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公开(公告)号：CN117038469A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311034375.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的扇出封装结构和晶圆级制备工艺，该工艺包括以下步骤：1)将多个待封装芯片焊盘面一侧临时键合于临时载板；2)在临时载板上的芯片背面和金刚石表面分别制备金属层，对准后通过金属层实现热压键合；3)进行塑封，并将塑封层减薄至金刚石露出；4)去除芯片焊盘面的临时载板，在金刚石一侧临时键合另一临时载板；5)于芯片焊盘面一侧制作重布线层和外接结构；6)去除金刚石一侧的临时载板，并切割划片；7)在金刚石一侧依次形成热界面材料层和散热器。本发明通过热压键合技术实现了金刚石作为芯片散热衬底的应用，提高了器件的散热性能；同时通过扇出封装结构实现更薄的封装尺寸和更低的热阻。
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公开(公告)号：CN116885442A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310875687.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 基于极化转换部分反射面的宽带双极化天线阵列去耦结构，属于无线通信领域。用于提高紧密排列的宽频带、双极化天线之间的隔离度。包括两层去耦层及两个天线单元组成的天线阵列；第一去耦层位于天线上方位置，根据去耦结构的极化转换特性，可将x极化的入射波可以转化成y极化的反射波，入射波通过去耦层产生两个相互正交偏振反射波，与天线单元间的耦合波抵消，减小相同极化和正交极化天线阵列的耦合；第二去耦层结构位于第一去耦层和天线阵列的中间，两层去耦层实现良好宽频带去耦和阻抗匹配；宽频带、双极化天线单元是巴伦馈电的偶极子结构。通过在相邻两天线单元上方放置两层去耦层结构，有效提高天线单元间的隔离度，解决天线阵列耦合问题。
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公开(公告)号：CN115411479B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210985892.X
申请日：2022-08-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于玻璃基板的双间隙波导器件及其制作方法，其包括第一玻璃基板、第二玻璃基板和第三玻璃基板；第一玻璃基板和第三玻璃基板的上下表面分别设有金属层，且第一玻璃基板设有馈电开口；第二玻璃基板具有传输区域，沿传输区域外围间隔排布多个金属化玻璃通孔作为屏蔽结构；第一玻璃基板、第二玻璃基板和第三玻璃基板按序平行设置并通过框型干膜键合，使得第一玻璃基板下表面的金属层、第三玻璃基板上表面的金属层分别与第二玻璃基板的上表面和下表面之间形成间隙，且馈电开口对应于传输区域上方。本发明具有易加工、低成本、高集成的优势，可以在毫米波/太赫兹频段实现极低的传输损耗，适用于毫米波/太赫兹频段的器件应用。
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公开(公告)号：CN115579604A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211301295.7
申请日：2022-10-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及传输线波导技术领域，特别涉及一种基于CGA封装的中空杆壁波导器件的制备方法，其包括以下步骤：提供一具有馈电孔的第一铜金属层，第一铜金属层具有相对的第一表面和第二表面；将载板键合至第一铜金属层的第一表面上；在第一铜金属层的第二表面由下至上依次形成一钛金属层以及一铜金属层；在铜金属层的上表面涂覆光刻干膜，光刻、刻蚀形成图案化铜金属层，以露出部分钛金属层；以图案化铜金属层为掩膜，刻蚀去除图案化铜金属层并形成图案化钛金属层；识别图案化钛金属层，进行丝网定位刷导电银浆；识别图案化钛金属层，定位铜柱焊垫位置并根据设计图纸完成铜柱的柱栅列阵封装植柱；提供一具有馈电孔的第二铜金属层；在铜柱的顶表面用银浆进行点胶以焊接在第二铜金属层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118841369A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410817519.2
申请日：2024-06-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/768 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/06
