一种多芯片并联的半桥型IGBT模块

    公开(公告)号:CN213459734U

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202022429352.2

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块,旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括:金属基板和六个绝缘陶瓷衬板,在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片,所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置,并全部朝向IGBT模块的中央,IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异,提高芯片开通一致性,避免某一芯片过早失效。

    一种用于功率模块覆铜陶瓷衬板焊接的限位工装

    公开(公告)号:CN213998146U

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202022365101.2

    申请日:2020-10-22

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于功率模块覆铜陶瓷衬板焊接的限位工装,包括基板、限位框和限位隔片,所述基板上设有若干定位销,所述限位框包括C形的第一限位框和第二限位框,所述第一限位框和第二限位框上设有与定位销相对应的定位孔,所述限位隔片卡合于第一限位框和第二限位框的两个端部之间。本实用新型解决了现有技术中限位金属框与基板不匹配、限位效果差、焊接质量低的问题。

    一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构

    公开(公告)号:CN213459704U

    公开(公告)日:2021-06-15

    申请号:CN202022409327.8

    申请日:2020-10-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构,包括铜基板(1),所述铜基板(1)为预折弯结构且上面为凹面,所述铜基板(1)上面沿着长度方向开设有两条平行设置的横向开槽(5),两条所述横向开槽(5)之间开设有若干条平行设置的竖向开槽(4),所述横向开槽(5)和竖向开槽(4)之间形成若干个凸台(3),所述凸台(3)面积与衬板焊接面面积相当,所述铜基板(1)长度方向边缘处开设有固定孔位(2)。本实用新型提供的一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构,能够释放部分焊接应力降低焊接翘曲度以及降低器件安装难度,提高器件散热面与冷却板的契合度。

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