一种含有改性硅酸亚铁锂填料的固态复合电解质的制备与应用

    公开(公告)号:CN119118143A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411141378.3

    申请日:2024-08-20

    Abstract: 本发明属于锂离子电池固态电解质技术领域,公开了一种硅酸亚铁锂材料的改性及制备方法,并以此为无机填料与聚(偏二氟乙烯‑co‑六氟丙烯)(PVDF‑HFP)聚合物基质混合制备固态复合电解质;本发明通过对硅酸亚铁锂材料进行钠掺杂,掺入的钠取代部分锂位,拓宽了锂离子迁移通道,增强了硅酸亚铁锂的锂离子电导率;改性的硅酸亚铁锂作为活性填料,与聚合物进行结合,制备复合电解质(CPE),一方面增强了聚合物基质的机械强度,一方面拓宽了锂离子的迁移路径,从而显著提高了复合电解质的离子电导率与锂离子迁移数;该复合电解质与电极片具有较好的界面接触,能够进一步提升电池的循环稳定性。

    一种降低锂镧锆氧固态电池界面阻抗的方法

    公开(公告)号:CN116632382A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310711029.X

    申请日:2023-06-15

    Inventor: 徐璟 李宪彪

    Abstract: 本发明公开了一种降低锂镧锆氧固态电池界面阻抗的方法,经过高温处理的膨胀石墨和锂金属在充满氩气手套箱里均匀复合,然后将其作为负极紧密接触在固体电解质表面,解决了负极侧金属锂和石榴石等固体电解质界面接触不良的问题。经过高温处理的膨胀石墨会与金属锂复合并形成具有一定空间结构的LiC6亲锂骨架,利于在界面和负极体相内部提供亲锂位点,使界面阻抗大幅度降低,有效抑制锂枝晶的生成,实现锂金属电池的使用。

    一种Ni掺杂δ-MnO2材料制备方法及其在钾离子电池中应用

    公开(公告)号:CN112299493B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN201910681594.X

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种Ni掺杂δ‑MnO2材料制备方法及其在钾离子电池中应用。该方法按KMnO4、KF与[Ni(NO3)2·6H2O或Ni(Cl)2·6H2O或NiSO4·6H2O]的摩尔比为1:1~5:1~3,将KMnO4溶液、KF溶液和[Ni(NO3)2·6H2O或Ni(Cl)2·6H2O或NiSO4·6H2O]溶液混合,用稀H2SO4调节pH至3~6,加入基底材料,于80℃~180℃下进行水热反应制得Ni掺杂δ‑MnO2纳米片阵列。该方法制备的Ni掺杂δ‑MnO2电极材料,晶格中的Mn部分地被掺杂元素取代,且掺杂元素取代均匀,能够提高原材料的初始容量和循环稳定性,方法的工业化成熟度高,是一条极具潜力的钾离子电池用氧化锰电极材料的制备途径。

    高能等离子体界面修饰电解质的方法

    公开(公告)号:CN115706259A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202111174668.4

    申请日:2021-10-09

    Abstract: 本发明公开了一种高能等离子体界面修饰电解质的方法。所述方法采用高能等离子对固态电解质表面元素进行刻蚀、替换、沉积,在去除固态电解质表面Li2CO3、LiOH杂质的同时对固态电解质表面处理,能快速实现N、H等元素的掺杂或者氮化物、氢化物的转化合成,有助于形成富N、H的界面组分,与金属Li形成高离子电导率Li3N界面层。本发明极大地增强了固态电解质与固态电极之间的界面接触,降低固态电解质与固态电极之间的界面阻抗,并增强了两端以金属Li为电极的对称电池稳定性,降低了金属Li电极的极化。

    基于光辅助的等离子增强光电性能二次电池

    公开(公告)号:CN115528246A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202110711466.2

    申请日:2021-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于光辅助的等离子增强光电性能二次电池。所述的二次电池采用等离子体复合含锂半导体材料或自身具有等离子效应的无锂半导体材料为正极,所述的等离子体复合含锂半导体材料为具有等离子体效应的纳米材料掺杂含锂半导体材料所得,且具有等离子体效应的纳米材料与半导体材料具有完全重合或部分重合的光响应范围。正极捕获入射光,并在正极表面产生等离子体来增加外部使用电子总数,提高电池的比容量。本发明的二次电池在等离子体增强作用下,能有效降低电池界面抗阻,增加电极材料的电子电导率,从而提高电池容量。

    δ-MnO2纳米片阵列的合成方法

    公开(公告)号:CN110551994B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201810556695.X

    申请日:2018-06-01

    Abstract: 本发明公开了一种δ‑MnO2纳米片阵列的合成方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1:2~6,先将KMnO4溶液和KF溶液混合,用稀H2SO4调节pH至1~3,加入基底材料,于100℃~140℃下进行水热反应,反应结束后,冲洗,烘干得到δ‑MnO2纳米片阵列。本发明采用一步水热法,制备出超薄、无团聚、结晶完好、纯度高、形貌可控的阵列材料,且工艺简单,能耗低。制得的纳米片阵列形貌δ‑MnO2材料,均匀生长在基底上,形貌均匀无团聚,在后期的应用中,可直接作为各种电子器件的电极,避免了粘合剂、导电剂等的使用所造成的纳米材料比表面积的减少以及电化学性能的降低,同时纳米片阵列结构可以有效的增大材料的接触面,提高材料利用率。

    单斜/四方尖晶石异质结构的正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112919546A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201911241469.3

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种单斜/四方尖晶石异质结构的正极材料及其制备方法。所述方法以锰的氧化物材料作为正极,锂金属片作为负极,组装成半电池,基于含锰氧化物材料的质量,在2.0~4.5V电压范围内采用0.02~0.2A/g的恒电流进行充放电,制得具有单斜/四方尖晶石异质结构的LiMnO2正极材料。本发明的制备工艺简单,能耗较低,制备的锂离子正极材料的比容量、倍率性能和循环稳定性等均显示出优良的电化学性能。

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