基于微透镜的量子点色转换层及柔性Micro-LED全彩显示应用

    公开(公告)号:CN116504883A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310363346.7

    申请日:2023-04-07

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于微透镜的量子点色转换层的制备方法,且是通过倒模的方式制作具有凹透镜槽阵列的PDMS基底,于相邻凹透镜槽间形成挡光层,并于凹透镜槽阵列中沉积量子点形成微透镜结构的子像素单元阵列,键合柔性封装层形成柔性的量子点色转换层。并将柔性的量子点色转换层与Micro‑LED芯片阵列键合实现全彩化显示应用。本发明的微透镜结构可以增加量子点色转换层的垂直出光度,降低相邻像素点之间的光串扰,进而增加整体器件的有效亮度,降低整体器件的颜色串扰,提升最终制备的柔性Micro‑LED器件的显示性能。

    用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro-LED全彩化器件

    公开(公告)号:CN116314544A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310188414.0

    申请日:2023-03-02

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于量子点无损光刻图案化的方法及其荧光色转换层和Micro‑LED全彩化器件。本发明方法利用原子层沉积技术,在量子点发光层表面沉积抗蚀保护层,可有效提高量子点发光层的光电性能和环境稳定性,避免后序因光刻技术和刻蚀技术对量子点发光层造成不必要的损伤。利用本发明方法制备的高性能荧光色转换层,与Micro‑LED发光芯片阵列相结合,实现性能优异的Micro‑LED全彩化器件。该技术方案要求简单、技术难度低、制备速度快、基底选择多样性,且有利于大规模生产与制造。此外,所制备的荧光色转换层对外界环境变化(光照、湿度、温度等)具有优异的稳定性,可大大提高器件的使用寿命。

    一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法

    公开(公告)号:CN113540324B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202110789982.7

    申请日:2021-07-13

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种发射三基色偏振光的RGB‑LED器件制作方法,涉及全彩化器件。将绿色/红色钙钛矿材料分别制成钙钛矿油墨,并使用喷墨打印机喷涂在具有双通纳米级多孔结构的基板上,同时对基板的底面施加真空泵以引导油墨进入纳米孔,经热退火后,纳米孔结构将色转换材料重结晶为有序排列的纳米线阵列结构,制得绿色/红色色转换层;将两层色转换层粘合,下方放置非极性或半极性蓝光Micro‑LED作为激发光源,用紫外光固化树脂将两层色转换层与激发光源粘连,制得发射三基色偏振光的RGB‑LED器件。具有高光致发光外部量子效率,减小光损耗,且均具有较高的调制带宽。

    一种实现芯片低损伤检测的探针装置和检测方法

    公开(公告)号:CN114594365A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210174969.5

    申请日:2022-02-24

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明提供了一种实现芯片低损伤检测的探针装置,包括探针,还包括感受模块,检测模块以及提示模块;感受模块用于感受形变/压力,所述感受模块包括固定件、活动件和形变/压力感受单元,探针带动活动件向上运动,形变/压力感受单元发生形变/压力变化;所述检测模块,测量感受模块发生的形变/压力变化,进行检测并发出信号控制提示模块;本发明提供的探针装置能够减小探针与芯片接触时对芯片的伤害。

    一种发射三基色偏振光的RGB-LED器件制作方法

    公开(公告)号:CN113540324A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110789982.7

    申请日:2021-07-13

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种发射三基色偏振光的RGB‑LED器件制作方法,涉及全彩化器件。将绿色/红色钙钛矿材料分别制成钙钛矿油墨,并使用喷墨打印机喷涂在具有双通纳米级多孔结构的基板上,同时对基板的底面施加真空泵以引导油墨进入纳米孔,经热退火后,纳米孔结构将色转换材料重结晶为有序排列的纳米线阵列结构,制得绿色/红色色转换层;将两层色转换层粘合,下方放置非极性或半极性蓝光Micro‑LED作为激发光源,用紫外光固化树脂将两层色转换层与激发光源粘连,制得发射三基色偏振光的RGB‑LED器件。具有高光致发光外部量子效率,减小光损耗,且均具有较高的调制带宽。

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