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公开(公告)号：CN114249316B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111485516.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/154
Abstract: 本发明公开了一种双温区高温合成金属掺杂富勒烯材料的方法及装置。该装置包括气路控制系统、双温区加热系统、高温控制系统和样品收集与尾气在线检测系统；所述双温区加热系统的腔体内设有由三个电极分割形成第一温区石墨管和第二温区石墨管，通过调节相邻电极间距控制第一温区石墨管和第二温区石墨管的长短实现温区的控制。其中，第一温区石墨管(1500～2000℃)用于金属的蒸发，第二温区石墨管(2000～2500℃)用于金属掺杂富勒烯特种材料的合成。相比于电弧放电法，解决了在合成金属掺杂富勒烯特种材料时的，合成条件不确定性；相对于离子注入法，大大的降低了空富勒烯的产生，提高了合成的效率和提高了特种材料的纯度。
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公开(公告)号：CN111017869A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911149134.9
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基网络结构及其制备方法。包括：硅基底，上表面具有多个阵列分布的球状孔洞；材料层，位于所述硅基底上表面，所述材料层具有多个阵列分布的半球状穿孔，其中所述半球状穿孔正好位于所述球状孔洞上方并且连通所述球状孔洞，而共同组成多个阵列分布的葫芦状孔洞；包覆层，设置于所述硅基底与所述材料层表面上，沿着所述葫芦状孔洞的内表面分布，其中，所述包覆层包括金属、金属化合物或高分子材料层。本发明制备工艺简单、稳定、成本低，同时能够制备多种不同材料复合的葫芦状微纳米阵列结构，该结构能够在发挥微纳米阵列结构独有优势的同时综合多种材料的性质，在催化、生物检测、光电探测等领域具有广泛的潜在应用。
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公开(公告)号：CN109142473A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811148695.2
申请日：2018-09-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电极反应原位检测质谱装置，涉及质谱检测分析。设有三电极电化学装置、电喷雾针孔片和质谱；三电极电化学装置设有电极、电极支撑盖和电解池，电极为研究电极、辅助电极和参比电极组成的三电极体系；所述电极支撑盖为圆形盖板；电解池为圆形槽池，电极支撑盖与电解池密封，三电极体系通过电极支撑盖上的3个贯穿通孔插入电解池，研究电极位于电解池中间，辅助电极及参比电极位于两边；电解池中装有两片半透隔膜并将三电极隔开；电喷雾针孔片中心设有孔，电解池底部中心设有贯穿通孔，电喷雾针孔片装于电解池底部内侧，电喷雾针孔片的中心与电解池底部的通孔中心对齐，与研究电极表面相对，所述质谱进样口与电解池底部中心通孔相对。
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公开(公告)号：CN107946167A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711212978.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01J49/107 , H01J49/062 , H01J49/165 , H01J49/40
Abstract: 一种金属配合物质谱分析装置，涉及质谱分析。设有电喷雾/纳升喷雾离子源、喷嘴、机械泵、漏勺、推斥极、电离室、聚焦极、飞行时间质谱加速区、飞行时间质谱无场区、飞行时间质谱反射区、检测器和分子泵；推斥极上设有一层薄栅网；喷嘴、第1漏勺、第2漏勺、推斥极、电离室和聚焦极的中心轴在同一直线上依次组成离子传输装置；从喷嘴经第1漏勺、第2漏勺到离子传输装置；机械泵连接在喷嘴与第1漏勺之间；第2分子泵连接在第1漏勺与第2漏勺之间；第1分子泵位于离子传输装置和飞行时间质谱分析器所在腔室；飞行时间质谱加速区无场区反射区和检测器共同组成飞行时间质谱分析器；离子传输装置的中轴线与飞行时间质谱分析器垂直正交装配。
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公开(公告)号：CN104843674B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510231097.1
申请日：2015-05-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/00
Abstract: 多氯代多环芳烃的电加热合成方法，涉及多氯代多环芳烃。在玻璃反应器中装入发热源载体；在玻璃反应器中装入反应液；将装好反应液的玻璃反应器放入不锈钢腔体中，接上电极，封闭反应腔体；开启机械泵，对反应腔体进行抽真空；向已经抽真空的反应腔体内充入He气，再抽真空，如此反复2～3次，用He气对腔体内痕量的残留气体进行置换，置换完毕后关闭反应腔体与机械泵之间的真空泵；向反应装置中充入He气；接上外电极，打开电源；待反应完成后，冷却到室温；向反应腔体中引入气体至常压；收集反应物，即得到诸多多氯代多环芳烃产物。通过用钨丝作为发热源，在5A的低电流下发生反应，条件温和，操作简单，产率可观，可重现性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106353394A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610657064.8
