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公开(公告)号：CN115050867A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210574616.4
申请日：2022-05-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种具有前置层的长波长LED外延结构及制备方法，在衬底上依次生长缓冲层和n‑GaN层后，生长一层InxGa(1‑x)N前置层，然后生长InyGa(1‑y)N/GaN多量子阱层、p‑AlGaN电子阻挡层和p‑GaN层，其中，0
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