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公开(公告)号:CN213459734U
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202022429352.2
申请日:2020-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型公开了一种多芯片并联的半桥型IGBT模块,旨在解决现有IGBT模块中芯片间的开通峰值电流差异较大的技术问题。其包括:金属基板和六个绝缘陶瓷衬板,在每个绝缘陶瓷衬板上排布有四个IGBT芯片和两个FRD芯片,所述IGBT芯片的栅极设置在IGBT芯片一侧的中间位置,并全部朝向IGBT模块的中央,IGBT芯片的栅极通过键合线连接绝缘陶瓷衬板上的栅极信号铜箔。本实用新型能够缩小了模块中IGBT芯片间的开通峰值电流差异,提高芯片开通一致性,避免某一芯片过早失效。
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公开(公告)号:CN213998146U
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202022365101.2
申请日:2020-10-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K3/08
Abstract: 本实用新型公开了一种用于功率模块覆铜陶瓷衬板焊接的限位工装,包括基板、限位框和限位隔片,所述基板上设有若干定位销,所述限位框包括C形的第一限位框和第二限位框,所述第一限位框和第二限位框上设有与定位销相对应的定位孔,所述限位隔片卡合于第一限位框和第二限位框的两个端部之间。本实用新型解决了现有技术中限位金属框与基板不匹配、限位效果差、焊接质量低的问题。
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公开(公告)号:CN213459704U
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN202022409327.8
申请日:2020-10-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型公开了一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构,包括铜基板(1),所述铜基板(1)为预折弯结构且上面为凹面,所述铜基板(1)上面沿着长度方向开设有两条平行设置的横向开槽(5),两条所述横向开槽(5)之间开设有若干条平行设置的竖向开槽(4),所述横向开槽(5)和竖向开槽(4)之间形成若干个凸台(3),所述凸台(3)面积与衬板焊接面面积相当,所述铜基板(1)长度方向边缘处开设有固定孔位(2)。本实用新型提供的一种用于焊接式IGBT器件的铜基板凸台式结构,能够释放部分焊接应力降低焊接翘曲度以及降低器件安装难度,提高器件散热面与冷却板的契合度。
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公开(公告)号:CN216849841U
公开(公告)日:2022-06-28
申请号:CN202122886138.4
申请日:2021-11-19
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网山西省电力公司检修分公司
Abstract: 本实用新型公开了IGBT制备技术领域的一种IGBT模块功率端子焊接定位组件,包括端子位置限位,所述端子位置限位固定放置于一DBC限位板上,且端子位置限位表面开设有多个供带焊片的功率端子组插设定位的挖空槽,所述带焊片的功率端子组之间设有使二者与端子位置限位保持垂直的端子间距限位,所述DBC限位板放置于一基板上,且DBC限位板内放置有DBC和DBC焊片。本实用新型能够保证产品的可靠性,提高模块端子焊接的一致性。
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