一种钪铝酸铋-锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN119638416A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411936598.5

    申请日:2024-12-26

    Abstract: 本发明公开了一种钪铝酸铋‑锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法,属于压电陶瓷材料技术领域。本发明的压电陶瓷材料的通式为:xBiSc1‑zAlzO3‑(1‑x)PbZryTi1‑yO3,其中0.2≤x≤0.7,0.3≤y≤0.6;0.45≤z≤0.55。本发明制备的钪铝酸铋‑锆钛酸铅压电陶瓷,压电系数d33可达356pC/N,居里温度达346℃,室温1kHz频率下的介电损耗为1.60%,同时体系的温度稳定性得到改善,压电常数在室温至310℃范围内保持小于20%的变化率。

    一种锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116354718B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202310323698.X

    申请日:2023-03-29

    Abstract: 本发明涉及一种锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。本发明所述锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷的化学式为xPb(In1/2Nb1/2)O3–0.04Pb(Mn1/3Sb2/3)O3–(0.96‑x)Pb(Zr0.49Ti0.51)O3,其中0.0≤x≤0.1。本发明以三元系陶瓷锑锰‑锆钛酸铅为基体,引入第四组元Pb(In1/2Nb1/2)O3,成功制备了同时具备高机械品质因数、高机电耦合系数和高压电性能的综合性能优异的适合大功率谐振器件的四元系铅基压电陶瓷材料。

    一种锑锰-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116354718A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310323698.X

    申请日:2023-03-29

    Abstract: 本发明涉及一种锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法。本发明所述锑锰‑锆钛酸铅基压电陶瓷的化学式为xPb(In1/2Nb1/2)O3–0.04Pb(Mn1/3Sb2/3)O3–(0.96‑x)Pb(Zr0.49Ti0.51)O3,其中0.0≤x≤0.1。本发明以三元系陶瓷锑锰‑锆钛酸铅为基体,引入第四组元Pb(In1/2Nb1/2)O3,成功制备了同时具备高机械品质因数、高机电耦合系数和高压电性能的综合性能优异的适合大功率谐振器件的四元系铅基压电陶瓷材料。

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