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公开(公告)号：CN119403313A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000250.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/811 , H10H20/825 , H10H20/01 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种LED量子阱的外延结构及其生长方法。包括有源层，有源层由多个单元结构周期性堆叠组成，每一单元结构包括依次生长的量子阱层、盖层和量子垒层，其中：量子阱层包括交替生长的铟镓氮层和处理层形成的超晶格结构。本发明的铟镓氮生长时间短，单层厚度为传统铟镓氮厚度的5%～15%，大幅减少了铟镓氮受到的压应力，提升了量子阱的晶体质量。并且，在短时间的铟镓氮生长后保持氨气和铟进行处理，可以减少氮空位缺陷，同时还能减少铟镓氮中铟的分解，减少了量子阱中的缺陷。本发明明显提升量子阱的晶体质量，显著提高了LED在小电流密度下的发光效率。
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公开(公告)号：CN118782592A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410108848.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用的TO型封装阵列式光电探测器，阵列式光电探测器的芯片是由所有的单元芯片通过预设的电极线以并联的方式汇聚在公共的N型触点上，单元芯片以阵列形式分布在阵列式光电探测器的基底上，单元芯片的外延层为N‑GaN、InGaN/GaN量子阱、P‑GaN、互补电极、金属反射镜、钝化层、N电极和硅衬底；所述阵列式光电探测器为TO型封装结构，该结构包括TO管座、2个与TO管座径向相平行的圆孔形状的接地引脚和导通引脚以及玻璃镜片光窗尺寸可调的TO管帽，接地引脚和N型触点之间通过金丝键合线相连接。阵列式光电探测器芯片结合TO型封装能够有效提高光电探测器的性能，并且保障信号在进行光电转换时尽可能减小干扰，提高可见光通信的通信速率。
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公开(公告)号：CN116298400A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310220433.7
申请日：2023-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测p型Ⅲ族氮化物激活效果的表征方法，本发明基于开尔文探针力显微镜，通过在p型Ⅲ族氮化物的表面制备金属电极层形成欧姆接触，并将金属电极层与开尔文探针力显微镜的样品台形成导电连接，从而减弱除p型Ⅲ族氮化物外的其他外延层对测试结果的影响，根据p型Ⅲ族氮化物与金属电极层表面电势的差值或结合霍尔测试系统测试对表面电势进行换算，实现了p型Ⅲ族氮化物激活效果的较为准确的测量。本发明方法简单且快捷有效，能够精准的测定p型Ⅲ族氮化物表面电势激活前后的改变，对于研究p型Ⅲ族氮化物激活方法将发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN113471060B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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公开(公告)号：CN114822378A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210309920.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102605193A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210075176.4
申请日：2012-03-21
Applicant: 南昌大学
IPC: C22B15/14
Abstract: 一种铜及铜合金熔炼用精炼剂，其特征是其成分为：5-15wt.%的氟化钙、1-5wt.%二氧化硅、1-5wt.%二氧化钛、2-10wt.%的氟硅酸钠、40-60wt.%的碳酸钠，余量为四硼酸钠；将上述精炼剂原料按配方称量好混合均匀放入烘干箱，120℃干燥一个小时，用金相镶嵌机，手动把精炼剂压制成片状。本发明具有：集脱氧、除气、除杂等多功能于一体，具有较强的吸附、溶解和化合造渣能力；与金属熔体间的表面张力大，能促进熔渣上浮流动，使熔渣与金属液更好的分离，从而达到精炼除杂和净化熔体效果；具有较强的化学稳定性和热稳定性，对金属和炉衬无腐蚀作用，不与金属液发生化学反应，也不相互熔解，保证了合金原有的成份和性能；无公害，安全环保，使用方便，价格便宜。
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公开(公告)号：CN119789629A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411942329.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/816 , H10H20/00 , H10H20/812 , H10H20/824
Abstract: 本发明公开了单片多PN结RGB全彩LED，包括衬底、及通过一次外延形成于衬底之上的蓝光第一发光单元、绿光第二发光单元和红光第三发光单元，蓝光第一发光单元和绿光第二发光单元之间沿着生长方向依次设有第一阻挡层和第一隧道层，绿光第二发光单元和红光第三发光单元之间沿着生长方向依次设有第二阻挡层和第二隧道层，其中：第一阻挡层和第二阻挡层的材料为InyGa1‑yN。第一阻挡层和第二阻挡层阻挡了Mg原子向隧道层的扩散，减少了PN结杂质补偿效应，提高了PN结之间的隧穿效率。
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公开(公告)号：CN119560397A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411653929.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判定GaN基材料掺杂碳元素形成高阻的非破坏性表征方法，涉及半导体器件技术领域，包括：通过光致发光设备获得参考GaN基外延片和目标GaN基外延片的光谱图；根据光谱图，确定参考GaN基外延片、目标GaN基外延片中GaN本征发光峰、黄带发光峰分别对应的第一参考PL强度、第二参考PL强度、第一目标PL强度和第二目标PL强度；第一目标PL强度≤第一参考PL强度的10％且第二目标PL强度≤第二参考PL强度的10％，判定目标GaN基外延片形成高阻。该表征方法简便快捷，减少了芯片制造的工序，加快生产和研发的反馈速度，减少了试错和制造成本，判定结果直观，无需复杂的数据处理，属于非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN118473525A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410600856.6
申请日：2024-05-15
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信系统，包括：发射端，用于发射光信号；发射端电源，用于向发射端提供脉冲信号；接收端，用于接收发射端发射的光信号；接收端电源，用于向接收端提供正向电流；电压表，用于测量接收端的电压响应值；所述发射端和接收端为LED，所述发射端的LED主波长小于所述接收端的LED主波长。本发明的可见光通信系统支持信号接收端正常的照明显示功能，不需要专门的探测器，使用LED即可实现对光信号的探测，节约成本；对于双向可见光通信而言，不需要单刀双掷开关或额外的一套发射器和探测器，增大了通信速率和降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN116607210A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310369558.6
申请日：2023-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清洗MOCVD反应环境的主要特征是在TMIn的作用下，长时间吹扫MOCVD反应室和反应管道，清除反应环境中的Mg，并分解MOCVD反应室中已沉积的易分解的掺Mg氮化物，消除反应环境中Mg的记忆效应。InGaN阻挡层或InGaN/GaN超晶格阻挡层的主要特征是在合适的温度和缓慢的生长速率下生长，阻挡P型氮化物材料内部或表面的Mg扩散至下一层。通过本发明的两步法结合，能完全消除Mg的记忆效应，从而增加了Ⅲ族氮化物材料掺杂Mg后界面的陡峭性，提高材料性能。
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