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公开(公告)号：CN101916719B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010231280.9
申请日：2010-07-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。
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公开(公告)号：CN101916719A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010231280.9
申请日：2010-07-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。
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公开(公告)号：CN101246943B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810070671.X
申请日：2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex(0＜x＜1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15)；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。
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公开(公告)号：CN101246943A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810070671.X
申请日：2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1－xGex(0＜x＜1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15)；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。
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公开(公告)号：CN1271741C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410005733.0
申请日：2004-02-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M8/16
CPC classification number: Y02E10/725 , Y02E60/527 , Y02P20/59
Abstract: 利用农作物生物质制氢及氢能发电装置，涉及一种利用农作物秸秆生物质制氢及氢能发电的成套装置。提供一种利用农作物秸秆等生物质的微生物分解及微生物制氢的应用，将农作物秸秆等生物质的微生物分解、制氢、储氢及氢能-电能转化结合的装置。设有生物质分解装置、发酵制氢装置、反应液后处理装置、水封装置、气体洗脱装置、气体干燥装置、储氢装置、燃料电池。利用分解微生物将各种农业秸杆和淀粉类物质分解为糖类物质，利用微生物发酵糖类物质产氢，发酵废液通过后处理排放，生物氢通过洗脱后储存于储氢系统，并通过燃料电池将氢能转化为电能或直接供热。可用于大规模生物质制氢和发电和分散的小规模生物质制氢发电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1111982C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN99119121.8
申请日：1999-09-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H04B10/12
Abstract: 涉及一种光纤收发器。执行芯片的COL、Rx、Tx端分别接耦合器，耦合器与AUI接口连接；SQE端接选择开关；工作状态输出端接工作状态显示器，Vin端和TxOUT端分别接PIN接收组件和发射组件。接收与发射组件分别接光纤接口。AUI接口的直流电压接降压稳压电路。使传输速度为10Mbps，不采用晶振和时钟定时器，抗干扰性强，工作稳定，成本低，用于计算机以太网中主机、服务器、中继器、集线器、终端机之间以及终端机之间的光互连。
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公开(公告)号：CN119786778A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411945289.4
申请日：2024-12-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M10/48 , H01M10/04 , G01R31/389 , G01K13/00 , G01K11/3206
Abstract: 一种基于永磁体的二次电池内部温度测量装置和方法，涉及应用于动力、储能和消费等领域的二次电池。通过在二次电池内部置入永磁体，利用永磁体剩磁随温度变化的特性，通过磁场无线传输方式监测电池内部温度。解决现有二次电池内部温度测量技术需破坏电池结构完整性，或对电池安全和性能发挥造成影响的问题。装置结构简单、成本低廉，与现有电池生产工艺兼容，可实时监测电池内部温度，且测温范围覆盖电池的工作温度范围，并可对超出电池正常工作温度的热失控风险做出及时判断预警。可与电池管理系统集成，有效降低热失控风险，具有显著的应用前景和产业化潜力。
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公开(公告)号：CN117790289A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311851710.0
申请日：2023-12-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/683
Abstract: 一种提高Si/InGaAs键合界面热稳定性的键合方法。采用MOCVD在Si衬底上外延单晶In1‑xGaxAs缓冲层，通过低温键合获得Si基InGaAs薄膜，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量及键合界面，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基InGaAs薄膜制备。通过在Si衬底上外延生长In1‑xGaxAs作为键合中间层，将键合界面由InGaAs、Si异质界面转变为InGaAs、In1‑xGaxAs界面，缓解异质键合界面在高温下由于异质材料之间的热失配产生的巨大应力，因此键合界面的稳定性得到提升。制备的Si基InGaAs薄膜在高温下的稳定性较高，外延缓冲层有效的缓解异质材料之间热失配产生的应力。
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公开(公告)号：CN116779720A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310742575.X
申请日：2023-06-21
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 一种远程氧等离子体钝化Ge表面的方法，首先通过等离子体增强原子层沉积系统中的远程氧等离子体对Ge表面进行处理，以形成稳定的GeO2薄层，降低Ge与SiO2直接接触时的高界面态密度，之后原位生长Al2O3薄层作为保护层防止GeO2潮解，最后沉积SiO2钝化层，实现Ge表面的有效钝化。
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公开(公告)号：CN110690108B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910942951.3
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种无气泡坑超高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。所述制备方法包括基片的清洗、Ge片的离子注入、中间层的制备、Ge薄膜的智能剥离四个阶段的处理方法。本发明利用a‑Ge和a‑Si薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在真空氛围内进行高温热退火，实现Ge/Si键合界面副产物的有效排出和点缺陷的有效修复。
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