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公开(公告)号：CN115293455A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211043486.8
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及半导体制备参数的优化方法、装置及电子设备，该方法包括获取目标半导体的多组制备参数，所述制备参数包括多个参数；将所述制备参数输入至目标性能预测模型中，确定所述制备参数对应的预测性能，所述目标性能预测模型是基于源域性能预测模型确定的，所述源域性能预测模型是基于源域半导体的第一样本数据训练得到的；对比各个所述预测性能，在所述多组制备参数中确定所述目标半导体的目标制备参数。利用源域性能预测模型确定出目标性能预测模型，并结合目标性能预测模型对多组制备参数进行筛选得到目标制备参数，从而实现基于网络模型的方式进行制备参数的确定，保证了制备参数的可靠性。
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公开(公告)号：CN115249725A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202211043484.9
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
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公开(公告)号：CN113988389A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111203505.4
申请日：2021-10-15
Abstract: 本发明涉及半导体电子器件技术领域，提供一种LED结构性能的预测方法，主要是通过对LED结构的输入特征参数及输出特征参数进行收集、提取，并建立相应的数据集；依据已知的准则对数据集中的数据进行预处理；利用机器学习算法搭建模型，并对此模型进行结构参数设定及初始化训练；运用经预处理后的前述数据集对经结构参数初始化训练后的模型进行训练优化，进而得到预测模型；将待预测的LED结构的输入特征参数的测试数据输入该预测模型，进而获得该待预测的LED结构的输出特征参数的预测值。藉此，可以对LED结构的性能进行快速预测，预测时间快且预测精度高。
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公开(公告)号：CN119789640A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411975840.X
申请日：2024-12-30
IPC: H10H20/84 , H10H20/81 , H10H20/819 , H10H20/01
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造领域。具体涉及一种微型发光二极管器件及其制造方法。微型发光二极管器件包括：衬底基板；位于衬底基板上的N型GaN层；N型GaN层表面划分有P型电极区和N型电极区；位于N型GaN层上的发光层；位于发光层上的P型GaN层；绝缘隔离槽，位于P型电极区和N型电极区之间，将发光层和P型GaN层位于P型电极区的部分和位于N型电极区的部分隔离；绝缘间隔层；绝缘间隔层包覆发光层和P型GaN层；其中，绝缘间隔层位于P型电极区的部分与位于N型电极区的部分高度相等。本发明的微型发光二极管器件可有效解决从制造基板转移至驱动基板的过程中，转移后的器件容易发生破裂损坏，良率不理想的问题。
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公开(公告)号：CN117790486A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311824530.3
申请日：2023-12-27
IPC: H01L25/075 , H01L33/32 , H01L33/12 , H01L33/48 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种Micro‑LED芯片封装结构及其制备方法，Micro‑LED芯片封装结构包括：封装基底，封装基底上设置红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片，红光Micro‑LED芯片的发光层、绿光Micro‑LED芯片的发光层和蓝光Micro‑LED芯片的发光层均包括InxGa(1‑X)N层；不同颜色Micro‑LED芯片中InxGa(1‑X)N层中x的取值相同。在具有同一外延结构的基础上，通过调整红光Micro‑LED芯片、绿光Micro‑LED芯片和蓝光Micro‑LED芯片的面积尺寸或电流大小，即可实现白色Micro‑LED光源，工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117577750A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311812460.X
申请日：2023-12-26
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法，其中，LED芯片结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于所述衬底层的一侧表面；发光柱，位于部分所述GaN缓冲层背离所述衬底层的一侧，所述发光柱包括具有纳米孔的N型GaN柱以及位于所述N型GaN柱表面的I nGaN/GaN发光量子点柱；P型GaN层，位于所述发光柱的表面。所述LED芯片结构的发光效率高。
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公开(公告)号：CN116344718A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310243681.3
申请日：2023-03-14
Abstract: 本发明涉及显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。显示面板包括：电路板；位于电路板的一侧表面的倒装发光芯片阵列，倒装发光芯片阵列包括阵列排布的若干倒装发光芯片；位于倒装发光芯片阵列背离电路板的一侧的透镜阵列，透镜阵列包括阵列排布的若干凹透镜，凹透镜与倒装发光芯片相对设置，凹透镜的凹陷区朝向倒装发光芯片，倒装发光芯片在电路板的正投影位于凹陷区在电路板的正投影内。倒装发光芯片发出的光照射到凹透镜的折射面从而发生收敛，减小了Micro‑LED芯片发出的光的角度范围，不仅降低了显示面板中不同颜色的串扰程度，还提高了该Micro‑LED芯片所对应的显示区域的亮度，提高了显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN115274942B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
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公开(公告)号：CN116053383A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310082604.4
申请日：2023-01-30
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，其中，Micro‑LED芯片包括：衬底层；N型半导体层，位于所述衬底层一侧表面；有源层，位于部分所述N型半导体层背离所述衬底层的一侧表面；P型半导体层，位于所述有源层背离所述N型半导体层的一侧表面；氢钝化层，覆盖所述P型半导体层的侧壁和所述有源层的侧壁。所述Micro‑LED芯片的发光效率高且可以避免漏电流的产生。
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公开(公告)号：CN115274942A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210922999.X
申请日：2022-08-02
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种微型倒装芯片的转移方法，包括：提供驱动基板和临时基板，临时基板的一侧表面粘接有若干微型倒装芯片；在微型倒装芯片的第二电连接件背离临时基板的一侧表面形成第一键合件，第一键合件的材料为导电胶；将若干微型倒装芯片转移至驱动基板上，且第一键合件连接微型倒装芯片的第二电连接件与驱动基板的第一电连接件；对若干微型倒装芯片进行检测，确定不良芯片在驱动基板上的坏点位置；激光照射位于坏点位置的第一键合件，移除不良芯片。上述方法不仅能够保证微型倒装芯片与驱动基板的稳定键合，还能在避免第一电连接件受到激光辐照的损伤，使原键合焊点可继续使用，且具有较高的不良芯片去除效率。
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