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公开(公告)号：CN118076215A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410220448.8
申请日：2024-02-28
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种横向忆阻器的极性调控方法，该横向忆阻器由从下至上依次设置的衬底、阻变功能层、两端金属电极构成，所述阻变功能层材料为半导体二维材料。本发明的极性调控方法为控制等离子体对阻变功能层材料的处理程度，通过增强处理程度使器件的性能转变或稳定为单极性，并且降低开启电压和延长循环寿命。本发明可有效提升该类忆阻器的性能，拓宽该类忆阻器的应用场景，促进基于二维材料的忆阻器在大规模神经网络运算电路中的应用。
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公开(公告)号：CN111063753B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
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公开(公告)号：CN112098481A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010864102.3
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体材料p型电导技术领域，特别涉及一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置及氮化物半导体材料除氢激活的方法。本发明采用恒电位电化学装置，通过打断p型杂质与H原子的键连，并将H从样品中移除，激活p型杂质的受主活性，在外加电压和电解液离子的共同作用下，H原子与p型杂质的键连可被有效打断并脱离样品，从而使p型杂质被迅速激活，空穴浓度获得提高，可极大地改善p型材料的导电特性。此方法装置简单、操作简便、常温工作，可制备具有良好导电特性的p型氮化物半导体材料，且可对完整器件结构晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用前景和开发潜力。
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公开(公告)号：CN111293134A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010081740.8
申请日：2020-02-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种无需巨量转移的三色Micro/Nano LED阵列及其制作方法，在n型GaN基底上通过图形化光刻、感应耦合等离子体刻蚀等技术，形成包含极性面和半极性面的六边形微纳米孔阵结构，再经二次外延同时形成发光波长分别为580～680nm、480～580nm及380～480nm的红绿蓝光多量子阱结构及p型层，利用光刻、刻蚀、镀膜等工艺制作出晶圆级的三色Micro/Nano LED阵列，该阵列的所有单个重复单元内包含三颗同轴嵌套六边形结构的RGB三色波长LED。本发明极大地简化了三色Micro/Nano LED的制备工艺，缩短了器件的制备周期，且可扩展至纳米量级，为降低单个显示像素的尺寸提供有力途径。这种无需巨量转移的方法可制成覆盖Micro至Nano尺寸级别的三色LED阵列和超高分辨率的Micro/Nano LED显示屏。
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公开(公告)号：CN111063753A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911058896.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种利用Mg掺杂量子阱增强发光效率的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法。该深紫外LED结构包括衬底、缓冲层、AlN层、超晶格应力调控/位错过滤层、非掺杂AlGaN层、n型AlGaN层、Mg掺杂的有源发光区多量子阱层、p型AlGaN层以及p型GaN接触层。本发明在LED的多量子阱有源发光层的阱层中间三分之一进行Mg杂质掺杂，以提高LED的内量子效率和光提取效率。相比于非掺杂多量子阱结构，Mg掺杂多量子阱结构可抑制量子限制斯塔克效应，提高电子和空穴波函数的空间交叠以及辐射复合效率，并可提供更多空穴参与辐射复合，提高内量子效率。并且Mg掺杂还可引入局域应变场，加大量子阱中的压应变，提升TE偏振光比例，最终提高AlGaN基深紫外LED光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108519411A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810298037.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物半导体材料除氢激活提升p型导电性的方法，涉及III族氮化物半导体材料。设计三电极电化学处理装置；将p型掺杂的半导体晶片密封至容器底部，作为工作电极；设置辅助电极和参比电极，与工作电极构成电化学三电极系统；选择除氢电解液，加入容器中，并淹没三电极；于工作电极和辅助电极之间施加直流偏压，进行除H并激活p型杂质；激活处理完毕，取出p型半导体晶片，进行去离子水超声清洗；利用电学装置测试晶片的电学性质。操作简便、无需高温退火，可制备出具有良好导电特性的p型GaN和AlGaN材料，并且可对完整结构器件晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外的LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用。
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公开(公告)号：CN103474503B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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公开(公告)号：CN103296141B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310215286.0
申请日：2013-06-03
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法，涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤；一个沉积ZnO薄膜的步骤；一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列，Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀；然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线，得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比，该结构材料拥有异质结界面，可通过改变材料成分调节能带结构，并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积，非常适用于太阳能电池及光催化领域。
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公开(公告)号：CN102590559B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210026594.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台，采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区，选取待测纳米结构，光纤定位，双探针定位，高能量分辨率电注入发光测试，高空间分辨率载流子选择性注入测试。
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公开(公告)号：CN102820398A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210319019.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
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