嵌锂后只沿着 晶向膨胀，硅纳米带脱锂后具有重结晶的特殊行为，具有高离子导，高稳定界面SEI，高稳定材料结构，能在保持硅负极电池高比容量条件下实现高功率、长寿命循环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108447819B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810347003.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a‑Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。
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公开(公告)号：CN108666425B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810510458.X
申请日：2018-05-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法，对n型Si片预处理，再进行金属辅助腐蚀处理，在n型Si片表面腐蚀出纳米线阵列；将处理后的n型Si片泡入甲醛溶液中浸泡，在Si纳米线表面引入Methacrylate基团；在处理后的Si纳米线表面滴涂液态单体，利用真空负压将单体灌入Si纳米线阵列中，并加热固化；将处理后的Si基片放入KOH溶液中浸泡；在处理后的Si基片与薄膜间施加一个切向力；对处理后获得的嵌套Si纳米线的聚合物薄膜进行等离子刻蚀；在处理后的薄膜一面旋涂上PEDOT:PSS，薄膜另一面蒸镀上铝作为背电极，最后利用掩膜版在PEDOT:PSS表面蒸镀上银栅电极，作表面电极。
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公开(公告)号：CN108447819A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810347003.0
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/762 , C23C14/35 , C23C14/16
Abstract: 一种无界面气泡绝缘层上锗键合方法，1)将Ge片、SiO2/Si片分别超声清洗；2)超声清洗后的SiO2/Si片用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸后冲洗，再用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗，用HCl、H2O2和H2O的混合溶液煮沸后冲洗；3)超声清洗后的Ge片用盐酸溶液浸泡，漂洗；4)重复步骤3)5次，然后将处理后Ge片放入氢氟酸溶液中浸泡，冲洗，甩干后溅射生长一层a-Si过渡层；5)将步骤2)冲洗后的SiO2/Si片与步骤4)溅射后的Ge片置于氨水溶液中处理，甩干后贴合得Ge/SiO2/Si贴合片；6)Ge/SiO2/Si贴合片放入晶片键合机中热压键合。方法简易，成本低。
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公开(公告)号：CN103441062B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310405028.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN103928562B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201410183675.4
申请日：2014-05-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。
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