公开(公告)号：CN113113277A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110299754.1

申请日：2021-03-22

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  詹晶晶 ,  张锴珉 ,  李诗曼 ,  王自衡 ,  李姗 ,  钱芸生

IPC: H01J1/34 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了反、透射式石墨烯光电阴极及其制备和激活方法，该阴极包括衬底层、p型石墨烯发射层和Cs/O激活层。制备方法包括：将苯基硼酸粉末加热升华至退火处理后的铜箔上，冷却后生成单层硼掺杂石墨烯；将硼掺杂石墨烯逐层转移至目标衬底，形成p型石墨烯发射层；在p型石墨烯发射层表面进行Cs/O激活，由此制得反、透射式石墨烯光电阴极。激活方法包括铯、氧源激活两步，其中第一步激活中采用卤素灯白光光源垂直照射光电阴极面，第二步激活中采用蓝紫光激光器垂直照射光电阴极面。本发明能获得稳定性好，且可用于真空光电探测器件和真空电子源的反、透射式石墨烯光电阴极。

公开(公告)号：CN111584327A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010358215.6

申请日：2020-04-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  李诗曼 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫 ,  荣敏敏 ,  钱芸生 ,  石峰 ,  程宏昌

IPC: H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法，包括：开启铯源，光电流逐渐上升，光电流达到峰值后下降；当光电流下降到峰值电流的50％～90％时，开启氧源，并保持铯源开启状态；当光电流再次到达峰值时关闭氧源；当光电流下降到峰值的50％～90％时打开氧源，重复上述激活过程，直到光电流的峰值电流是前一个峰值电流的100～110％时，待光电流下降到峰值电流的50％～90％时打开氟源，当光电流上升到新的峰值时，先后关闭氟源和铯源，结束激活过程。本发明可以得到光电发射性能更好的砷化镓光电阴极，兼容传统铯氧激活工艺，且具备计算机辅助控制激活方式，操作简单，易于推广。

公开(公告)号：CN111584326A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010358213.7

申请日：2020-04-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  荣敏敏 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫 ,  王自衡 ,  钱芸生 ,  李姗 ,  李诗曼 ,  詹晶晶

IPC: H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法，包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活，具体为：对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启氧源，并保持铯源开启，当光电流再次到达峰值时关闭氧源；对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启NF3进气阀门，使NF3气体进入激活腔体，并保持铯源开启，当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min，关闭NF3进气阀门，关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。

公开(公告)号：CN119364878A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411372439.7

申请日：2024-09-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  高毅 ,  徐卓 ,  过般响 ,  李诗曼 ,  杨鲁浩 ,  钱芸生

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/124 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明提出了一种近红外响应增强的薄层透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件，该光电阴极结构自下而上为In0.88Ga0.12As0.26P0.74发射层、In0.52Al0.48As窗口层、Si3N4增透层以及玻璃。In0.52Al0.48As窗口层中包含平面层和纳米结构阵列两部分，并使用Si3N4介质填充纳米结构间的空隙，纳米结构阵列部分采用若干周期分布的圆柱或方柱结构，通过调整纳米阵列结构的周期、形状、尺寸和排列方式，可实现光电阴极组件整体对近红外特定波长处的吸收率的提高，从而提高透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极在近红外特定波长处的量子效率。本发明还给出了兼容新兴的微纳加工工艺与传统反转工艺的In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件制备工艺流程。

公开(公告)号：CN112885684B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110149423.X

申请日：2021-02-03

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  宋淳 ,  荣敏敏 ,  李诗曼 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫 ,  李姗 ,  詹晶晶 ,  钱芸生

IPC: H01J29/04 ,  H01J31/50 ,  H01J37/02 ,  H01J37/26 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极稳定性的激活方法，包括两次Cs/Li/NF3激活，分别在两次高温净化之后各进行一次激活。本发明的操作步骤少，Cs源一直保持开启状态，Li源的开启和关闭只需判定光电流的大小，NF3的开启和关闭只需控制阀门开关，可操作性强，且光电阴极稳定性提升显著。

公开(公告)号：CN111584328B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202010358231.5

申请日：2020-04-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  舒昭鑫 ,  荣敏敏 ,  李诗曼 ,  李姗 ,  张锴珉 ,  詹晶晶 ,  钱芸生

IPC: H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种提高铟镓砷光电阴极近红外波段响应的激活方法，包括依次采用卤素灯白光光源和1064nm激光光源照射的铯源、氧源交替两步激活。本发明可以得到近红外长波段量子效率更高的铟镓砷光电阴极。

公开(公告)号：CN112885684A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110149423.X

申请日：2021-02-03

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  宋淳 ,  荣敏敏 ,  李诗曼 ,  张锴珉 ,  舒昭鑫 ,  李姗 ,  詹晶晶 ,  钱芸生

IPC: H01J29/04 ,  H01J31/50 ,  H01J37/02 ,  H01J37/26 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极稳定性的激活方法，包括两次Cs/Li/NF3激活，分别在两次高温净化之后各进行一次激活。本发明的操作步骤少，Cs源一直保持开启状态，Li源的开启和关闭只需判定光电流的大小，NF3的开启和关闭只需控制阀门开关，可操作性强，且光电阴极稳定性提升显著。