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公开(公告)号:CN119836078A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202510000195.8
申请日:2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED器件自对准填槽与钝化的方法,包括以下步骤:提供Micro‑LED器件,Micro‑LED器件包含阵列单元和阵列单元之间的沟槽;在Micro‑LED器件上制备介质层,介质层填充沟槽并覆盖所有阵列单元;固化介质层;使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄,直至裸露所有阵列单元的上表面,在沟槽处形成图形化的钝化层。使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄,无需制备掩膜和光刻,且可通过刻蚀工艺精准调控介质层高度,工艺简单;同时,由于规避了对版工步和显影液腐蚀工步,该工艺方法能够消除对版误差带来的界面间隙和台面残留问题,能够不受形状和尺寸约束地形成连接紧密的图形化钝化层,增加钝化结构的抗蚀刻性,提升器件制造良率。
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公开(公告)号:CN118867064A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410833996.8
申请日:2024-06-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基Micro‑LED阵列隔离沟槽的制备方法,通过湿法刻蚀氮化镓外延层制备隔离沟槽,同时完成Micro‑LED阵列的图形化。通过在湿法刻蚀外延层前,对外延层的厚度、粗化效果进行控制等步骤实现高像素图形的隔离,实现提高Micro‑LED器件侧壁的平整度与光滑度的同时提升Micro‑LED阵列的均匀性。本发明在增大Micro‑LED器件均匀性与稳定性的同时制备隔离沟槽,不损伤Micro‑LED器件的其他金属结构,具有操作简单、侧壁损伤小、生产效率高、设备简单、无金属溅射等优点,实际应用价值高。
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公开(公告)号:CN118538835A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410713135.6
申请日:2024-06-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种制备Micro‑LED发光模组的方法,包括以下步骤:S1在硅衬底外延层上整面沉积金属键合层;S2在CMOS基板上的驱动电极的表面制备金属键合单元;S3在金属键合单元的间隙填充第一隔离层;S4金属键合层与金属键合单元完成键合;S5去除硅衬底;S6对暴露出的外延层进行减薄或粗化;S7分割外延层形成芯片单元,芯片单元与金属键合单元一一对应;S8在所述芯片单元的侧壁制备钝化层;S9将所述金属键合层分割形成相互独立的金属单元,金属单元、芯片单元、金属键合单元和驱动电极构成像素单元;S10在所述像素单元的间隙填充第二隔离层;S11在所述像素单元和第二隔离层的上方生长透明导电薄膜或/和金属层作为N电极,获得Micro‑LED发光模组。
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公开(公告)号:CN117976794A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410076919.2
申请日:2024-01-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种Micro LED的钝化层,所述Micro LED为具有金属反射镜的阵列结构,金属反射镜作用为改变出光路径,钝化层包覆金属反射镜并填充Micro LED阵列间沟槽,钝化层材料为有机物。本发明还公开了包含钝化层的Micro LED。有机物制备钝化层的过程处于常温、常压的大气环境中,最大程度的减小金属迁移及氧化现象;本发明公开的钝化层具有良好的绝缘性、热稳定性、粘结性、高透光率和较好的机械性能,适用于金属反射镜的隔离及绝缘钝化,提高器件可靠性。
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公开(公告)号:CN111769103B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202010601783.4
申请日:2020-06-29
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法,包括:S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1,0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列,刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底,使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一,并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元;S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板,并去除硅衬底,以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移;S3重复S2,将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术,在发光结构之间形成金属连接层,将不同颜色发光结构连接在一起,实现多色Micro LED的制备,具有结构稳定、易于操作等特点。
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公开(公告)号:CN114196401B
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202111392828.2
申请日:2021-11-23
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种原位交联法制备高稳定钙钛矿量子点薄膜的方法,包括以下步骤:S1.含铅前驱体溶液的制备,S2.卤化甲胺、卤化甲脒、卤化铯的异丙醇溶液的制备,S3.含铅聚合物薄膜的制备,S4.钙钛矿量子点/聚合物杂化薄膜的制备;依照本发明的方法,能够实现在大气环境下制备高亮度、高稳定性的钙钛矿量子点/聚合物杂化薄膜。
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公开(公告)号:CN111933801B
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202010804004.0
申请日:2020-08-12
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种具有六氟磷酸胍界面修饰层的反向平面钙钛矿太阳电池器件及其制备方法,属于新材料太阳能电池技术领域。本发明在钙钛矿/富勒烯界面引入六氟磷酸胍界面修饰层,其不仅能够有效钝化钙钛矿活性层的表面缺陷,促使晶粒长大,而且能够对界面能级进行调控,从而有效提高了电池器件的效率和稳定性。在此基础上,本发明进一步提供了该反向平面钙钛矿太阳电池器件的制备方法,首先以六氟磷酸和碳酸胍反应制备六氟磷酸胍,再将六氟磷酸胍的异丙醇溶液旋涂在钙钛矿薄膜的表面,最后进行固化、退火,使六氟磷酸胍界面修饰层得以引入反向平面钙钛矿太阳电池器件。本发明使反向平面钙钛矿太阳电池器件的光电转换效率和稳定性得到显著提高。
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公开(公告)号:CN109545969B
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201811227041.9
申请日:2018-10-22
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿太阳电池用锂、银共掺杂氧化镍纳米粒子的制备方法及应用。通过称取一定量的Ni(NO3)2·6H2O、LiNO3和AgNO3加入去离子水中搅拌溶解,其摩尔比范围为0.989~0.98:0.001~0.005:0.01~0.015,再滴加NaOH溶液,至pH到9.8~10,经过洗涤和干燥后,经过270℃煅烧得到锂、银共掺杂氧化镍的纳米粒子。将纳米粒子配制溶液,作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池。本发明可以有效提高钙钛矿电池的光电转换效率。
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公开(公告)号:CN109545969A
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201811227041.9
申请日:2018-10-22
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿太阳电池用锂、银共掺杂氧化镍纳米粒子的制备方法及应用。通过称取一定量的Ni(NO3)2·6H2O、LiNO3和AgNO3加入去离子水中搅拌溶解,其摩尔比范围为0.989~0.98:0.001~0.005:0.01~0.015,再滴加NaOH溶液,至pH到9.8~10,经过洗涤和干燥后,经过270℃煅烧得到锂、银共掺杂氧化镍的纳米粒子。将纳米粒子配制溶液,作为空穴传输层应用于钙钛矿太阳能电池。本发明可以有效提高钙钛矿电池的光电转换效率。
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公开(公告)号:CN113416155A
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN202110540014.2
申请日:2021-05-18
Applicant: 南昌大学
IPC: C07C277/00 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池添加剂的制备方法及其应用,包括以下步骤:1)取四氟硼酸溶液于玻璃器皿中,然后向四氟硼酸溶液中缓慢添加碳酸胍粉末,添加过程中不断搅拌,使两者充分反应,直至不再生成气泡;2)采用布氏漏斗抽滤,将反应生成的沉淀分离出来,再用二氯甲烷有机溶剂对沉淀进行洗涤,得到四氟硼酸胍白色沉淀;3)将所得四氟硼酸胍白色沉淀放置于真空干燥箱中进行干燥,得到四氟硼酸胍添加剂。依照本发明方法制备的四氟硼酸胍添加剂,将其应用于钙钛矿太阳能电池的钙钛矿活性层中,能够有效提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率,并使其能够在保证较高的光电转换效率下有更长的使用寿命,提高了钙钛矿太阳能电池的稳定性。
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