公开(公告)号：CN1546723A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200310121907.5

申请日：2003-12-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林水潮 ,  谢素原 ,  江智渊 ,  张先华 ,  匡勤 ,  马志杰 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C23C16/24

Abstract: 涉及一种集硅片加热沉积于一体的化学气相沉积方法。其步骤为：将硅片置于电极上，抽真空，启动硅片微区加热控制器电源，直接以硅片为加热装置，设定硅片温度，通入或加入反应物，反应物在硅片表面反应，生成产物；以硅片作为基底，使反应产物在硅片表面沉积。采用可程控硅片加热控制装置，克服了硅片作为加热器负载的缺点，采用硅片直接发热方式，不仅可操作温度范围宽(常温～1200℃)、温度控制灵活、温度变化迅速(大于200℃/S)，温度控制准确(温度波动小于5℃)，增强了可重复性。而且由于硅片体积小，不仅节约能源与实验空间，还可以在同一体系内放置多硅片并独立控制其各自温度，这就大大拓宽了CVD方法的灵活性。

公开(公告)号：CN1320157C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200310121907.5

申请日：2003-12-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林水潮 ,  谢素原 ,  江智渊 ,  张先华 ,  匡勤 ,  马志杰 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C23C16/24

Abstract: 涉及一种集硅片加热沉积于一体的化学气相沉积方法。其步骤为：将硅片置于电极上，抽真空，启动硅片微区加热控制器电源，直接以硅片为加热装置，设定硅片温度，通入或加入反应物，反应物在硅片表面反应，生成产物；以硅片作为基底，使反应产物在硅片表面沉积。采用可程控硅片加热控制装置，克服了硅片作为加热器负载的缺点，采用硅片直接发热方式，不仅可操作温度范围宽(常温～1200℃)、温度控制灵活、温度变化迅速(大于200℃/S)，温度控制准确(温度波动小于5℃)，增强了可重复性。而且由于硅片体积小，不仅节约能源与实验空间，还可以在同一体系内放置多硅片并独立控制其各自温度，这就大大拓宽了CVD方法的灵活性。