申请日：2016-08-11
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 一种电喷雾离子源金属团簇离子的价态分布调节方法，涉及金属配合物的ESI-TOF MS谱图。包括以下步骤：1)采用有机溶剂溶解金属配合物，通过电喷雾离子源飞行时间质谱联用仪在设定的干燥氮气温度、流速、雾化器压力、毛细管电压、碎裂电压的条件下采集样品溶液，获得金属配合物的质谱图；2)将步骤1)获得金属配合物的质谱图导入谱图分析软件，具体分析每一个碎片峰的结构；3)在正离子模式下，在得不到分子离子峰的情况下，往金属配合物中掺入不同比例的电解质，再次用有机溶剂溶解样品，并用电喷雾离子源飞行时间质谱联用仪采集样品质谱图；4)再次用谱图分析软件，具体分析每一个碎片峰的变化，得到价态分布调节的结果。
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公开(公告)号：CN102166506A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110050255.5
申请日：2011-03-02
Applicant: 厦门大学
IPC: B01J19/08
Abstract: 溶液中带电粒子的交流电场囚禁方法，涉及一种带电粒子的富集。提供一种溶液中带电粒子的交流电场囚禁方法。使用2片绝缘板，控制2片绝缘板的间距为0.5～3mm；在圆周等夹角间距位置放置至少n个电极，所述n是至少为4的偶数，相间隔的电极连接成一组电极，同组电极在同一圆周半径，两组电极分布圆周半径相等或成0.707倍关系；在2片绝缘板间注入支持电解溶液；在电极对称中心注入被囚禁带电粒子溶液；在两组电极上施加交流电；实验表明，对阴阳离子、带电胶体、纳米颗粒、蛋白质、重金属等离子等都有效，即溶液的带电粒子在多极双曲面交流电场作用，都能克服热扩散，束缚在一特定区域，并进一步向电场中心运动富集。
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公开(公告)号：CN1320157C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200310121907.5
申请日：2003-12-06
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/24
Abstract: 涉及一种集硅片加热沉积于一体的化学气相沉积方法。其步骤为：将硅片置于电极上，抽真空，启动硅片微区加热控制器电源，直接以硅片为加热装置，设定硅片温度，通入或加入反应物，反应物在硅片表面反应，生成产物；以硅片作为基底，使反应产物在硅片表面沉积。采用可程控硅片加热控制装置，克服了硅片作为加热器负载的缺点，采用硅片直接发热方式，不仅可操作温度范围宽(常温～1200℃)、温度控制灵活、温度变化迅速(大于200℃/S)，温度控制准确(温度波动小于5℃)，增强了可重复性。而且由于硅片体积小，不仅节约能源与实验空间，还可以在同一体系内放置多硅片并独立控制其各自温度，这就大大拓宽了CVD方法的灵活性。
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公开(公告)号：CN1676676A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510007195.3
申请日：2005-01-28
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 多孔氧化铝模板制备方法及其装置，涉及一种硬模板，提供一种前期处理过程简化，实验过程操作简单，设备和溶剂简单易得，制备时间短，药品使用少的多孔氧化铝模板制备方法及其装置。设有电解槽、槽盖、阳极与引出线、阴极与引出线和磁力搅拌器，槽壁为中空双层结构，槽壁上设入、出水口，入、出水口与槽壁的中空内腔相通；槽盖设于电解槽上；阳、阴极置于电解液中，阳极为铝片电极，阴极为铂片电极。其步骤为将铝箔抛光，抛光容器在水浴加热；抛光后放入电解槽，电解槽处于低于室温的温度；将氧化后的铝箔浸泡于饱和氯化汞溶液中，再将脱离铝基的氧化铝薄膜洗净，在H3PO4中浸泡至形成通孔。
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公开(公告)号：CN119109444A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411234465.3
申请日：2024-09-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种适用于飞行时间质谱仪的低功耗有源驱动脉冲电源，包括隔离电源、延迟单元、变压器单元、高速光耦、第一栅极驱动单元、第二栅极驱动单元、第一IGBT单元和第二IGBT单元；原始脉冲信号输入延迟单元后输出第一延迟脉冲信号和第二延迟脉冲信号至第一栅极驱动单元和第二栅极驱动单元；变压器单元连接于第一栅极驱动单元和第一IGBT单元之间；高速光耦连接于第二栅极驱动单元和第二IGBT单元之间，隔离电源与高速光耦相连；第一IGBT单元的集电极连接高压HV，发射极作为脉冲电压输出端；第二IGBT单元的发射极连接偏置电压，集电极通过电阻R6连接第一IGBT单元的发射极。本发明能输出稳定的上升沿以及平稳的高压脉冲电压。
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