公开(公告)号：CN119364878A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411372439.7

申请日：2024-09-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  高毅 ,  徐卓 ,  过般响 ,  李诗曼 ,  杨鲁浩 ,  钱芸生

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/124 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明提出了一种近红外响应增强的薄层透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件，该光电阴极结构自下而上为In0.88Ga0.12As0.26P0.74发射层、In0.52Al0.48As窗口层、Si3N4增透层以及玻璃。In0.52Al0.48As窗口层中包含平面层和纳米结构阵列两部分，并使用Si3N4介质填充纳米结构间的空隙，纳米结构阵列部分采用若干周期分布的圆柱或方柱结构，通过调整纳米阵列结构的周期、形状、尺寸和排列方式，可实现光电阴极组件整体对近红外特定波长处的吸收率的提高，从而提高透射式In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极在近红外特定波长处的量子效率。本发明还给出了兼容新兴的微纳加工工艺与传统反转工艺的In0.88Ga0.12As0.26P0.74光电阴极组件制备工艺流程。