Abstract: 本发明属于半导体制作技术领域，具体公开了一种用于三维集成电路超高深宽比硅通孔金属化的方法，具体包括以下步骤：采用原子层沉积技术在衬底材料表面以及通孔沉积绝缘层；采用原子层沉积技术在绝缘层上沉积阻挡层，阻挡层为TiN、Ru中的一种或两种；采用原子层沉积技术在阻挡层上沉积种子层；在沉积的种子层上电镀铜。本发明采用ALD铜钟子层沉积技术，可以在不同衬底沉积铜种子层，并采用常见的酸性硫酸铜体系电镀药液，兼容性较好，打通了超高深宽比TSV无缺陷填实的工艺路线，有利于先进封装超高密度互连。
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公开(公告)号：CN116826393A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310791705.9
申请日：2023-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体公开了一种天线阵列解耦结构的微纳加工技术，包括以下步骤：在玻璃衬底晶圆上加工空腔结构；将上述处理后的玻璃晶圆上层覆盖有机绝缘层；在上述处理后的玻璃晶圆上加工金属层，形成阵列结构的解耦结构条；将所得解耦结构条高精度排布于缝隙天线阵列上，覆盖缝隙天线的辐射缝隙。本发明基于玻璃衬底和圆片级加工工艺，以及后续的高精度结构排布，可实现毫米波、太赫兹天线解耦亚波长结构的加工，具有高性能、低成本、高精度等优势。
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公开(公告)号：CN116683182A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310791694.4
申请日：2023-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于天线解耦技术领域，具体公开了一种基于各向异性超材料的天线阵列解耦结构及设计方法，其中设计方法包括在辐射缝隙上方加载理想各向异性材料层，根据对天线的性能要求以及解耦要求，使用软件仿真优化理想各向异性材料层介电常数和磁导率的分布，达到解耦的效果；设计出各向异性介电常数和磁导率分布的实际的各向异性超材料；将各向异性超材料放置于待解耦波导缝隙天线阵列辐射缝隙上方，仿真优化天线的各项尺寸参数降低反射，直至优化出所需求的天线工作带宽。本发明利用各向异性超材料对缝隙天线的辐射近场的控制，实现缝隙天线阵列单元间的高隔离度以及实现各个天线单元方向图的稳定，从而实现天线解耦。
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公开(公告)号：CN119171037A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411366406.1
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种基于玻璃衬底工艺的1/N模反SIW滤波器，包括输入端口、输出端口，本体，所述本体包括第一金属层、第二金属层和设于第一金属层和第二金属层之间的玻璃衬底，所述玻璃衬底上贯穿TGV结构；所述本体上形成至少两个1/N模反SIW的滤波谐振腔和两个对称的过渡结构，所述1/N模反SIW的滤波谐振腔由部分第一层金属层上的金属板和第二金属层以及位于金属板的TGV结构围合形成，再通过过渡结构分别与输入端口和输出端口相连，所述位于金属板的TGV结构作为1/N模耦合TGV。
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公开(公告)号：CN116914416A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310875471.6
申请日：2023-07-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种双频双极化磁电偶极子滤波天线，涉及磁电偶极子天线。包括底层介质板、馈电结构、磁偶极子介质板组、电偶极子介质板、滤波磁偶极子介质板组；底层介质板上设插槽用于滤波磁偶极子介质板组连接固定；电偶极子介质板上设插槽用于滤波磁偶极子介质板组穿过；磁电偶极子天线结构产生低频辐射零点Ⅰ，将微带功分器的末端微带线延长得中频带间辐射零点Ⅱ，引入中频带间滤波磁偶极子贴片得中频带间辐射零点Ⅲ，在磁偶极子顶部和电偶极子的连接结构中设槽结构得高频边带辐射零点Ⅳ，引入高频带外滤波磁偶极子贴片得高频辐射零点Ⅴ，滤波磁偶极子设在磁电偶极子天线内部，不增加天线剖面高度和轮廓尺寸，无需滤波器网络，实现双极化和双频带通滤波。
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