公开(公告)号：CN101246943B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810070671.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  周笔 ,  潘书万 ,  李成 ,  赖虹凯

IPC: H01L33/00 ,  C25F3/12 ,  C09K11/59

Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex(0＜x＜1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15)；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。

公开(公告)号：CN101246943A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810070671.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  周笔 ,  潘书万 ,  李成 ,  赖虹凯

IPC: H01L33/00 ,  C25F3/12 ,  C09K11/59

Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1－xGex(0＜x＜1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15)；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。