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公开(公告)号：CN110649259A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810681371.9
申请日：2018-06-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01M4/505 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种钾离子电池用正极材料K0.75MnO2及其制备方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应，制得δ-MnO2纳米片阵列，再将δ-MnO2纳米片阵列置于1M～5M KOH溶液中，于160℃～240℃下进行水热反应，制得K0.75MnO2材料。本发明制作工艺简单、生产成本低、可大规模应用于生产中，制得的钾离子电池用正极材料K0.75MnO2的比容量、倍率性能、循环稳定性和库伦效率等均显示出优良的电化学性能。
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公开(公告)号：CN110648859B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201810681361.5
申请日：2018-06-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiO2包覆δ‑MnO2纳米片阵列复合材料及其制备方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应制得δ‑MnO2纳米片阵列，然后在80℃～300℃下，以TiCI4和水为前驱体通过原子层沉积在δ‑MnO2纳米片上沉积TiO2薄膜，得到TiO2包覆δ‑MnO2纳米片阵列复合材料。本发明在不破坏材料原有结构的基础上，在材料表面沉积几个纳米厚度的保护层，在缩短电子传输距离的同时对结构起到保护作用，提高循环稳定性。
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公开(公告)号：CN110556249A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810556726.1
申请日：2018-06-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种α-MnO2纳米棒阵列的制备方法。所述方法将KMnO4溶于水中，用稀H2SO4调节PH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应，反应结束后，冲洗，烘干得到α-MnO2纳米棒阵列。本发明采用一步水热法，可以制备出均匀、无团聚、结晶完好、纯度高、形貌可控的纳米棒阵列材料。本发明制得的α-MnO2均匀生长在基底上，在后期应用中，可直接作为各种电子器件的电极，避免了粘合剂、导电剂等的使用所造成的纳米材料比表面积的减少以及电化学性能的降低，同时纳米棒阵列结构可以有效的增大材料的接触面，提高材料利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110648859A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810681361.5
申请日：2018-06-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种TiO2包覆δ-MnO2纳米片阵列复合材料及其制备方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应制得δ-MnO2纳米片阵列，然后在80℃～300℃下，以TiCI4和水为前驱体通过原子层沉积在δ-MnO2纳米片上沉积TiO2薄膜，得到TiO2包覆δ-MnO2纳米片阵列复合材料。本发明在不破坏材料原有结构的基础上，在材料表面沉积几个纳米厚度的保护层，在缩短电子传输距离的同时对结构起到保护作用，提高循环稳定性。
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公开(公告)号：CN110551994A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810556695.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种δ-MnO2纳米片阵列的合成方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，先将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应，反应结束后，冲洗，烘干得到δ-MnO2纳米片阵列。本发明采用一步水热法，制备出超薄、无团聚、结晶完好、纯度高、形貌可控的阵列材料，且工艺简单，能耗低。制得的纳米片阵列形貌δ-MnO2材料，均匀生长在基底上，形貌均匀无团聚，在后期的应用中，可直接作为各种电子器件的电极，避免了粘合剂、导电剂等的使用所造成的纳米材料比表面积的减少以及电化学性能的降低，同时纳米片阵列结构可以有效的增大材料的接触面，提高材料利用率。
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公开(公告)号：CN110551994B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810556695.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种δ‑MnO2纳米片阵列的合成方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，先将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应，反应结束后，冲洗，烘干得到δ‑MnO2纳米片阵列。本发明采用一步水热法，制备出超薄、无团聚、结晶完好、纯度高、形貌可控的阵列材料，且工艺简单，能耗低。制得的纳米片阵列形貌δ‑MnO2材料，均匀生长在基底上，形貌均匀无团聚，在后期的应用中，可直接作为各种电子器件的电极，避免了粘合剂、导电剂等的使用所造成的纳米材料比表面积的减少以及电化学性能的降低，同时纳米片阵列结构可以有效的增大材料的接触面，提高材料利用率。
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公开(公告)号：CN110649231A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810681360.0
申请日：2018-06-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Al2O3包覆δ-MnO2纳米片阵列复合材料及其制备方法。所述方法按KMnO4与KF的摩尔比为1：2～6，将KMnO4溶液和KF溶液混合，用稀H2SO4调节pH至1～3，加入基底材料，于100℃～140℃下进行水热反应制得δ-MnO2纳米片阵列，然后在80℃～300℃下，以三甲基铝和水为前驱体通过原子层沉积在δ-MnO2纳米片上沉积AI2O3薄膜，得到Al2O3包覆δ-MnO2纳米片阵列复合材料。本发明在不破坏材料原有结构的基础上，在材料表面沉积几个纳米厚度的保护层，提高离子传输能力的同时抑制了水解，使得材料的电位窗口得以扩宽，并因此提高了可逆容量，倍率性能以及循环稳定性。
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公开(公告)号：CN110611081A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810618768.3
申请日：2018-06-15
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种非晶三元过渡金属硫化物/石墨烯复合材料及其制备方法。所述方法按SnCl2·2H2O的摩尔量与氧化石墨烯的质量比为0.5～5：30～90，mmol：mg，SnCl2·2H2O与过渡金属盐的摩尔比为1～5：2～10，将SnCl2·2H2O、过渡金属盐、C2H5NS加入氧化石墨烯的分散液中，混合均匀，置于50℃～100℃下水浴反应，反应结束后，冷却至室温，水洗和乙醇清洗，干燥后即得非晶三元过渡金属硫化物/石墨烯复合材料。本发明采用低温水浴法实现，无需高温煅烧，可以制备出非晶、无团聚、纯度高的粉末材料，且工艺简单，可工业化批量生产，能耗低。
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